KR910015114A - 반도체 디지탈 회로 - Google Patents

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KR910015114A
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 디지탈 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 디지탈 회로의 제1실시예 도시도, 제2도는 본 발면의 반도체 디지탈 회로의 제2실시예 도시도, 제3도는 본 발명의 반도체 디지탈 회로의 제3실시예 도시도.

Claims (6)

  1. 제1의 전원 단자와 접지 단자와 사이에 트랜지스터가 상보 접속되어 이루는 인버터를 가지는 제1회로부와 제2의 전원 단자와 사이에 트랜지스터가 상보 접속되어 이루며 상기 인버터의 전원 전압보다 높은 전원전압으로 동작하는 인버터를 가지는 제2회로부와, 상기 제1회로부의 출력단과 상기 제2회로부의 입력단과 사이에 개삽되며 회로의 상태 천이시에 전하의 충방전 경로를 형성하는 제1의 스위치와, 상기 제2회로부의 입력단과 상기 제2의 전원 단자와 사이에 개삽되면 상기 제2회로부의 출력 신호에 의해서 도통 제어되는 제2의 스위치를 포함하는 반도체 디지탈 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2회로부의 출력단과 접지 단자와 사이에 개삽되며 상기 제1회로부의 출력 신호에 의해서 제어되는 제3스위치를 포함하는 반도체 디지탈 회로.
  3. 제2항에 있어서, 입력단이 상기 제2회로부의 출력단과 접지 단자와 사이에 상기 제3의 스위치와 직렬로 접속된 제4의 스위치와 상기 제2회로부의 출력 신호를 지연시켜서 상기 제4의 스위치의 제어 입력에 공급하는 지연 회로를 포함하는 반도체 디지탈 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2회로부의 입력단에 출력단이 접속되게 상기 제2의 스위치와 직렬 접속되며 상기 제1회로부로의 입력 신호에 의해서 제어되는 제5의 스위치를 포함하는 반도체 디지탈 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2회로부의 출력단과 접지 단자와 사이에 개삽되며 상기 제1회로부의 출력 신호에 의해서 제어되는 제3의 스위치와 상기 제2회로부의 입력단에 출력단이 접속되게 상기 제2의 스위치와 직렬 접속되며 상기 제1회로부로의 입력 신호에 의해서 제어되는 제5의 스위치를 포함하는 반도체 디지탈 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 상보 접속된 트랜지스터는 P 채널 MOS트랜지스터와 N 채널 MOS 트랜지스터인 반도체 디지탈 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910001080A 1990-01-23 1991-01-23 반도체 디지탈 회로 KR950004745B1 (ko)

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