KR940027249A - 전원 접속 회로 및 전원선용 스위치 집적 회로(ic) - Google Patents
전원 접속 회로 및 전원선용 스위치 집적 회로(ic) Download PDFInfo
- Publication number
- KR940027249A KR940027249A KR1019940011617A KR19940011617A KR940027249A KR 940027249 A KR940027249 A KR 940027249A KR 1019940011617 A KR1019940011617 A KR 1019940011617A KR 19940011617 A KR19940011617 A KR 19940011617A KR 940027249 A KR940027249 A KR 940027249A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- circuit
- supply line
- switch
- voltage
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
본 발명은 전원선용의 전압 변화에도 불구하고, 소망하는 저항 및 오프 저항을 얻을 수 있는 전원 접속 회로 및 전원선용 스위치 IC의 제공을 목적으로 한다. 제어부(6)로부터의 제어 신호를 게이트에 인가함으로써 도통 상태가 변화하는 MOS형 트랜지스터(10)를 부하 회로(5)와 전원선(200)과의 사이에 설치하고, 부하 회로(5)의 전원선(200)과의 접속 상태를 제어 가능케한 전원 접속 회로에 있어서, 제어신호의 전압을 변화시키고, 출력이 MOS형 트랜지스터(10)의 게이트에 인가되는 전압 변환 수단(2)과, 전압 변환 수단(2)의 출력전압이 전원선(200)의 전압에 대하여 소정의 차를 지니도록 하는 클램프 수단(9)을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 제 2 의 원리 구성도, 제 3 도는 본 발명의 제 1 실시예의 구성을 나타내는 도면, 제 4 도는 본 발명의 제 2 실시예의 구성을 나타내는 도면, 제 5 도는 본 발명의 제 3 실시예의 구성을 나타내는 도면.
Claims (24)
- 제어부(6)로부터의 제어 신호를 게이트에 인가함으로써 도통 상태가 변화하는 MOS형 트랜지스터(10)를 부하 회로(5)와 전원선(200)과의 사이에 설치하고, 상기 부하 회로(5)의 전원선(200)과의 접속 상태를 제어 가능케한 전원 접속 회로에 있어서, 상기 제어 신호의 전압을 변화시키고 출력이 MOS 형 트랜지스터(10)의 게이트에 인가되는 전압 변환 수단(2)과, 이 전압 변환 수단(2)의 출력전압이 전원선(200)의 전압에 대하여 소정의 차를 지니도록 하는 클램프 수단(9)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전압 변환 수단(2)은 챠지 펌프 회로인 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 MOS형 트랜지스터(10)는 N채널인 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 MOS 형 트랜지스터(10)와, 상기 전압 변환 수단(2)과, 상기 클램프 수단(9)은 1개의 집적 회로에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 부하 회로(5)와 전원선(200)과의 사이에 설치된 전원선용 스위치(1)를 갖추고, 이 전원선용 스위치(1)를 도통 상태 또는 비도통 상태로 함으로써 상기 부하 회로(5)의 상기 전원선(200)과의 접속 상태를 제어 가능케한 전원 접속 회로에 있어서, 상기 전원선용 스위치(1)가 비도통 상태인 때에 상기 부하 회로(5)에 접속되는 전원선을 접지선에 접속하고, 상기 전원선용 스위치(1)가 도통 상태인 때에는 상기 부호 회로(5)에 접속되는 전원선을 접지선에서 차단 상태로 하는 방전 회로(3)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 N채널 MOS 트랜지스터(322)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 P채널 MOS 트랜지스터(322)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 NPN형 트랜지스터(342)와 N채널 MOS 를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 PNP형 트랜지스터(342)와 CMOS형 인버터(352, 353)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 NPN 트랜지스터(364)와 P채널 MOS형 트랜지스터(362)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제어부(6)로부터의 제어 신호를 게이트에 인가함으로써 도통 상태가 변화하는 MOS 형 트랜지스터(10)를 부하 회로(5)와 전원선(200)과의 사이에 설치하고, 상기 부하회로(5)의 상기 전원선(200)과의 접속 상태를 제어 가능케한 전원 접속 회로에 있어서, 상기 제어 신호의 전압을 변화시켜 출력이 상기 MOS 형 트랜지스터(10)의 게이트에 인가되는 전압 변화 수단(2)과, 이 전압 변환 수단(2)의 출력 전압이 상기 전원선(200)의 전압에 대하여 소정의 차를 지니도록 하는 클램프 수단(9)과, 상기 전원선용 스위치(10)가 비도통 상태인 때에 상기 부하 회로(5)에 접속되는 전원선을 접지선에 접속하고 상기 전원선용 스위치(1)가 도통 상태인 때는 상기 부하 회로(5)에 접속되는 전원선을 접지선에서 차단 상태로 하는 방전 회로(3)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 제11항에 있어서, 상기 전압 변환 수단(2)은 챠지 펌프 회로인 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.
- 부하 회로(5)의 상기 전원선(200)과의 접속 상태를 제어하는 전원선용 스위치 IC로서, 상기 부하 회로(5)와 상기 전원선(200)과의 사이에 설치되고, 게이트에 인가되는 제어 신호에 의하여 도통 상태가 변화하는 MOS형 트랜지스터(10)와, 상기 제어 신호의 전압을 변화시키고, 출력이 상기 MOS 형 트랜지스터(10)의 게이트에 인가되는 전압 변환 수단(2)과, 이 전압 변환 수단(2)의 출력전압이 상기 전원선(200)의 전압에 대하여 소정의 차를 갖도록 하는 클램프 수단(9)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제 13 항에 있어서, 상기 전압 변환 수단(2)은 챠지 펌프 회로인 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제 13 항에 있어서, 상기 MOS 형 트랜지스터(10)는 N채널형인 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 부하 회로(5)와 전원선(200)과의 사이에 접속을 통제하기 위한 전원선용 스위치 IC이고, 전원선용 스위치(1)를 갖추고, 이 전원선용 스위치(1)를 도통 상태 또는 비도통 상태로 함으로써 상기 부하 회로(5)의 상기 전원선(209)과의 접속을 제어하는 전원선용 스위치 IC에 있어서, 상기 전원선용 스위치(1)가 비도통 상태인 때에 상기 부하 회로(5)가 접속되는 쪽의 전원선을 접지선에 접속하고, 상기 전원선용 스위치(1)가 도통 상태인 때에 상기 부하 회로(5)가 접속되는 쪽의 전원선과 접지선을 차단 상태로 하는 방전 회로(3)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제16항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 N채널 MOS형 트랜지스터(322)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제16항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 P채널 MOS형 트랜지스터(322)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제16항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 NPN 형 트랜지스터(342)와 N채널 MOS 형 트랜지스터(343)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제16항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 PNP형 트랜지스터(355)와 CMOS형 인버터(352, 353)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제16항에 있어서, 상기 방전 회로(3)는 NPN 형 트랜지스터(364)와 P채널 MOS형 트랜지스터(362)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 부하 회로(5)의 상기 전원선(200)과의 접속 상태를 제어하는 전원선용 스위치이고, 상기 부하 회로(5)와 상기 전원선(200)과의 사이에 설치되고, 게이트에 인가되는 제어 신호에 의하여 도통 상태가 변화하는 MOS형 트랜지스터(10)와, 상기 제어 신호의 전압을 변화시키고, 출력이 상기 MOS형 트랜지스터(10)의 게이트에 인가되는 전압 변환 수단(2)과, 이 전압 변환 수단(2)의 출력전압이 상기 전원선(200)의 전압에 대하여 소정의 차를 지니도록 하는 클램프 수단(9)과, 상기 전원선용 스위치(1)가 비도통 상태인 때에 상기 부하 회로(5)가 접속되는 쪽의 전원선을 접지선에 접속하고, 상기 전원선용 스위치(1)가 도통 상태인 때에는 상기 부하 회로(5)가 접속되는 쪽의 전원선과 접지선을 차단 상태로 하는 방전 회로(3)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제 22 항에 있어서, 상기 전압 변환 수단(2)은 챠지 펌프 회로인 것을 특징으로 하는 전원선용 스위치 IC.
- 제 13 항 내지 제 23 항에 기재한 전원선용 스위치 IC를 부하 회로(5)와 전원선(200)과의 사이에 설치한 것을 특징으로 하는 전원 접속 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-126271 | 1993-05-27 | ||
JP12627193 | 1993-05-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940027249A true KR940027249A (ko) | 1994-12-10 |
KR0161308B1 KR0161308B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=14931068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940011617A KR0161308B1 (ko) | 1993-05-27 | 1994-05-27 | 전원 접속 회로 및 전원선용 스위치 집적 회로 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5650741A (ko) |
EP (1) | EP0627807B1 (ko) |
KR (1) | KR0161308B1 (ko) |
DE (1) | DE69412360T2 (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5870573A (en) * | 1996-10-18 | 1999-02-09 | Hewlett-Packard Company | Transistor switch used to isolate bus devices and/or translate bus voltage levels |
JP3378457B2 (ja) | 1997-02-26 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
TW423162B (en) * | 1997-02-27 | 2001-02-21 | Toshiba Corp | Power voltage supplying circuit and semiconductor memory including the same |
KR100281336B1 (ko) * | 1998-10-21 | 2001-03-02 | 구본준 | 쉬프트 레지스터 회로 |
FR2837996A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | Convertisseur de tension a transistors mos |
JP3902769B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-04-11 | 松下電器産業株式会社 | 降圧電圧出力回路 |
FR2874468B1 (fr) * | 2004-08-17 | 2007-01-05 | Atmel Nantes Sa Sa | Dispositif d'aiguillage d'au moins deux tensions, circuit electronique et memoire correspondants |
JP4440058B2 (ja) | 2004-09-28 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路 |
KR100571646B1 (ko) | 2005-03-31 | 2006-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 다운 모드 반도체 소자 |
US7382168B2 (en) * | 2005-08-30 | 2008-06-03 | Agere Systems Inc. | Buffer circuit with multiple voltage range |
US7436238B2 (en) * | 2006-02-13 | 2008-10-14 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Integrated voltage switching circuit |
US7746154B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-06-29 | Atmel Corporation | Multi-voltage multiplexer system |
US7849336B1 (en) * | 2007-04-17 | 2010-12-07 | Nvidia Corporation | Boost voltage generation |
TWI451424B (zh) * | 2009-04-17 | 2014-09-01 | Mstar Semiconductor Inc | 應用於快閃記憶體之保護電路及電源系統 |
JP5259505B2 (ja) | 2009-06-26 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
TWI491124B (zh) * | 2010-11-29 | 2015-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電源轉接裝置 |
JP6481553B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2019-03-13 | 株式会社デンソー | スイッチング素子駆動回路 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3902078A (en) * | 1974-04-01 | 1975-08-26 | Crystal Ind Inc | Analog switch |
US4316243A (en) * | 1979-12-17 | 1982-02-16 | General Electric Company | Power FET inverter drive circuit |
US4420700A (en) * | 1981-05-26 | 1983-12-13 | Motorola Inc. | Semiconductor current regulator and switch |
JPS5912622A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Toshiba Corp | 電子スイッチ回路 |
USRE32526E (en) * | 1984-06-25 | 1987-10-20 | Gated solid state FET relay | |
JPS6159911A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Nec Corp | 切換スイツチ回路 |
GB8713384D0 (en) * | 1987-06-08 | 1987-07-15 | Philips Electronic Associated | Driving semiconductor device |
GB8713388D0 (en) * | 1987-06-08 | 1987-07-15 | Philips Electronic Associated | Semiconductor device |
IT1227561B (it) * | 1988-11-07 | 1991-04-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo circuitale, a ridotto numero di componenti, per l'accensione simultanea di una pluralita' di transistori di potenza |
US4877982A (en) * | 1989-01-23 | 1989-10-31 | Honeywell Inc. | MOSFET turn-on/off circuit |
FR2644651B1 (fr) * | 1989-03-15 | 1991-07-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commande de transistor mos de puissance sur charge inductive |
US4992683A (en) * | 1989-09-28 | 1991-02-12 | Motorola, Inc. | Load driver with reduced dissipation under reverse-battery conditions |
US5023474A (en) * | 1989-11-08 | 1991-06-11 | National Semiconductor Corp. | Adaptive gate charge circuit for power FETs |
JPH03158018A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-08 | Nec Corp | 入力回路 |
US5005061A (en) * | 1990-02-05 | 1991-04-02 | Motorola, Inc. | Avalanche stress protected semiconductor device having variable input impedance |
US5111084A (en) * | 1990-05-31 | 1992-05-05 | Westinghouse Electric Corp. | Low loss drain pulser circuit for solid state microwave power amplifiers |
KR930003929B1 (ko) * | 1990-08-09 | 1993-05-15 | 삼성전자 주식회사 | 데이타 출력버퍼 |
JP3028840B2 (ja) * | 1990-09-19 | 2000-04-04 | 株式会社日立製作所 | バイポーラトランジスタとmosトランジスタの複合回路、及びそれを用いた半導体集積回路装置 |
US5115143A (en) * | 1991-08-08 | 1992-05-19 | International Business Machines | Efficient P-channel FET drive circuit |
FR2683687B1 (fr) * | 1991-11-13 | 1994-03-04 | Nokia Consumer Electronics Franc | Interrupteur de puissance a commutateur mos. |
US5258662A (en) * | 1992-04-06 | 1993-11-02 | Linear Technology Corp. | Micropower gate charge pump for power MOSFETS |
US5365118A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Linear Technology Corp. | Circuit for driving two power mosfets in a half-bridge configuration |
EP0582125B1 (de) * | 1992-08-04 | 1998-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Ansteuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET mit sourceseitiger Last |
JP3194798B2 (ja) * | 1992-10-30 | 2001-08-06 | オリンパス光学工業株式会社 | クランプ機能付きスイッチ回路 |
US5321313A (en) * | 1993-01-07 | 1994-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Controlled power MOSFET switch-off circuit |
US5298817A (en) * | 1993-02-09 | 1994-03-29 | At&T Bell Laboratories | High-frequency solid-state relay |
US5510747A (en) * | 1993-11-30 | 1996-04-23 | Siliconix Incorporated | Gate drive technique for a bidirectional blocking lateral MOSFET |
-
1994
- 1994-05-26 DE DE69412360T patent/DE69412360T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-26 EP EP94108146A patent/EP0627807B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-27 KR KR1019940011617A patent/KR0161308B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-03-27 US US08/622,933 patent/US5650741A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0627807B1 (en) | 1998-08-12 |
US5650741A (en) | 1997-07-22 |
EP0627807A2 (en) | 1994-12-07 |
DE69412360T2 (de) | 1999-04-22 |
EP0627807A3 (en) | 1995-05-10 |
KR0161308B1 (ko) | 1999-03-20 |
DE69412360D1 (de) | 1998-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940027249A (ko) | 전원 접속 회로 및 전원선용 스위치 집적 회로(ic) | |
KR880001108A (ko) | Cmos 입력회로 | |
KR950010340A (ko) | 정 전류 발생 장치 | |
KR910015114A (ko) | 반도체 디지탈 회로 | |
KR970705237A (ko) | 공급 및 인터페이스로 구성 가능한 입력/출력 버퍼(supply and interface configurable input/output buffer) | |
KR940027316A (ko) | 저전력 모드 및 클럭 증폭기 회로를 가진 집적 회로 | |
US4786825A (en) | CMOS Schmitt trigger circuit using ratioed currents to establish switching thresholds | |
EP0945986A3 (en) | Charge pump circuit for PLL | |
KR960039569A (ko) | 승압 회로 | |
KR970067329A (ko) | 전원 전환 회로 | |
US5381044A (en) | Bootstrap circuit for driving a power MOS transistor | |
KR940017217A (ko) | 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로 | |
KR940012851A (ko) | 차동 전류원 회로 | |
KR960009401A (ko) | 비교기 회로 | |
US7075356B2 (en) | Charge pump circuit | |
KR920020511A (ko) | 출력 버퍼 회로 | |
DK0840454T3 (da) | Niveauskiftekredsløb | |
WO1999048206A3 (en) | Bicmos switch circuit | |
KR950016002A (ko) | 3치 입력 버퍼 회로 | |
ATE253784T1 (de) | Ausgangstreiberschaltung | |
KR930006875A (ko) | 집적회로 | |
KR920003703A (ko) | 저 동적 임피던스를 갖는 단일-구동 레벨이동기 | |
KR880012011A (ko) | 논리회로 | |
KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 | |
KR920020709A (ko) | 정전위발생용 반도체장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060810 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |