KR890011216A - Mos형 집적회로의 전원 재공급회로 - Google Patents

Mos형 집적회로의 전원 재공급회로 Download PDF

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KR890011216A
KR890011216A KR1019880018217A KR880018217A KR890011216A KR 890011216 A KR890011216 A KR 890011216A KR 1019880018217 A KR1019880018217 A KR 1019880018217A KR 880018217 A KR880018217 A KR 880018217A KR 890011216 A KR890011216 A KR 890011216A
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South Korea
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inverter
transistor
gate
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KR1019880018217A
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Inventor
뒤뷔제 브뤼노
Original Assignee
뽈 발로
에스 지 에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 소시에떼아노님
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
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    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
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Abstract

내용 없음

Description

MOS형 집적회로의 전원 재공급회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전원 재공급회로의 구체적 실시예의 회로 블럭도.
제2도, 제3도 및 제4도는 본 발명의 전원 재공급회로에 사용되는 바와같이, 인버터형의 전달 함수 VS=f(VE)를 갖는 회로의 다른 구체적 실시예의 회로도.

Claims (11)

  1. -전원이 인가되는 전원단자, 접지단자 및 집적회로의 전원을 인에이블 또는 디스에이블 시키는 출력단자; -접지단자와 제1회로노드 사이에 연결되며, 그 충전이 전원단자와 제1호로 노드사이에 연결된 제1의 p형 트랜지스터를 경유하여 제어되는 제1커패시터; -그 입력단자가 제1회로 노드에 연결되는 변형 가능한 스레시홀드 전압을 가진 인버터 게이트; -인버터 게이트의 출력단자와 출력단자 사이에 연결되는 인버터; -제1의 p형 트랜지스터를 제어하는 분배기 회로와 직렬 연결되는 전류원; 및 -인버터링형 전달함수 VS=f(VE)를 가지며, 전류원의 작동을 제어하는 방법으로 전류원과 인버터 게이트의 출력단자 사이에 연결되는 회로로 이루어진것을 특징으로 하는 MOS형 집적회로를 스타트 시키기 위한 전원 재공급회로.
  2. 제1항에 있어서, 변형 가능한 스레시홀드 전압 인버터 게이트는 그 게이트가 분배기 회로의 출력단자에 연결된 제2트랜지스터를 경유하여 접지단자에 연결된 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 회로.
  3. 제1항에 있어서, 그 게이트가 출력단자에 연결되고, 제2트랜지스터와 병렬 연결되는 제3트랜지스터를 또한 포함하는것을 특징으로하는 회로.
  4. 제1항에 있어서, 분배기 회로가 다이오우드 연결된 2개의 MOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로하는 회로.
  5. 제1항에 있어서, 전류원이 제4의 p형 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로하는 회로.
  6. 제1항에 있어서, 인버터형의 전달함수 VS=f(VE)를 갖는 회로가 간단한 인버터로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로.
  7. 제1항에 있어서, 인버터형의 전달함수 VS=f(VE)를 갖는 회로는 제5의 p형 트랜지스터와 제6의 n형 트랜지스턴간에 이루어지는 인버터로 구성되며, 인버터의 출력단자는 제5의 p형 트랜지스터와 다이오드 연결 트랜지스터 사이에 형성되는 노드에서 나오도록 된 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제1항에 있어서, 인버터형의 전달함수 VS=f(VE)를 갖는 회로는 전원단자와 제5의 p형 트랜지스터의 단자간의 직렬연결, 다이오우드 연결 트랜지스터 및 제6의 n형 트랜지스터로 구성되며,회로의 입력단자는 게이트가 전원단자에 연결되는 제6의 형 트랜지스터를 경유하여, 제5의 p형 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 제6의 n형 트랜지스터의 게이트에 직접 연결되며, 회로의 출력단자는 제5의 p형 트랜지스터와 다이오우드 연결 트랜지스터 사이에 형성된 회로노드에서 나오도록 된것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제8항에 있어서, 제7의 n형 트랜지스터와 제5 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되는 직렬 연결 캐패시터를 또한 포함하는것을 특징으로 하는 회로.
  10. 제1항에 있어서, 분배기 회로의 출력단자와 제1의 회로 노드 사이에 위치하는 제1 캐패시터, 인버터형의 전달함수 VS=f(VE)를 갖는 회로의 입력단자와 인버터 게이트의 출력단자 사이의 제2캐패시터 및 출력단자와 제3 트랜지스터의 게이트 사이의 제3캐패시터를 또한 포함하는 것을 특징으로하는 회로.
  11. 제10항에 있어서, 제1, 제2 및 제3캐패시터들은 2개의 주전극들이 쇼트되고 게이트가 p형 트랜지스터에 대해서는 전원단자 또는 n형 트랜지스터에 대해서는 접지단자에 연결되는 p형 MOS 트랜지스터들 또는 n형 MOS트랜지스터들로 구성되는 것을 특징으로하는 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880018217A 1987-12-30 1988-12-29 Mos형 집적회로의 전원 재공급회로 KR890011216A (ko)

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