KR890001290A - Mos 기법의 집적회로용 파워링 회로 - Google Patents

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KR890001290A
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KR1019880007062A
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두부제 브루노
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뽈 발로
에스지에스 톰슨 마이크로일렉트로닉스 소시에떼 아노님
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches

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Abstract

내용 없음

Description

MOS 기볍의 집적회로용 파워링 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 파워링 회로의 개략도,
제2도는 제1도의 회로의 구체적 실시예외 도면,
제3도는 모든 제2도의 회로내에 사용되는 다이오우드의 도면

Claims (14)

  1. MOS기법의 집적회로를 작동시키기 위한 파워링 회로에 있어서, 공급전압보다 큰 전압을 발생시키기 위해 공급전압을 사용하는 제1발생장치 및, 공급전압과 발생된 전압의 차를 측정하여, 그 차이가 주어진 스레스홀드 값에 도달하면 파워링 신호를 발생시키는 제2장치로 이루어진 것을 특징으로 하는 파워링회로.
  2. 제1항에 있어서, 일당 파워링 신호가 생성되었으면 회로의 작동을 중단시키는 장치를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  3. 제1항에 있어서, 제1장치는 공급전압보다 큰 출력전압을 출력시키는 전압증가장치에 연결되는 오실레이터로 구성된 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  4. 제3항에 있어서, 오실레이터가 직렬 연결된 홀수개의 인버터들로 구성되며, 마지막 인버터의 출력이 최초 인버터의 입력단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 전압 증가 장치는 전원단자와 제1회로 노드 사이에 연결되는 제1다이오우드, 제1회로노드와 제1인버터의 출력단자 사이에 연결되는 제1캐패시터, 제1회로 노드와 제2회로 노드 사이에 연결되는 제2다이오우드 및, 제2회로 노드와, 제1인버터와 직렬 연결되는 제2인버터의 출력단자 사이에 연결되는 제2캐패시터로 이루어지며, 전압증가장치의 출력단자가 제2회로 노드인 것을 특징으로 하는 파워링 장치.
  6. 제5항에 있어서, 전압증가 장치는 적어도 하나의 추가적인 스테이즈를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  7. 제6항에 있어서, 추가적인 스테이지는 끝에서 두번째 회로노드와, 전압 증가장치의 출력단자를 형성하는 제2회로 노드사이에 직접 바이어스 연결되는 다이오우드 및, 마지막 노드와, 다른 인버터들과 직렬연결되는 추가적인 인버터의 출력단자 사이에 연결되는 캐패시터로 구성된 것을 특징으로하는 파워링 회로.
  8. 제5항에 있어서, 전압 증가 장치는 전압 증가장치의 출력을 형성하는 마지막 노드와 새로운 출력단자 노드사이에 직접 바이어스 연결되는 다이오우드 및, 새로운 출력회로 노드와 저전압 또는 접지 사이에 연결되는 캐패시터로 구성된 필터링 스테이지를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  9. 제5항 또는 제7항에 있어서, C-MOS 기법에서, 다이오우드들은 P형 MOS 트랜지스터로 만들어지며, 그 모든 전극들이 함께 연결되어 캐소우드를 형성하고 그 웬(N)은 애노우드를 형성하는 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  10. 제1항에 있어서, 제2장치는 입력단자로 각각 생성된 전압과 공급전압을 받아들이고, 전술한 2개의 전압들의 차이의 함수인 출력신호를 출력하는 비교기 회로롤 구성되며, 또한 제2장치는 비교기 회로의 출력단자에 연결되어, 파워링 신호를 발생시키는 검출 및 성형회로로 구성된 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  11. 제10항에 있어서, 비교기 회로는 전류발생기와 저전압 또는 접지 사이에 직렬 연결되는 2개의 N형 MOS 트랜지스터들로 구성되는 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  12. 제10항에 있어서, 검출 및 성형회로는 소정의 스레스홀드 전압을 가진 제1인버터 게이트 및, 입력단자가 제1인버터 게이트의 출력단자에 연결되는 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  13. 제10항에 있어서, 회로의 작동을 중단시키는 전술한 장치는 오실레이터의 루프(loop)와, 검출 및 성형회로내에 각각 연결되는 NOR 게이트들로 구성되며 NOR 게이트들은 그 입력단자들로 파워링 신호를 수신하며, 전술한 중단 장치는 전류 발생기로 또한 구성된 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
  14. 제11항에 있어서, 전류 발생기는 전극들 중 하나는 공급 전압원에 연결되고 게이트는 파워링 신호에 연결되는 P형 MOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 파워링 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007062A 1987-06-12 1988-06-11 Mos 기법의 집적회로용 파워링 회로 KR890001290A (ko)

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6427094A (en) * 1987-07-23 1989-01-30 Mitsubishi Electric Corp Mos-type semiconductor memory
US4980792A (en) * 1988-02-02 1990-12-25 National Semiconductor Corporation BiCMOS power transition circuit
JP2652694B2 (ja) * 1988-12-28 1997-09-10 三菱電機株式会社 昇圧回路
JPH0736516B2 (ja) * 1990-07-19 1995-04-19 富士ゼロックス株式会社 パワーオンリセット回路
US5359233A (en) * 1990-09-28 1994-10-25 Dallas Semiconductor Corporation Reset monitor for detection of power failure and external reset
US5148051A (en) * 1990-12-14 1992-09-15 Dallas Semiconductor Corporation Power up circuit
EP0520125B1 (en) * 1991-06-27 1997-08-20 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe Switching circuit for connecting a first circuit node to a second or to a third circuit node according to the latter's potential, for controlling the potential of an insulation region of an integrated circuit according to the substrate's potential
FR2684206B1 (fr) * 1991-11-25 1994-01-07 Sgs Thomson Microelectronics Sa Circuit de lecture de fusible de redondance pour memoire integree.
JP3088821B2 (ja) * 1992-03-18 2000-09-18 沖電気工業株式会社 パワーオンリセット回路
US5323066A (en) * 1992-06-01 1994-06-21 Motorola, Inc. Method and apparatus for performing power on reset initialization in a data processing system
US5442310A (en) * 1992-07-31 1995-08-15 Intel Corporation Circuitry and method for reset discrimination
US5463336A (en) * 1994-01-27 1995-10-31 Rockwell International Corporation Supply sensing power-on reset circuit
US5570050A (en) * 1994-03-08 1996-10-29 Intel Corporation Zero standby current power-up reset circuit
US5477176A (en) * 1994-06-02 1995-12-19 Motorola Inc. Power-on reset circuit for preventing multiple word line selections during power-up of an integrated circuit memory
US5567993A (en) * 1994-06-23 1996-10-22 Dallas Semiconductor Corporation Programmable power supply system and methods
US5537360A (en) * 1994-09-16 1996-07-16 Dallas Semiconductor Corporation Programmable power supply systems and methods providing a write protected memory having multiple interface capability
DE4443606C1 (de) * 1994-12-07 1996-08-01 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Rücksetzsignals
EP0805556B1 (en) * 1996-04-30 2005-03-23 STMicroelectronics S.r.l. Power on reset circuit with auto turn off
US5959926A (en) * 1996-06-07 1999-09-28 Dallas Semiconductor Corp. Programmable power supply systems and methods providing a write protected memory having multiple interface capability
DE19742389A1 (de) * 1997-09-25 1998-12-10 Siemens Ag Schaltung zur Erzeugung eines das Einschalten einer Versorgungsspannung signalisierenden Reset-Signals
US5936444A (en) * 1997-11-25 1999-08-10 Atmel Corporation Zero power power-on reset circuit
US6085327A (en) * 1998-04-10 2000-07-04 Tritech Microelectronics, Ltd. Area-efficient integrated self-timing power start-up reset circuit with delay of the start-up reset until the system clock is stabilized
DE19936606C1 (de) * 1999-08-04 2000-10-26 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Spannungsversorgung einer integrierten Schaltung über ein Pad mit Konfiguriermöglichkeit der integrierten Schaltung
JP3987674B2 (ja) * 2000-06-01 2007-10-10 富士通株式会社 半導体集積回路
DE10059643A1 (de) * 2000-12-01 2002-06-13 Texas Instruments Deutschland Integrierte Halbleiterschaltung
US6940358B1 (en) * 2001-02-08 2005-09-06 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for tuning RF integrated LC filters
DE10258115B4 (de) * 2001-12-06 2008-07-03 Michael Baehr Breitbandiges Messmodul zur Strommessung an Einrichtungen der Leistungselektronik
KR100426489B1 (ko) * 2002-07-09 2004-04-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 초기화 제어 회로
US7310760B1 (en) * 2002-12-11 2007-12-18 Chung Sun Apparatus and method for initializing an integrated circuit device and activating a function of the device once an input power supply has reached a threshold voltage
US7518419B1 (en) 2006-12-15 2009-04-14 National Semiconductor Corporation Wideband power-on reset circuit
US7388414B1 (en) 2007-03-30 2008-06-17 National Semiconductor Corporation Wideband power-on reset circuit with glitch-free output
US20080309384A1 (en) * 2007-06-13 2008-12-18 Honeywell International Inc. Initialization Circuitry Having Fuse Leakage Current Tolerance
US8963590B2 (en) * 2007-06-13 2015-02-24 Honeywell International Inc. Power cycling power on reset circuit for fuse initialization circuitry
JP5332998B2 (ja) * 2009-07-17 2013-11-06 株式会社リコー パワーオンリセット回路および該パワーオンリセット回路を有するモジュールならびに電子回路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50139327A (ko) * 1974-04-26 1975-11-07
JPS55150026A (en) * 1979-05-09 1980-11-21 Fujitsu Ltd Power-on clearing circuit
JPS56116323A (en) * 1980-02-18 1981-09-12 Sharp Corp Acl signal generating circuit in integrated circuit
JPS56125962A (en) * 1980-03-10 1981-10-02 Canon Inc Power source voltage detector
US4365174A (en) * 1980-07-31 1982-12-21 Rca Corporation Pulse counter type circuit for power-up indication
JPS58143629A (ja) * 1982-02-19 1983-08-26 Seiko Epson Corp イニシヤライズ回路
JPS5957316A (ja) * 1982-09-27 1984-04-02 Tokyo Electric Co Ltd リセツト回路
US4581552A (en) * 1984-02-17 1986-04-08 Texas Instruments Incorporated Power-up clear circuitry having two thresholds
NL8402764A (nl) * 1984-09-11 1986-04-01 Philips Nv Schakeling voor het opwekken van een substraatvoorspanning.
US4716322A (en) * 1986-03-25 1987-12-29 Texas Instruments Incorporated Power-up control circuit including a comparator, Schmitt trigger, and latch
US4728820A (en) * 1986-08-28 1988-03-01 Harris Corporation Logic state transition detection circuit for CMOS devices

Also Published As

Publication number Publication date
JPS645223A (en) 1989-01-10
DE3860459D1 (de) 1990-09-20
FR2616602A1 (fr) 1988-12-16
FR2616602B1 (fr) 1989-10-13
EP0296930B1 (fr) 1990-08-16
EP0296930A1 (fr) 1988-12-28
US4900950A (en) 1990-02-13
JP2840613B2 (ja) 1998-12-24

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