KR970066578A - 고전압 검출기 회로 - Google Patents

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KR970066578A
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토오루 야나기사와
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가네꼬 히사시
닛폰 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

전원 변동 또는 잡음과 관계없이 그리고 고전압으로 인한 게이트 산화물이 파괴(gate oxide bread)됨이 없이 입력 단자(1)에 공급되는 전압이 전원보다 높은지 여부를 인정하게 판별하는 고전압 검출기 회로를 제공하기 위하여, 본 발명의 고전압 검출기 회로는 전원에 접속된 게이트를 갖는 MOS 트렌지스터(P1)와, MOS 트렌지스터의 소스 및 입력 단자간에 접속된 제1트랜지스터(R1)와, MOS 트렌지스터의 드레인 및 접지간에 접속된 제2트랜지스터(R2) 및 MOS 트렌지스터의 드레인 전압의 역논리(inverse logic)를 출력 단자(OUT)에 출력하는 인버터를 구비한다.

Description

고전압 검출기 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 또다른 실시예를 도시한 회로도.

Claims (4)

  1. 입력 단자(1)에 공급되는 전압이 전원보다 높은지 여부를 판별하는 고전압 검출기 회로에 있어서, 상기 전원에 접속되는 게이트를 갖는 MOS 트렌지스터(P1)와, 상기 MOS 트렌지스터(P1)의 소스 및 입력 단자간에 접속된 제1저항기(R1)와, MOS 트렌지스터(P1)의 드레인 및 접지간에 접속된 제2저항기(R2)와, 상기 MOS 트렌지스터(P1)의 드레인 전압의 역 논리를 출력 단자(OUT)에 출력하는 인버터(11)를 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 검출기 회로.
  2. 입력 단자(1)에 공급되는 전압이 전원보다 높은지 여부를 판별하는 고전압 검출기 회로에 있어서, 상기 전원에 접속된 게이트를 갖는 MOS 트렌지스터(P1)와, 상기 MOS 트렌지스터(P1)의 소스 및 상기 입력 단자간(1)간에 제공된 직렬 접속된 제1저항기(R1) 및 다이오드가 접속되어 있는 하나이상의 MOS 트렌지스터(N1…)와, 상기 MOS 트랜지스터(P1)의 드레인 및 접지간에 접속된 제2레지스터(R2)와, 상기 MOS 트렌지스터(P1)의 드레인 전압의 역 논리를 출력 단자(OUT)에 출력하는 인버터(11)를 구비하는 고전압 검출기 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2저항기(R1 및 R2)는 동일 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 고전압 검출기 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2저항기(R1 및 R2)는 동일 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 고전압 검출기 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970011147A 1996-03-29 1997-03-28 고전압 검출기 회로 KR100233224B1 (ko)

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