KR960026787A - 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로 - Google Patents

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KR960026787A
KR960026787A KR1019950072152A KR19950072152A KR960026787A KR 960026787 A KR960026787 A KR 960026787A KR 1019950072152 A KR1019950072152 A KR 1019950072152A KR 19950072152 A KR19950072152 A KR 19950072152A KR 960026787 A KR960026787 A KR 960026787A
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sense amplifier
mode sense
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KR1019950072152A
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조셉 맥파트랜드 리챠드
Original Assignee
데이빗 엘. 스미스
에이티 앤드 티 코포레이션
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
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    • G11C7/067—Single-ended amplifiers

Abstract

제1 및 제2트랜지스터를 갖는 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로가 서술되는데, 이 트랜지스터 각각은 도통통로 및 게이트 전극을 갖는다. 제1 및 제2트랜지스터의 도통 통로는 전원 노드 및 입력간에 직렬로 전기적으로 결합된다. 집적 회로는 도통 통로 및 게이트 전극을 각각 갖는 제3 및 제4트랜지스터를 구비한다. 제3 및 제4트랜지스터의 도통 통로는 전원 노드 및 제1기준 전위간에 직렬로 전기적으로 결합된다. 상기 제1 및 제3트랜지스터의 게이트 전극은 출력 노드에 전기적으로 결합된다. 제5트랜지스터는 제2기준 전위 및 출력 노드간에 전기적으로 결합되는 도통 통로를 갖는다. 게이트 전극을 전원 노드의 전압 레벨 보다 낮은 약 두개의 임계전압 강하인 전압으로 유지시킨다.

Description

전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 따른 감지 증폭기의 개요도.

Claims (8)

  1. 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로로서, 상기 전류 모드 감지 증폭기는 도통 통로 및 게이트 전극을 각각 갖는 제1 및 제2트랜지스터(예를 들어, M1 및 M2)와 도통 통로 및 게이트 전극을 각각 갖는 제3 및 제4트랜지스터(예를 들어, M3 및 M4) 구비하며, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 도통 통로는 전원 노드 (예를 들어, VDD) 및 입력(예를 들어, SAIN) 간에 직렬로 결합되며, 상기 제3 및 제4트랜지스터의 도통 통로는 전원 노드(예를 들어, VDD) 및 제1기준 전위(예를 들어, V15)간에 직렬로 결합되며, 상기 제1 및 제3트랜지스터의 게이트 전극 각각은 출력 노드(예를들어, N1)에 전기적으로 결합되는 상기 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로에 있어서, 도통 통로 및 게이트 전극을 갖는 제5트랜지스터(예를 들어, M11)를 구비하는데, 상기 도통 통로는 제2기준 전위(예를 들어, VREF2) 및 출력 노드(예를 들어, N1) 간에 전기적으로 결합되며, 상기 제4트랜지스터의 상기 게이트 전극(예를 들어, VTD2)은 전원 노드(예를 들어, VDD)의 전압 레벨보다 낮은 약 두개의 임계 전압 강하인 전압으로 유지되는 것을 특징으로 하는 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2기준 전위(예를 들어, VREF2)는 접지인 것을 특징으로 하는 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  3. 제1항에 있어서, 입력(예를 들어, N1) 및 출력(예를 들어, N3)을 갖는 인버터를 더 구비하는데, 상기 출력 노드(예를 들어, N1)는 상기 인버터의 입력에 결합되는 것을 특징으로 하는 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 인버터는; 채널 폭-대-길이비를 각각 갖는 제6 및 제7트랜지터(예를 들어 M5 및 M6)를 더 구비하는데, 상기 제6 및 제7트랜지스터 중 하나의 트랜지스터의 채널 폭-대-길이비는 나머지 다른 하나의 트랜지스터의 채널 폭-대-길이비 보다 약10배 큰 것을 특징으로 하는 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제6 또는 제7트랜지스터(예를 들어, M5 및 M6) 중 하나의 트래지스터의 채널 폭-대-길이비는 그외 다른 트랜지스터의 채널 폭-대-길이비 보다 약 10배 큰 것을 특징으로 하는 전류모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  6. 제2항에 있어서, 입력 및 출력(예를 들어, OUTPUT)을 갖는 버퍼를 더 구비하는데, 상기 인버터(예를 들어, N3)의 출력은 상기 버퍼의 입력에 결합되는 것을 특징으로 하는 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제2기준 전위(예를 들어, VREF2)는 상기 제1기준 전위(예를 들어, V15)보다 큰 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제3트랜지스터(예를 들어, M1 및 M3)는 P-채널 장치이고 상기 제2 및 제4트랜지스터(예를들어, M2 및 M4)는 N-채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전류모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950072152A 1994-12-23 1995-12-23 전류 모드 감지 증폭기를 구비하는 집적 회로 KR960026787A (ko)

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US08/363,045 US5559455A (en) 1994-12-23 1994-12-23 Sense amplifier with overvoltage protection

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ID=23428548

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