KR930024281A - 중간전위 발생회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 부하 전류가 증가해도 출력전위의 설정전위로 부터의 변위를 작게하는 것을 목적으로 한다.
구동회로(20)에 있어서, 소스폴로어 접속되는 MOS트랜지스터(Q3,Q4)의 게이트에 바이어스 전위 발생회로(10)에서 발생되는 바이어스 전위(Vb1,Vb2)가 공급되고, 양 트랜지스터(Q3,Q4)에 흐르는 전류에 따른 값의 전압으로 각각 게이트가 제어되는 MOS트랜지스터(Q5,Q6)의 소스ㆍ드레인 간을 전압원(Vcc,Vss)각각과 출력노드(30)간에 삽입한 것을 특징으로 한다.

Description

중간전위 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 회로도, 제2도는 상기 제1실시예의 회로를 설명하기 위한 것이고, 제10도에 도시하는 종래 회로의 일부를 추출해서 도시하는 회로도, 제3도는 상기 제1실시예의 회로를 도시하는 설명도이고, 제1도에 도시하는 실시예 회로의 일부를 추출해서 도시하는 회로도.

Claims (10)

  1. 제1의 전압원(Vcc)과, 중간전위를 출력하기 위한 출력 노드(30)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력 노드와의 사이에 삽입되고, 게이트에 소정의 바이어스 전위가 공급되는 제1도전형의 제1의 MOS트랜지스터(Q3)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력 노드 사이에 삽입되고, 상기 제1의 MOS트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 전압으로 게이트가 제어되는 제2도전형의 제2의 MOS트랜지스터(Q5)를 구비한 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  2. 제1 및 제2의 전압원(Vcc,Vss)과, 상기 제1 및 제2의 전압원 간의 값을 가지는 기준 전위가 설정되고, 이 기준 전위로 부터 일정 전위만 다른 바이어스 전위를 발생하는 바이어스 전위 발생회로(10)와, 중간전위를 출력하기 위한 출력노드(30)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력노드와의 사이에 삽입되고, 게이트에 상기 바이어스 전위가 공급되는 제1도전형의 제1의 MOS트랜지스터(Q3)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력노드 사이에 삽입되고, 상기 제1의 MOS트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 전압으로 게이트가 제어되는 제2도전형의 제2의 MOS트랜지스터(Q5)를 구비하는 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기준전위와 상기 바이어스 전위의 차가, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 임계치와 동일하거나 또는 작은 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  4. 제1 및 제2의 전압원(Vcc,Vss)과, 상기 제1 및 제2의 전압원 사이의 값을 가지는 기준전위가 설정되고, 이 기준전위로 부터 각각 일정 전위만 상이한 제1 및 제2의 바이어스 전위를 발생하는 바이어스 전위 발생회로(10)와, 중간전위를 출력하기 위한 출력 노드(30)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력노드 간에삽입되고, 게이트에 상기 제1의 바이어스 전위가 공급되는 제1도전형의 제1의 MOS트랜지스터(Q3)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력노드 간에 삽입되고, 상기 제1의 MOS트랜지스터에 흐르는 전류에 따른 전압으로 게이트가 제어되는 제2의 도전형의 제2의 MOS트랜지스터(Q5)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제2의 전압원과 상기 출력노드 간에 삽입되고, 게이트에 상기 제2의 바이어스 전위가 공급되는 제2도전형의 제3의 MOS트랜지스터(Q4)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제2의 전압원과 상기 출력노드 간에 삽입되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터에 흐르는 전류에 따를 전압으로 게이트가 제어되는 제1도전형의 제4의MOS 트랜지스터(Q6)를 구비하는 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 바이어스 전위 발생회로가, 상기 제1의 전압원과 상기 기준전위를 얻는 노드 사이에 삽입되어 다이오드 접속된 제1도전형의 제5의 MOS트랜지스터(Q1)와, 상기 제2의 전압원과 상기 기준전위를 얻는 노드 사이에 삽입된 다이오드 접속된 제2도전형의 제6의 MOS트랜지스터(Q2)를 구비한 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기준전위와 상기 제1의 바이어스 전위와의 차가 상기 제1의 MOS트랜지스터의 임계치와 동일하거나 또는 작게 구성되고, 상기 기준전위와 상기 제2의 바이어스 전위와의 차가 상기 제3의 MOS트랜지스터의 임계치와 동일하거나 또는 작게 구성되는 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제5의MOS트랜지스터의 임계치가 상기 제1의 MOS트랜지스터의 임계치와 동일하거나 작게 구성되고, 상기 제6의 MOS트랜지스터의 임계치가 상기 제3의 MOS트랜지스터의 임계차와 동일하거나 작게 구성되는 것을 특징으로 하는 중간 전위 발생회로.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제5의 MOS트랜지스터의 게이트 길이가 상기 제1의 MOS트랜지스터의 게이트 길이와 동일하거나 작게 구성되고, 상기 제6의 MOS트랜지스터의 게이트 길이가 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트 길이와 동일하거나 작게 구성되는 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  9. 제4항에 있어서, 상기 제5의 MOS트랜지스터의 게이트의 폭이 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트 폭과 동일하거나 크게 구성되고, 상기 제6의 MOS트랜지스터의 게이트 폭이 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트폭과 동일하거나 크게 구성된 것을 특징으로 하는 중간 전위 발생회로.
  10. 제1의 전압원(Vcc)과, 중간전위를 출력하기 위한 출력노드(30)와, 상기 제1의 전압원과 상기 출력노드간에 소스 폴로어 접속된 제1도전형의 제1의 MOS트랜지스터(Q3)와, 소스ㆍ드레인이 상기 제1의 전압원과 상기 출력 노드와의 사이에 삽입되고, 상기 제1의 MOS트랜지스터에 흐르는 전류에 따르는 전압을 게이트가 제어되는 제2도전형의 제2의 MOS 트랜지스터(Q5)를 구비한 것을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3381937B2 (ja) * 1992-05-22 2003-03-04 株式会社東芝 中間電位発生回路
JPH0793977A (ja) * 1993-04-26 1995-04-07 Samsung Electron Co Ltd 半導体メモリ装置の中間電圧発生回路
JP3207680B2 (ja) * 1994-08-30 2001-09-10 株式会社東芝 半導体集積回路
JPH09162713A (ja) * 1995-12-11 1997-06-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
DE19621110C1 (de) * 1996-05-24 1997-06-12 Siemens Ag Ein-/Ausschaltbare Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
US6137347A (en) * 1998-11-04 2000-10-24 Motorola, Ltd. Mid supply reference generator
JP2002544698A (ja) * 1999-05-06 2002-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 回路装置及び回路装置を含む光学式読み書き装置
FR2797118B1 (fr) * 1999-07-30 2001-09-14 St Microelectronics Sa Dispositif de commande d'un commutateur haute tension de type translateur
US6771113B1 (en) * 2002-02-06 2004-08-03 Lsi Logic Corporation Five volt tolerant and fail safe input scheme using source follower configuration
EP1607754A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-21 Dialog Semiconductor GmbH Circuit for monitoring a load current
JP5008367B2 (ja) * 2005-09-29 2012-08-22 エスケーハイニックス株式会社 電圧発生装置
WO2008001255A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-03 Nxp B.V. A constant voltage generating device
US8736264B2 (en) * 2012-01-23 2014-05-27 Vista Clara Inc. NMR logging apparatus
US9755628B2 (en) * 2016-01-07 2017-09-05 Delta Electronics, Inc. Driving circuit, converter and driving method
US10725491B2 (en) * 2018-12-05 2020-07-28 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to correct gate bias for a diode-connected transistor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663584B1 (en) * 1985-06-10 1996-05-21 Toshiba Kk Intermediate potential generation circuit
JP2509596B2 (ja) * 1987-01-14 1996-06-19 株式会社東芝 中間電位生成回路
JPH0690655B2 (ja) * 1987-12-18 1994-11-14 株式会社東芝 中間電位発生回路
JP3381937B2 (ja) * 1992-05-22 2003-03-04 株式会社東芝 中間電位発生回路

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