KR840008091A - Mos트랜지스터 증폭기 - Google Patents

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미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음.

Description

MOS트랜지스터 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 부하에다 본 발명에 따른 C-MOS(Complementary MOS) 트랜지스터를 사용한 차동 증폭기의 회로도.
제7도는 제6도에 도시한 차동 증폭기의 직류 입출력 특성을 표시한 도표.
제10도는 부하에다 C-MOS 트랜지스터를 사용하고 기타 부분에는 P-MOS 트랜지스터를 사용한 차동 증폭기의 회로도.

Claims (16)

  1. 증폭 소자로서 사용한 제1 MOS 트랜지스터와 상기의 증폭 트랜지스터의 부하로서 사용한 제2의 MOS 트랜지스터에서 상기 제2의 MOS 트랜지스터와 상보(相補 complomentary)가 되는 제3의 MOS 트랜지스터를 상기 제2의 MOS 트랜지스터와 렬병로 연결하고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극은 바이어스를 걸기 위하여 소정의 전위에다 연결한 것을 특징으로 하는 증폭기 회로.
  2. 상기 제1의 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터는 P-MOS 트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극을 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 연결하고, 제3의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극에 연결하며 그리고 또 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극에 연결하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위에 따르는 증폭기 회로.
  3. 상기 제1의 MOS 트랜지스터는 P-MOS 트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS 트랜지스터는 P-MOS 트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극을 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극에 연결하고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 소오수 전극에 연결하며 그리고 또 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 제3의 MOS 트랜지스터 소오스 전극에 연결한 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 1에 따르는 증폭회로.
  4. 상기 제1의 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터는 P-MOS 트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극에 연결하고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 소오스전극을 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 연결하며 그리고 또 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극을 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 연결한 것을 특징으로 하는 특허청구범위 1에 다르는 증폭회로.
  5. 상기 제1의 MOS 트랜지스터는 P-MOS 트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS 트랜지스터는 P-MOS 트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터는 N-MOS 트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극에 연결하고 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극을 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 연결하며 그리고 또 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 소오스 전극을 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 연결하는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 1에 따르는 증폭회로.
  6. 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 또한 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 1에 따르는 증폭회로.
  7. 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 또한 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 2에 따르는 증폭회로.
  8. 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 3에 따르는 증폰회로.
  9. 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 4에 따르는 증폰회로.
  10. 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고, 상기 제3의 MOS 트랜지스터 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 5에 따르는 증폭회로.
  11. 그들의 소오스 전극이 서로 연결되어 있는 제1 MOS 트랜지스터와 제2 MOS 트랜지스터, 그리고 그의 드레인 전극이 상기 제1과 제2의 MOS 트랜지스터 소오스 전극에 연결된 제3의 MOS 트랜지스터, N형인 제4의 MOS 트랜지스터와 P형인 제5의 MOS 트랜지스터가 서로 병렬로 연결 되어서 형성된 C-MOS 트랜지스터가 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 부하로서 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된고 또 N형인 제6의 MOS 트랜지스터와 P형인 제7의 MOS 트랜지스터가 서로 병렬로 연결 되어서 형성된 C-MOS 트랜지스터가 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 부하로서 제2의 MOS 트랜지스터 드레인에 연결되어서 구성되는 것을 특징으로 하는 차등 증폭회로.
  12. 상기 제1과 제2 그리고 제3의 MOS 트랜지스터가 각각 N형의 MOS 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 11에 따르는 차동 증폭회로.
  13. 상기 제1과 제2 그리고 제3의 MOS 트랜지스터가 각각 P형의 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 11에 따르는 차동 증폭회로.
  14. 상기 제4와 제6의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 상기 제5와 제7의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 11의 차동 증폭회로.
  15. 상기 제4와 제6의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 상기 제5와 제7의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 12의 차동 증폭회로.
  16. 상기 제4와 제6의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 전원에 연결되고 상기 제5와 제7의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극이 공통 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 특허청구범위 13의 차동 증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840000735A 1983-02-18 1984-02-16 Mos 트랜지스터 증폭기 KR900000992B1 (ko)

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JP58024558A JPS59151510A (ja) 1983-02-18 1983-02-18 Ｃ−ｍｏｓ負荷型増幅器
JP58-24558 1983-02-18

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KR900000992B1 KR900000992B1 (ko) 1990-02-23

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JPS59151510A (ja) 1984-08-30
KR900000992B1 (ko) 1990-02-23
EP0121688B1 (en) 1987-05-20
US4563654A (en) 1986-01-07
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