KR900000992B1 - Mos 트랜지스터 증폭기 - Google Patents

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KR900000992B1 KR1019840000735A KR840000735A KR900000992B1 KR 900000992 B1 KR900000992 B1 KR 900000992B1 KR 1019840000735 A KR1019840000735 A KR 1019840000735A KR 840000735 A KR840000735 A KR 840000735A KR 900000992 B1 KR900000992 B1 KR 900000992B1
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가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음.

Description

MOS 트랜지스터 증폭기
제1도는 종래의 부하저항을 갖는 차동증폭기의 회로도.
제2도는 제1도의 차동증폭기의 직류 입출력특성을 도시한 도면.
제3도는 종래의 부하 NMOS 트랜지스터를 갖는 차동 증폭기의 회로도.
제4도는 제3도의 차동증폭기의 직류 입출력특성을 도시한 도면.
제5도는 종래의 NMOS트랜지스터의 ON저항특성곡선을 도시한 도면.
제6도는 본 발명에 따른 부하 CMOS트랜지스터를 갖는 차동증폭기의 회로도.
제7도는 제6도의 차동증폭기의 직류 입출력특성을 도시한 도면.
제8도는 PMOS 트랜지스터의 ON저항특성곡선을 도시한 도면.
제9도는 CMOS트랜지스터의 ON저항특성곡선을 도시한 도면.
제10도는 부하 CMOS트랜지스터와 그 이외의 부분에 PMOS트랜지스터를 갖는 차동증폭기의 회로도.
제11도는 제10도의 차동증폭기의 직류 입츌력특성 곡선을 도시한 도면.
제12도는 부하 CMOS트랜지스터와 부하구동용 NMOS 트랜지스터를 갖는 반전증폭기의 회로도.
제13도는 부하 CMOS 트랜지스터와 부하구동용 PMOS 트랜지스터를 갖는 반전증폭기의 회로도.
제14도 및 제15도는 각각 부하 CMOS 트랜지스터를 갖는 차동 소오스폴로워 증폭기의 회로도.
제16도는 CMOS 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 바이어스 전압공급회로의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전원단자 3, 31 : 출력단자
4 : 신호입력단자 22, 23 : NMOS트랜지스터
8, 81 : PMOS 트랜지스터 42 : 입력기준 바이어스 전원
52, 53 : 부하구동용 PMOS 트랜지스터 61 : 정전류원용, PMOS 트랜지스터
71 : 바이어스 전원 100, 101 : 전원
본 발명의 MOS트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Transistor)를 사용하는 증폭기에 관한 것이다.
최근, MOS 트랜지스터를 사용하여 아날로그신호를 처리하는 고밀도 집적회로(IC)와 대규모 집적회로(LSI)가 사용되고 있다. 텔레비젼신호내에 혼입되어 있는 고스트를 제거하기 위해서 비디오신호의 파형을 등화하는 CCD(Charge Coupled Device)트랜스버설필터를 내장한 LSI도 역시 MOS아날로그 LSI의 한가지이다. 이 트랜스버설 필터는 입력신호에 대한 증폭기의 아날로그신호의 이득을 제어하는 회로를 포함하고 있다. 텔레비젼신호에 혼입되어 있는 고스트는 비디오신호(원하는 신호)와 같은 극성인 것 뿐만 아니라 역극성인 것도 있으므로 고스트를 제거하기 위해서 입력 비디오신호에 대해서 역상 또는 동상으로 증폭된 비디오신호의 이득을 적절하게 제어할 필요가 있으며, 따라서 2가지의 제어신호를 사용할 필요가 있다. 이러한 요구를 충족하기 위해서는 IC화에 적합한 1입력 2출력의 증폭기, 즉 출력파형이 서로 같으면서 동상 및 역상 출력신호를 갖는 증폭기가 필요하게 된다.
제1도는 공지의 저항부하를 갖는 차동증폭기의 회로도이다. 동일 도면에서, (1)은 전원단자(전압=+VDD), (2)와 (21)은 부하저항, (3)은 입력신호에 대하여 역상인 신호를 출력하는 출력단자, (31)은 입력신호와 동상인 신호를 출력하는 출력단자, (4)는 신호입력단자, (41)은 기준 바이어스전원(전압=+VBB), (5)와 (51)은 입력신호를 증폭하여 부하를 구동하는 NMOS 트랜지스터, (6)은 정전류원용 NMOS 트랜지스터, (7)은 NMOS 트랜지스터(6)의 게이트 바이어스전원이다. 입력단자(4)는 NMOS 트랜지스터(5)의 게이트전극에 연결되어 있다. 바이어스 전원(7)의 양극은 NMOS 트랜지스터(6)의 게이트전극에 연결되어 있고, 기준 바이어스 전원 (41)의 양극은 NMOS트랜지스터(51)의 게이트 전극에 연결되어 있다.
제1도의 차동증폭기는 증폭률의 선형성에 매우 우수하지만, 소비전력이 적고 큰 전압이득을 얻기 위해서는 부하저항의 값을 큰 값으로 선정할 필요가 있다. 따라서 큰 값을 갖는 각 저항은 IC 칩상에서 넓은 면적을 필요로하고, 따라서 칩의 면적이 크게 된다. 그러므로, IC칩 내에 큰 값의 저항을 형성하는 것은 적합하지 않다.
다음에 이에 관해서 더 상세하게 설명한다. 제2도는 제1도의 차동증폭기의 직류 입출력특성을 도시한 것이다. 횡축은 입력전압 Vin을 표시하고, 종축은 출력전압 Vout를 표시하며, V1은 역상 출력신호, V2는 동상 출력신호를 나타낸다. 역상출력신호 V1과 동상출력신호 V2사이의 교차점에서 입력전압 Vin은 입력 기준 바이어스 전압(=+VBB)으로 된다. 이 차동증폭기를 실제적인 사용범위는 출력 V1과 V2의 교차점 부근이며, 그 부근의 경사는 증폭기의 이득을 나타낸다. 출력 V1과 V2파형의 기울기의 크기가 같고 일정하기 때문에, 출력신호의 파형은 입력신호의 파형과 대략 유사하여 양호한 선형성을 달성할 수 있다. 그러나, 큰 전압 이득을 얻기 위해서는 부하저항의 값이 반드시 커야한다.
전압이득 AV는 다음의 식으로 표시할 수 있다.
Figure kpo00001
여기서, Gm은 구동 MOS 트랜지스터의 상호 콘덕턴스이고, RL은 부하정항의 값이며, +와 -의 부호는 각각 동상 출력과 역상출력을 표시한다. 상호 콘덕턴스 Gm의 값은 사용화는 구동 MOS 트랜지스터에 의해서 실질적으로 일정하기 때문에, 큰 이득을 얻기 위해서는 부하저항 RL의 값을 크게 해야 한다. 일반적으로 수 dB이상의 이득을 얻기 위해서 부하저항의 값은 수 KΩ인 것을 선택하여야 한다.이와 같은 값의 부하저항을 IC칩위에 형성하면 칩상의 점유면적이 저항에 의해서 크게 되고, 또 실제의 저항값도 목표값에서 크게 벗어나게 된다. 따라서, 양호한 특성을 갖는 회로를 만드는 것이 어렵게 되기 때문에 IC내에 큰 값의 저항을 사용하는 것은 적합하지 못하다. 제3도는 부하저항 대신에 NMOS 트랜지스터를 부하로써 사용한 차동증폭기의 다른 회로도를 도시한 것이다.
제3도에 있어서(22)와 (23)은 부하용 NMOS 트랜지스터를 나타낸다. NMOS트랜지스터(22)와 (23)의 게이트전극은 전원단자(1)에 연결되어 있다. 제3도의 차동증폭기는 부하로써 저항을 사용하지 않기 때문에 크기를 작게 할 수가 있다. 그러나, 제1도의 차동증폭기에 비해서 그 선형성이 매우 저하된다. 그 이유를 다음에 설명한다.
제4도는 제3도의 차동증폭기의 직류 입출력특성을 도시한 것이다. 횡축은 입력전압 Vin을 표시하고, 종축은 출력전압 Vout를 표시하며, V3은 역상출력, V4는 동상출력을 표시한다. 입력전압은 출력 V3과 V4가 서로 교차하는 곳에서 입력 기준 바이어스전압(=VBB)으로 된다. 제2도의 특성곡선과 비교해서 제4도의 곡선은 교차점에서 횡축방향에 대해서 비대칭으로 되어 있다. 다시 말하면, 출력곡선 V3과 V4의 기울기가 일정하지 않기 때문에, 예를들면 입력전압과 출력전압사이의 비가 일정하지 않기 때문에 선형성이 나쁘다.
제5도는 부하용 NMOS트랜지스터의 저항특성곡선을 도시한 것이다. 횡축은 각 NMOS트랜지스터의 드레인 전극과 소오스전극사이의 전압 VDS를 표시하고, 종축은 NMOS 트랜지스터의 드레인 전극과 소오스전극 사이의 ON 저항 Ron-n을 표시한다. 제3도의 차동증폭기의 입력단자에 신호가 인가되면 부하구동 MOS트랜지스터(5)와 (51)의 드레인-소우스사이의 전압이 변화되고, 또 결과적으로 부하 MOS트랜지스터(22)와(23)의 드레인-소오스사이의 전압 VDS가 변화하게 된다. 제5도에서 명백한 바와 같이 부하 MOS트랜지스터의 ON저항 Ron-n 드레인-소오스전압 VDS가 변화되는 것에 따라 변화된다. 따라서, 입력전압의 값에 의해서 부하 트랜지스터의 저항값이 변화된다. 이 때문에 식(1)로 표시되는 전압 이득 AV는 일정하지 않게 되어 제3도의 차동증폭기의 선형성이 저항부하를 사용한 제1도의 차동증폭기의 선형성에 비해서 나쁘게 된다.
본 발명의 목적은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로써, 선형성이 우수하고, 집적회로화에 적합한 MOS트랜지스터로 된 증폭회로를 제공하는 것이다.
본 발명은 CMOS(상보형 MOS)트랜지스터로 형성된 부하회로의 MOS트랜지스터 증폭기를 마련하는 것에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 및 그외의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면으로 명확하게 될 것이다.
이하 본 발명의 구성에 대해서 실시예와 함께 설명한다. 제6도는 본 발명의 하나의 실시예의 회로도이다. 제6도에서 부하용 PMOS(P채널 MOS)트랜지스터(8)과 (81)의 소오스전극 및 드레인전극은 각각 NMOS트랜지스터(22)와(23)의 드레인전극 및 소오스전극에 병렬로 연결되어 있고, 그들의 게이트전극은 공통적인(접지전위)에 연결되어 있다. 부하용 PMOS트랜지스터(8) 및 (81)과 부하용 NMOS트랜지스터(22) 및 (23)은 트랜지스터(5) 와 (51)로 형성된 차동증폭기의 부하가 되는, 소위 CMOS트랜지스터를 형성한다. 제7도는 제6도에 도시한 차동증폭기의 입출력 특성곡선을 도시한 것으로써 횡축은 입력전압 Vin, 종축은 출력전압 Vout, V5는 역상출력전압, V6은 동상 출력전압을 표시한다. 제7도의 특성은 제1도 및 제2도에 도시한 저항부하를 갖는 종래의 차동증폭기의 특성과 거의 비슷하다. 이와 같이 되는 이유를 다음에 설명한다.
NMOS 트랜지스터를 부하로써 사용하면, 입력신호 Vin의 값에 의해서 NMOS트랜지스터의 ON저항 Ron=n이 변화된다. 이 때문에 본 발명에 의하면, 제8도의 ON저항 특성을 갖는 PMOS트랜지스터를 부하로써 CMOS트랜지스터를 형성하기 위해서 부하 CMOS트랜지스터에 병렬로 연결한다.
CMOS트랜지스터의 ON저항특성을 제9도에 도시하였다. 제9도에서 CMOS 트랜지스터의 ON저항 Ron-c의 값은 제9도에서 알 수 있는 바와 같이 그렇게 많이 변화하지 않거나 또는 실질적으로 입력 전압 Vin 또는 드레인-소오스전압 V5가 변화하여도 거의 일정하다. 따라서, 부하용 CMOS트랜지스터를 갖는 차동증폭기는 저항부하를 갖는 차동증폭기의 선형성과 같은 선형성을 갖는다.
제10도는 본 발명의 다른 실시예의 차동증폭기의 회로도로써 부하구동용 트랜지스터(52) 및 (53)정전류원 트랜지스터(61)에 PMOS트랜지스터를 사용하였다. 제10도에 있어서, (42)는 입력기준바이어스전원(+VBB),(52) 및 (53)은 부하구동용 PMOS트랜지스터, (61)은 정전류원용 PMOS트랜지스터, (71)은 PMOS트랜지스터(61)의 바이어스 전원이다.
제11도는 제10도에 도시한 차동증폭기의 직류입출력 특성곡선을 도시한 것이다. 종축은 출력전압 Vout를, 횡축은 입력전압 Vin을, V7은 역상출력, V8은 동상출력을 표시한다. 제10도에 도시한 차동증폭기는 NMOS트랜지스터와 역동작인 PMOS트랜지스터를 구동용 부하와 정전류원을 만드는데 사용하였기 때문에, 직류출력 Vout는 낮지만, 선형성이 제11도에 도시한 바와같이 제6도의 차동증폭기와 동일하게 된다. 제10도의 차동증폭기의 이득은 CMOS트랜지스터의 게이트의 치수를 적당하게 선정하므로써 결정된다. 그들의 전력소모는 제6도의 차동증폭기와 마찬가지로 적다.
제12도는 본 발명의 또 하나의 실시예인 단일 증폭기를 도시한 것이다. 제12도에서, (1)은 전원공급단자, (22)와 (8)은 부하회로써 NMOS와 PMOS트랜지스터, (3)은 역상출력신호가 출력되는 출력단자, (4)는 신호입력단자, (5)는 부하구동용 NMOS트랜지스터이다.
제12도의 반전증폭기(인버터)는 부하로써 CMOS 트랜지스터의 ON저항 Ron-c가 일정하기 때문에 이 인버터의 선형성은 저항부를 갖는 증폭기와 실질적으로 동일하다. 또한, CMOS 트랜지스터(8)과 (22)의 저항값은 CMOS트랜지스터의 게이트의 치수를 적절히 선정하므로써 결정할 수 있고, 게이트치수를 적게 하면 결과적으로 회로의 전력소모를 적게 할 수가 있다.
제13도는 부하구동용 트랜지스터로써 사용된 PMOS트랜지스터의 또 다른 실시예의 반전증폭기의 회로도이다.
제13도의 반전증폭기에서도 역기 ON저항의 거의 일정한 CMOS트랜지스터를 부하로써 사용하고 있으므로, 선형성이 매우 우수하다. 부하의 값은 부하용 CMOS트랜지스터의 게이트의 수치를 적절히 작게하므로써 비교적 크게할 수가 있다.
본 발명에 따르면, 부하로써 CMOS트랜지스터를 사용하였기 때문에, 비교적 큰 부하저항값을 간단하게 얻을 수가 있어 전력소모를 줄일 수가 있다. 또, CMOS트랜지스터의 부하는 거의 일정한 ON저항을 갖고 있기 때문에, 그 선형성이 저항부하를 갖는 회로와 실질적으로 동일하다. 또한, 본 발명의 증폭회로는 오직 MOS트랜지스터에 의하여 형성되기 때문에 IC화할때에 회로의 점유면적을 작게할 수가 있다.
제14도와 제15도는 본 발명의 또 다른 실시예로써, 소오스플로워 형태의 다른 트랜지스터 증폭기를 도시한 것이다. 제14도에서 CMOS트랜지스터(8)과 (22)는 NMOS트랜지스터(5)의 소오스전극에 연결되어 있다. 제15도에서 CMOS 트랜지스터(8)과 (22)는 PMOS트랜지스터(52)의 소오스전극에 연결되어 있다. 제14도와 제15도의 전류 증폭율의 선형성은 매우 우수하다.
제16도는 CMOS트랜지스터의 게이트에 바이어스전압을 공급하기 위한 바이어스전압 공급회로를 도시한 것이다. 제16도에서 전원(100)은 PMOS트랜지스터(8(81))의 게이트 전극에 연결되어 있고, 전원(101)은 NMOS트랜지스터(22)(23)의 게이트전극에 연결되어 있다. 제16도에 도시한 바이어스회로는 제12도, 제13도, 제14도 및 제15도의 회로에 사용할 수가 있다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지로 변경 가능한 것은 물론이다.

Claims (17)

  1. 증폭소자로써 사용된 제1의 MOS트랜지스터(5,51)과 상기 제1의 MOS트랜지스터의 부하로써 사용된 제2의 MOS트랜지스터(22,23)을 가지며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 제2의 MOS트랜지스터를 바이어스하기 위해 제1의 소정의 전위(+VDD)에 연결되는 증폭기에 있어서, 제3의 MOS트랜지스터(8,81)은 상기 제2의 MOS트랜지스터와 병렬로 연결되고, 상기 제2 및 제3의 MOS트랜지스터는 상보형 트랜지스터이며, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트전극은 바이어스를 걸기 위해 제2의 소정의 전위에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 MOS트랜지스터(5,51)은 NMOS트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS트랜지스터(22,23)은 NMOS트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS트랜지스터(8,81)은 PMOS 트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 소오스 전극은 상기 제1의 MOS트랜지스터의 드레인전극에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 드레인전극은 상기 제2의 MOS트랜지스터의 소오스전극에 연결되며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 드레인전극은 상기 제3의 MOS트랜지스터의 소오스전극에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 MOS트랜지스터는 PMOS트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS트랜지스터는 PMOS트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS트랜지스터는 NMOS트랜지스터이며 상기 제2의 MOS트랜지스터의 소오스 전극은 상기 제1의 MOS트랜지스터의 드레인전극에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 드레인전극은 상기 제2의 MOS트랜지스터의 소소스전극에 연결되며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 드레인전극은 상기 제3의 MOS트랜지스터의 소오스전극에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 MOS트랜지스터는 NMOS트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS트랜지스터는 NMOS트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS트랜지스터는 PMOS트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 드레인전극은 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소오스전극에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 소오스전극은 상기 제2의 MOS트랜지스터의 드레인전극에 연결되며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 소오스전극은 상기 제3의 MOS트랜지스터의 드레인전극에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 MOS트랜지스터는 PMOS트랜지스터이고, 상기 제2의 MOS트랜지스터는 PMOS트랜지스터이고, 상기 제3의 MOS트랜지스터는 NMOS트랜지스터이며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 드레인전극은 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소오스전극에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 소오스전극은 상기 제2의 MOS트랜지스터의 드레인전극에 연결되며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 소오스전극은 상기 제3의 MOS트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  6. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 제2의 MOS트랜지스터(22,23)의 게이트전극이 전원(+VDD)에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터(8,81)의 게이트전극이 상기 증폭기의 공통전위(접지전위)에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  7. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고 또한 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트 전극이 상기 증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  8. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  9. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  10. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  11. 소오스전극이 서로 연결되어 있는 제1의 MOS트랜지스터(52)와 제2의 트랜지스터(53), 드레인전극이 상기 제1과 제2의 MOS트랜지스터의 소오스전극에 연결된 제3의 MOS트랜지스터(61)을 갖는 차동증폭기에 있어서, N형인 제4의 MOS트랜지스터(22)와 P형인 제5의 MOS트랜지스터(8)이 서로 병렬로 연결되어 형성된 CMOS트랜지스터가 상기 제1의 MOS트랜지스터(52)의 부하로써 제1의 MOS트랜지스터의 드레인전극에 연결되고, N형인 제6의 MOS트랜지스터(23)과 P형인 제7의 MOS트랜지스터(81)이 서로 병렬로 연결되어 형성된 CMOS트랜지스터가 상기 제2의 MOS트랜지스터(53)의 부하로써 제2의 MOS트랜지스터의 드레인에 연결되어 구성된 것을 특징으로 하는 차동증폭기.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3의 MOS트랜지스터가 각각 N형의 MOS트랜지스터로 형성된 것을 특징으로 하는 차동증폭기.
  13. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3의 MOS트랜지스터가 각각 P형의 트랜지스터로 형성된 것을 특징으로 하는 차동증폭기.
  14. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제4와 제6의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고, 상기 제5와 제7의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 차동증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 차동증폭기.
  15. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 제4와 제6의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고, 상기 제5와 제7의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 차동증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 차동증폭기.
  16. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 제4도와 제6도의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 전원에 연결되고, 상기 제5와 제7의 MOS트랜지스터의 게이트전극이 상기 차동증폭기의 공통전위에 연결된 것을 특징으로 하는 차동증폭기.
  17. 증폭소자로써 제1의 MOS트랜지스터의 게이트에 인가된 입력신호 Vin으로 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소오스 게이트 경로에 결합된 출력단자에 증폭된 출력신호를 마련하는 제1의 MOS트랜지스터와 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소오스 드레인 경로와 직렬로 결합되고 상기 제1의 MOS트랜지스터의 부하로써 사용되는 CMOS트랜지스터를 포함하며, 상기 CMOS트랜지스터는 P 형의 제2의 MOS트랜지스터와 상기 제2의 MOS트랜지스터에 병렬로 결합된 N형의 제3의 MOS트랜지스터를 포함하며, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 게이트 전극이 상기 제2의 MOS트랜지스터를 바이어스 하기 위해 제1의 소정의 전위에 결합되고, 상기 제3의 MOS트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3의 MOS트랜지스터를 바이어스 하기 위해 제2의 소정의 전위에 결합되며, 상기 CMOS트랜지스터는 상기 입력번호 Vin의 변화에 따라 일정한 ON-저항 Ron-c를 갖는 증폭기.
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