KR880014568A - 기준 전위 발생회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

기준 전위 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 기준 전위 발생회로를 도시해 놓은 회로도, 제2도는 전원 전압에 의해 제1도에 도시된 기준 전위 발생회로로부터 기준 전위의존성을 설명하기 위한 도면, 제3도는 임계전압에 의해 제1도에 도시된 기준 전위 발생회로로부터 기준 전위의존성을 설명하기 위한 도면.

Claims (10)

  1. 기준 전압으로 사용되는 출력 전압을 발생시키도록 제1전위 공급원(VSS)과 제2전위 공급원(VDD) 사이의 전압을 분할시킬 수 있는 기준 전위 발생회로에 있어서, 소오스가 제1전위 공급원(VSS)에 접속되면서 드레인과 게이트가 상호적으로 접속되는 성장형 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)와, 드레인이 제2전위 공급원(VDD)에 접속되면서 게이트가 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 게이트 사이의 접속점에 접속되는 결핍형 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1) 및, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 접속되는 전압 분할수단(11)이 구성된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전위 공급원이 접지단자(VSS)이고 상기 제2전위 공급원이 전원단자(VDD)인 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로
  3. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할수단(11)이, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 직렬로 접속되면서 각기 드레인과 게이트가 상호적으로 접속되는 복수개의 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q2∼Q7)로 구성되어 , 상기 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q2∼Q7)의 접속점으로부터 출력 전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할수단(11)이, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 직렬로 접속되는 복수개의 저항소자(R1∼R6)로 구성되어, 상기 저항소자(R1∼R6)의 접속점으로부터 출력 전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할수단(11)이, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 직렬로 접속되면서 각기 통전 상태로 셋팅되도록 게이트가 접지단자(VSS)에 접속되는 복수개의 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q16∼Q21)로 구성되어, 상기 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q16∼Q21)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할수단(11)이, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 접속되면서 각기 통전 상태로 셋팅되도록 게이트가 전원단자(VDD)에 접속되는 복수개의 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q22∼Q27)로 구성되어, 상기 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터Q22∼Q27)의 접속점으로부터 출력 전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할수단(11)이, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 직렬로 접속되면서 각기 소오스와 게이트가 상호적으로 접속되는 복수개의 결핍형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q28∼Q33)로 구성되어, 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q28∼Q33)의 접속점으로부터 출력 전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할수단(11)이, 상기 제1절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스 사이에 직렬로 접속되는 복수개의 다이오드(D1∼D6)으로 구성되어, 상기 다이오드(D1∼D6)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  9. 제1항에 있어서, 감지 증폭회로의 기준 전압(VREF)을 발생시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q1)의 소오스와 상기 제1전위 공급원(VSS) 사이에 접속되는 드레인-소오스 통로를 갖춘 성장형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q34)와, 상기 성장형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Q34)의 드레인과 게이트가 일단에 접속되면서 상기 제2전위 공급원(VDD)이 타단에 접속되는 부하수단(12)이 구비된 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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