KR920010633A - 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예,
제5도는 본발명의 제2실시예.

Claims (13)

  1. 소정의 일정전압을 출력하는 전압회로와, 상기 기준전압회로의 출력을 하나의 입력으로 받는 차동증폭기와, 상기 차동증폭기의 출력에 게이트가 접속된고 전원전압단과 기준전압 출력단 사이에 채널이 연결된 모오스 트랜지스터를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 기준전압출력단을 입력하고 하고 상기 차동증폭기의 다른 하나의 입력에 출력선이 연결된 분압수단을 구비하고, 상기 분압수단이 포화영역에서 동작하며 상기 기준전압출력단과 상기 출력선 사이에 연결된 모오스형 부하수단과, 상기 출력선과 접지전압단 사이에 연결된 저항수단으로 구성됨을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저항수단이 6000Å이하의 두께를 가지는 다결정실리콘으로 되거나, 반도체 기판내에 형성된 확산영역으로 됨을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부하수단이 상기 기준전압출력단에 채널의 일단이 접속되고, 상기 출력선에 게이트와 채널의 타단이 공통접속된 모오스 트랜지스터로 될 수 있음을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 채널의 일단의 기판에 접속될수도 있음을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 부하수단의 채널의 일단이 기판에도 접속될수 있음을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 분압수단과 출력선 사이에 다른 하나의 저항이 구비될수 있음을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다른 하나의 저항이 6000Å 이하의 두께를 가지는 반도체 기판내에 형성된 확산 영역으로 됨을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  8. 하나의 차동증폭기를 구비하는 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로에 있어서, 소정의 일정전압을 상기 차동증폭기의 하나의 입력으로 제공하는 전압회로와, 상기 소정의 일정전압에 비례하는 전위를 가지는 기준전압출력단과, 상기 기준전압출력단에 연결되고 상기 기준전압 출력단의 전위에 반비례하는 저항값을 가지는 부하수단을 최소한 가지며 출력선이 상기 차동증폭기의 다른 하나의 입력에 연결된 분압수단을 구비한 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 부하수단이 포화영역에서 동작하는 모오스트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 기준전압출력단의 전위가 최소한 상기 소정의 일정전압의 전위보다 크며, 상기 소정의 일정전압에는 비례하고 상기 부하수단의 저항에는 반비례함을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  11. 제8항, 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 부하수단이 채널의 일단이 상기 기준전압출력단에 접속되고 게이트와 채널의 타단이 상기 분압수단의 출력선에 접속되어 있는 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  12. 제8항에 있어서, 상기 차동증폭기의 출력에 게이트가 접속되고 상기 기준전압출력단과 전원전압단 사이에 체널이 연결된 구동용 피모오스트랜스지스터가 설계되어 있음을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  13. 제8항에 있어서, 상기 출력선과 접지전압단 사이에 소정두께의 다결정 실리콘 도는 기판내의 확산영역으로 이루어진 저항이 연결됨을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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