KR100799836B1 - 온도 변화에 둔감한 출력 보상 회로 - Google Patents

온도 변화에 둔감한 출력 보상 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 외부의 온도가 변화해도 일정하게 전기적인 동작을 수행하는 온도변화에 둔감한 출력 보상 회로에 관한 것이다.
본 발명은 기설정 전압의 레벨을 주변의 온도에 따라 가변하는 구동전원으로 변환하는 전압 변환 회로와, 상기 전압 변환 회로로부터의 구동 전원을 전달받아 온도 변화에 따라 상기 구동전원과 상보적으로 발생하는 전기적 특성 변동을 상쇄하여 사전에 설정된 전기적인 동작을 수행하는 능동회로를 포함한다.
증폭기, 온도 변화, 온도 보상, 게인 유지

Description

온도 변화에 둔감한 출력 보상 회로{OUTPUT COMPENSATION CIRCUIT INSENSITIVE TEMPERATURE CHANGE}
도 1은 종래의 증폭회로를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 출력보상회로를 개략적으로 나타낸 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 출력보상회로의 일 실시형태를 나타내는 회로도.
도 4는 본 발명에 따른 출력보상회로의 다른 실시형태를 나타내는 회로도.
도 5는 본 발명에 따른 출력보상회로의 각 부분의 출력 전압을 나타내는 그래프.
<도면의 주요 부호에 대한 상세한 설명>
100,200...출력보상회로 110,210...전압 변환 회로
111,211...전압 생성부 112,212...전압 반전부
113,213...레귤레이터부 120...능동회로
112a,212a...전압 반전기 212b...전압 가산기
113,213...레귤레이터부 121,221...증폭기
본 발명은 온도변화에 둔감한 출력 보상 회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부의 온도가 변화해도 일정하게 전기적인 동작을 수행하는 온도변화에 둔감한 출력 보상 회로에 관한 것이다.
근래들어, 무선통신의 효용성이 증가하면서 다양한 분야에서 유선과 무선을 통합한 형태의 연결망이 구축되고 있다. 이러한 연결망에는 유무선으로 신호를 송수신하는 송수신기가 사용되며, 상기 송수신기에는 입력되는 신호의 전압을 사용하고자 하는 전압레벨로 증폭하는 증폭회로가 필수적으로 사용된다.
도 1은 종래의 증폭회로를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 증폭회로는 정전압을 출력하는 밴드갭 레퍼런스(10), 상기 정전압에 전류를 인가하여 출력하는 레귤레이터(20), 사전에 설정된 레벨로 전압을 증폭하는 증폭기(30)로 구성된다.
밴드갭 레퍼런스(10)는 입력받은 전압원(Vsource)을 사전에 설정된 정전압으로 변환하여 출력한다. 출력된 정전압은 출력버퍼(20)를 통해 상기 정전압에 사전에 설정된 전류가 인가되어 증폭기(30)에 구동 전원으로 공급된다. 증폭기(30)는 상기 구동 전원을 입력받아 증폭 동작을 수행한다. 즉, 증폭기(30)는 소정의 신호를 입력받아 상기 소정의 신호를 사전에 설정된 전압 레벨을 갖는 신호로 증폭하여 출력한다.
이러한, 증폭기(30)는 주변의 온도 변화에 게인(gain)이 변동하는 특성이 있 다. 즉, 예를 들어, 주변의 온도가 25℃일 때 증폭기(30)의 게인이 25dB 라면, 주변의 온도가 -40℃일 때는 증폭기(30)의 게인이 30 내지 32 dB로 올라가고, 주변의 온도가 80℃일 때는 증폭기(30)의 게인이 20dB 정도로 내려가는 특성이 있다.
이는 신호를 필요 이상으로 증폭시키거나 또는 증폭된 신호가 사용할 수 없을 정도로 크기가 미약해서 증폭기 이후에 연결되는 신호처리회로의 신호 처리 기능을 저하시키거나, 신호 처리 자체를 못하는 문제점이 있다.
이를 개선하기 위해, 기존에는 종래의 증폭 회로에 온도 센서, 아날로그 디지털 변환기, 비교기 등을 추가적으로 연결하여 주변 온도에 따른 증폭기의 게인 변화를 보정하려는 시도가 있었으나, 이는 회로 구성이 복잡하고 제작 비용이 증가하는 문제점이 발생하여 새로운 증폭 회로의 필요성이 대두된다.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 외부의 온도가 변화해도 일정하게 전기적인 동작을 수행하는 온도변화에 둔감한 출력 보상 회로를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 온도변화에 둔감한 출력 보상 회로는 기설정 전압의 레벨을 주변의 온도에 따라 가변하는 구동전원으로 변환하는 전압 변환 회로와, 상기 전압 변환 회로로부터의 구동 전원을 전달받아 온도 변화에 따라 상기 구동전원과 상보적으로 발생하는 전기적 특성 변동을 상쇄하여 사전에 설정된 전기적인 동작을 수행하는 능동회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 전압 변환 회로는 주변의 온도에 따라 기설정 전압의 레벨을 변환한 변환 전압을 생성하는 전압 생성부와, 상기 전압 생성부로부터의 변환 전압의 레벨을 반전시키는 전압 반전부와, 상기 전압 반전부로부터의 전압을 사전에 설정된 전류를 포함한 구동 전원으로 변환하여 출력하는 레귤레이터부를 포함할 수 있으며, 상기 능동회로는 상기 전압 변환 회로로부터의 구동 전원을 전달받아 온도 변화에 따라 발생하는 증폭율 변동을 상쇄하여 일정한 증폭 동작을 수행하는 증폭기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 전압 생성부는 주변의 온도가 높으면 상기 기설정 전압의 레벨을 감소시키고, 주변의 온도가 낮으면 상기 기설정 전압의 레벨을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 전압 생성부는 주변의 온도가 높으면 상기 기설정 전압의 레벨을 감소시키고, 주변의 온도가 낮으면 상기 기설정 전압의 레벨을 증가시키는 전압 변환기와, 상기 기설정 전압을 변환하여 사전에 설정된 기준 전압을 제공하는 기준 전압 생성기를 포함할 수 있다.
이에 더하여, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 전압 반전부는 상기 전압 변환기로부터의 변환된 전압과 상기 기준 전압 생성기로부터의 기준 전압을 가산하여, 가산된 전압의 레벨을 반전시키는 전압 반전기를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 전압 생성부는 주변의 온도가 높으면 상기 기설정 전압의 레벨을 감소시키고, 주변의 온도가 낮으면 상기 기설정 전압의 레벨을 증가시키는 전압 변환기와, 상기 기설정 전압을 변환하여 상기 전압 반전부를 구동시키는 구동전압과 사전에 설정된 기준 전압을 제공하는 기준 전압 생성기를 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 전압 반전부는 상기 구동전압을 전달받아 상기 전압 변환기로부터의 변환된 전압의 레벨을 반전시키는 전압 반전기와, 상기 전압 반전기로부터의 반전된 전압과 상기 기준 전압을 가산하는 전압 가산기를 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들에 대해 보다 상세하게 설명하도록 한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략하도록 한다.
도 2는 본 발명에 따른 출력보상회로의 개략적인 구성을 나타내는 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 출력보상회로(100)는 전압 변환 회로(110) 및 능동회로(120)를 포함한다.
전압 변환 회로(110)는 주변의 온도에 따라 사전에 설정된 전압(Vs)의 레벨 을 변환한 구동전원을 능동회로(120)에 전달한다.
능동회로(120)는 전압 변환 회로(110)로부터 구동전원을 전달받아 소정의 동작을 수행한다.
전압 변환 회로(110) 및 능동회로(120)의 세부적인 구성을 설명하면, 먼저, 전압 변환 회로(110)는 전압 생성부(111), 전압 반전부(112) 및 레귤레이터부(113)을 포함한다.
전압 생성부(111)는 외부의 전압원으로부터 사전에 설정된 전압(Vs)을 입력받아 주변의 온도에 따라 상기 사전에 설정된 전압의 레벨을 변환시킨 온도에 따라 변환된 변환 전압을 전압 반전부(112)에 전달한다.
전압 반전부(112)는 전압 생성부(111)로부터 변환 전압을 입력받아 상기 변환된 전압을 반전시켜 레귤레이터부(113)에 전달한다.
레귤레이터부(113)는 전압 반전부(112)로부터 반전된 전압을 전달받고, 상기 외부의 전압원으로부터 사전에 설정된 전압(Vs)을 입력받아 상기 반전된 전압에 사전에 설정된 전류를 포함하여 형성된 구동 전원(VDD)을 능동회로(120)에 전달한다.
능동회로(120)는 이에 한정하지 않지만, 바람직하게는 증폭동작을 수행하는 증폭기(121)를 포함할 수 있다.
증폭기(121)는 레귤레이터부(113)로부터 구동 전원(VDD)을 전달받아 외부로부터의 신호를 소정의 크기를 갖는 신호로 증폭하는 증폭 동작을 수행한다. 이에 더하여, 능동회로(120)는 소정 동작을 수행하는 전압 제어발진기(Voltage Controlled Oscillator;VCO)(미도시) 등을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 출력보상회로의 일 실시형태를 나타내는 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 출력보상회로(100)의 전압 생성부(111)는 사전에 설정된 전압(Vs)을 온도에 따라 변환하는 전압 변환기(111a) 및 기준전압 생성기(111b)를 포함한다.
전압 변환기(111a)는 사전에 설정된 전압(Vs)를 온도에 따라 변환하는 복수의 FET(Mp1, Mp2. Mp3), 복수의 트랜지스터(transistor)(Q1, Q2, Q3) 및 스위치 회로로 구성될 수 있다.
기준 전압 생성기(111b)는 전압 변환기(111a)로부터의 변환된 전압을 스위칭동작을 통해 승압하여 기준 전압(Vd)를 생성하는 스위치 회로로 구성될 수 있다.
전압 반전부(112)는 전압 생성부(111)로부터의 변환된 전압을 사전에 설정된 기준 전압(Vd)과 가산하여 반전하는 전압 반전기(112a)를 포함할 수 있다.
레귤레이터부(113)는 사전에 설정된 전압(Vs)을 인가받아 전압 반전부(112)로부터의 반전 전압에 사전에 설정된 전류를 인가하여 출력하는 복수의 트랜지스터(M1, M2, M3, M4, M5)를 포함한다. 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2)는 엔모스(N-MOS)트랜지스터로 구성될 수 있고, 제3 내지 제5 트랜지스터(M3, M4, M5)는 피모스(P-MOS)트랜지스터로 구성될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 출력보상회로의 다른 실시형태를 나타내는 회로도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 출력보상회로(200)에 채용된 전압 생성부(211), 레귤레이터부(213) 및 증폭기(221)는 도 2 및 도 3의 설명과 동일하므로 생략하도록 한다.
본 발명에 따른 출력보상회로(200)에 채용된 전압 반전부(212)는 전압 생성부(211)로부터의 변환된 전압을 반전하는 전압 반전기(212a)와, 전압 반전기(212a)로부터의 반전된 전압과 사전에 설정된 기준 전압(Vd)을 가산하는 전압 가산기(212b)를 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 출력보상회로의 각 부분의 전압을 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 출력보상회로의 각 부분의 전압이 온도 변 화에 따라 변화하여 최종적으로 일정한 출력전압을 출력하는 것을 확인할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 작용 및 효과에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
먼저, 도 3을 참조하면 외부의 전압원으로부터의 사전에 설정된 전압(Vs)은 전압 생성부(111) 및 레귤레이터부(112)에 각각 전달된다.
전압 생성부(111)에 전달된 사전에 설정된 전압(Vs)은 전압 변환기(111a) 및 기준 전압 생성기(111b)에 각각 인가된다.
사전에 설정된 전압(Vs)은 전압 변환기(111a)의 제1 내지 제3 FET(MP1, MP2, MP3)에 인가된다. 제1 내지 제3 FET(MP1, MP2, MP3)에 의해 스위칭된 전압(Va, Vb)는 서로 동일하다. 스위칭된 전압(Va, Vb)는 각각 제1 및 제2 트랜지스터(Q1, Q2)에 각각 인가된다.
제1 내지 제3 트랜지스터(Q1, Q2, Q3)의 에미터 영역(emitter area)의 비는 1:M:M 으로 구성되며, 이에 따라 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스-이미터 간의 전압(Vc)을 전압 반전부(112)에 전달한다.
이때, 온도에 따라 전압이 변화하는 트랜지스터의 특성을 이용하여 사전에 설정된 전압(Vs)를 온도에 따라 변환한 베이스-이미터간 전압(Vc)을 전달한다.
예를 들어, 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스-이미터 간의 전압이 상온 25℃인 경우 약 0.65V라면, 주위의 온도가 -40℃인 경우 제1 및 제2 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스-이미터 간 전압은 대략 0.78V 정도로 올라가고, 주위의 온도가 80℃인 경우 제1 및 제2 트랜지스터(Q1, Q2) 베이스-이미터 간 전압은 대략 0.62V 정도로 떨어진다.
즉, 사전에 설정된 전압(Vs)는 전압 변환기(111a)에 의해 온도에 따라 변환되어 출력된다.
제3 트랜지스터(Q3)로부터의 변환된 전압(Vc)은 전압 반전부(112)에 전달된다. 도 5를 참조하면, 사전에 설정된 전압(Vs)이 온도에 따라 변환되어 전압 반전부(112)에 전달(Vc)되는 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 전압 반전부(112)에 전달된 전압(Vc)은 사전에 설정된 기준전압(Vd)과 가산된다. 가산된 전압은 전압 반전기(112a)에 의해 반전된다.
예를 들어, 주위의 온도가 내려가면 가산된 전압이 올라가고, 주위의 온도가 올라가면 가산된 전압이 내려간다면, 즉, 온도 변화에 따라 가산된 전압이 반비례하여 변환된다면, 전압 반전기(112a)는 상기 가산된 전압을 반전시킨다.
즉, 상기 가산된 전압을 주위의 온도가 내려가면 가산된 전압이 내려가고, 주위의 온도가 올라가면 가산된 전압이 내려가도록 주위 온도 변화에 따라 정비례하도록 상기 가산된 전압을 반전시킨다.
도 5를 참조하면, 반전된 전압(Vf)은 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스-이미터간 전압(Vc)과 기준전압(Vd)을 가산한 뒤 반전하여 주위의 온도 변화에 따라 정비례한 그래프를 갖는 것을 볼 수 있다.
반전된 전압(Vf)은 레귤레이터부(113)에 전달된다. 레귤레이터부(113)는 제1 내지 제5 FET(M1,M2,M3,M4,M5)으로 구성되고, 반전된 전압(Vf)은 제1 FET(M1)에 전달되어, 제1 FET(M1)의 스위칭 동작을 통하여 제2 FET(M2)에 전달된다.
한편, 사전에 설정된 전압(Vs)은 제3 내지 제5 트랜지스터(M3, M4, M5)에 각각 인가되어 제3 내지 제5트랜지스터(M1, M2, M3)의 스위칭 동작을 통해 사전에 설정된 전류를 갖는다.
이에 따라, 제1 트랜지스터(M1)에 인가된 반전된 전압(Vf)은 상기 사전에 설정된 전류를 갖는 구동 전압(Vg)으로 증폭기(121)에 전달된다.
이는, 제1 트랜지스터(M1)에 인가된 반전된 전압(Vf) 보다 구동전압(Vg)이 낮으면 노드 A에 인가되는 전압은 로우가 되고, 이에 따라 제5 트랜지스터(M5)는 턴온되어 구동 전압(Vg)은 상승한다.
반대로, 상승한 구동 전압(Vg)이 반전된 전압(Vf)보다 높으면 노드 A에인가되는 전압은 하이가 되어 이에 따라 제5 트랜지스터(M5)는 턴 오프되어 구동 전압(Vg)는 하강한다. 상술한 동작이 반복됨에 따라, 구동 전압(Vg)의 레벨은 반전된 전압(Vf)의 레벨으로 수렴된다.
도 5를 참조하면, 증폭기(121)에 전달된 구동 전압(Vg)을 볼 수 있다. 구동 전압은 반전된 전압(Vf)과 같이 주위의 온도 변화에 따라 정비례하며, 이는 증폭 기(121)의 게인을 일정하게 유지시킬 수 있다.
즉, 주위의 온도가 내려가면 증폭기(121)의 게인은 올라가게 되는데, 이때 구동전압(Vg)을 낮춰서 증폭기(121)의 게인을 상온에서의 게인과 동일하게 유지한다. 마찬가지로, 주위의 온도가 올라가면 증폭기(121)의 게인은 내려가게 되며, 이때 구동전압(Vg)을 올려서 증폭기(121)의 게인을 상온에서의 게인과 동일하게 유지할 수 있다.(이는 통상적으로 널리 알려져 있는 증폭기의 특성이며 이에 대한 보다 상세한 설명은 생략하도록 한다.)
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 출력보상회로(200)이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 도 3의 출력보상회로(100)과 다른 실시형태를 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 출력보상회로(200)는 전압 반전부(212)가 전압 반전기(212a)와 전압 가산기(212b)를 포함한다.
이에 따라, 전압 생성부(211)에서는 전압 반전기(212a)을 구동하는 구동전압(Vdd)과 전압 가산기(212b)에 전달되는 기준전압(Vd)이 전달된다.
구동전압(Vdd)과 기준전압(Vd)은 전압 생성부(211)의 각 저항 비(R11, R12)(R3, R4)에 따라 결정된다.
전압 반전기(212a)는 전압 생성부(211)의 전압 변환기(211a)로부터의 변환된 전압(Vc)를 주위의 온도 변화에 정비례하도록 반전시킨다.
반전된 전압(Ve)은 기준 전압 생성기(212)로부터의 기준 전압(Vd)과 함께 전압 가산기(212b)에 전달된다.
전압 가산기(212b)는 반전된 전압(Ve)와 기준 전압(Vd)을 가산하여 가산된 전압(Vf)을 레귤레이터부(213)에 전달한다.
이후, 레귤레이터부(213)는 도 3에서의 설명과 동일하게 가산된 전압(Vf)에 사전에 설정된 전류를 유입하여 증폭기(221)에 전달한다.
이에 따라, 증폭기(221)는 주변의 온도가 변화하여도 동일한 게인을 갖는다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 후술하는 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성의 다양한 변경 및 개조할 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 제품 생산 이후에 별도의 보정이나, 또는 제품 제작시에 온도 변화에 따른 출력값을 보정하는 복잡한 보정회로의 추가없이 간단한 회로를 통하여 주위의 온도가 변화하여도 자동으로 전기적인 특성을 동일하게 유지할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기설정 전압의 레벨을 주변의 온도에 따라 가변하는 구동전원으로 변환하는 전압 변환 회로; 및
    상기 전압 변환 회로로부터의 구동 전원을 전달받아 온도 변화에 따라 상기 구동전원과 상보적으로 발생하는 전기적 특성 변동을 상쇄하여 사전에 설정된 전기적인 동작을 수행하는 능동회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압 변환 회로는
    기설정 전압의 레벨을 주변의 온도에 따라 변환한 변환 전압을 생성하는 전압 생성부;
    상기 전압 생성부로부터의 변환 전압의 레벨을 반전시키는 전압 반전부; 및
    상기 전압 반전부로부터의 전압을 사전에 설정된 전류를 포함한 구동 전원으로 변환하여 출력하는 레귤레이터부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 능동회로는 상기 전압 변환 회로로부터의 구동 전원을 전달받아 온도 변화에 따라 발생하는 증폭율 변동을 상쇄하여 일정한 증폭 동작을 수행하는 증폭 기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 전압 생성부는 주변의 온도가 높으면 상기 기설정 전압의 레벨을 감소시키고, 주변의 온도가 낮으면 상기 기설정 전압의 레벨을 증가시키는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 전압 생성부는
    주변의 온도가 높으면 상기 기설정 전압의 레벨을 감소시키고, 주변의 온도가 낮으면 상기 기설정 전압의 레벨을 증가시키는 전압 변환기; 및
    상기 기설정 전압을 변환하여 사전에 설정된 기준 전압을 제공하는 기준 전압 생성기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전압 반전부는 상기 전압 변환기로부터의 변환 전압과 상기 기준 전압 생성기로부터의 기준 전압을 가산하여, 가산된 전압의 레벨을 반전시키는 전압 반전기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  7. 제2항에 있어서, 상기 전압 생성부는
    주변의 온도가 높으면 상기 기설정 전압의 레벨을 감소시키고, 주변의 온도 가 낮으면 상기 기설정 전압의 레벨을 증가시키는 전압 변환기; 및
    상기 기설정 전압을 변환하여 상기 전압 반전부를 구동시키는 구동전압과 사전에 설정된 기준 전압을 제공하는 기준 전압 생성기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전압 반전부는
    상기 구동전압을 전달받아 상기 전압 변환기로부터의 변환 전압의 레벨을 반전시키는 전압 반전기; 및
    상기 전압 반전기로부터의 반전된 전압과 상기 기준 전압을 가산하는 전압 가산기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 둔감한 출력 보상회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5818212A (en) 1990-11-30 1998-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Reference voltage generating circuit of a semiconductor memory device
US6201381B1 (en) 1995-03-29 2001-03-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Reference voltage generating circuit with controllable linear temperature coefficient
JP2001075659A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Fujitsu Ltd 電源制御方法及び回路並びに電源装置
KR20030003904A (ko) * 2001-07-04 2003-01-14 삼성전자 주식회사 온도변화에 따라 내부 기준전압 값을 조절할 수 있는 내부기준전압 생성회로 및 이를 구비하는 내부 공급전압생성회로

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5818212A (en) 1990-11-30 1998-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Reference voltage generating circuit of a semiconductor memory device
US6201381B1 (en) 1995-03-29 2001-03-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Reference voltage generating circuit with controllable linear temperature coefficient
JP2001075659A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Fujitsu Ltd 電源制御方法及び回路並びに電源装置
KR20030003904A (ko) * 2001-07-04 2003-01-14 삼성전자 주식회사 온도변화에 따라 내부 기준전압 값을 조절할 수 있는 내부기준전압 생성회로 및 이를 구비하는 내부 공급전압생성회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8907653B2 (en) 2012-05-14 2014-12-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Circuit of outputting temperature compensation power voltage from variable power and method thereof

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