KR950006848A - 기준 전위 발생 회로 - Google Patents

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KR950006848A
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세끼모또 다다히로
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    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
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Abstract

〔목적〕 한계치의 차를 증폭시켜 기준 전압을 발생시키는 안정된 전원 및 온도 의존성이 실질적으로 적은 기준 전위 발생 회로를 제공한다.
〔구성〕 트랜지스터 Q1과 Q2의 한계치의 차를 저항 R10에 의해 전류 I1으로 바꾸고 전류 미러 회로로 전류 I2를 흘리고 또한 전류 I2를 저항 R20으로 다시 전압으로 바꿈으로써 전압 VR에는 전원 전압 및 온도에 의존하지 않는 전위가 발생된다. 한계치의 차가 작아도 그 차를 충분히 증폭시킬 수 있으므로 한계치의 절대치가 큰 트랜지스터를 제어하여 만들 필요가 없고 확산 공정이 감소된다. 또한 소비 전류도 수 μA로 작다.

Description

기준 전위 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 기준 전위 발생 회로를 도시한 도면이며 (A)는 회로도이고 (B)는 내부 노드의 전원 전압 의존성을 도시한 도면,
제2도는 본 발명의 제2실시예의 기준 전위 발생 회로의 회로도.

Claims (3)

  1. 상호 상이한 한계치를 갖는 MOS 트랜지스터를 포함하여 한계치의 차를 증폭시켜 기준 전위를 얻는 기준 전위 발생 회로에 있어서, 게이트와 드레인을 제1노드(node)에 공통 접속하고, 소스를 +전원에 접속시킨 제1의 P형 MOS트랜지스터와, 게이트와 드레인을 제2노드에 공통 접속하며 소스를 +전원에 접속시킨 제2의 P형 MOS 트랜지스터와, 상기 제1의 노드와 상기 제2의 노드 사이에 접속된 제1의 저항과 상기 제1의 노드와 -전원 사이에 배치된 제1의 전류원과 게이트를 상기 제2의 노드에 드레인을 제3의 노드에 소스를 +전원에 접속시킨 제3의 P형 MOS 트랜지스터 및 한편의 전극을 -전원에 다른 편의 전극을 제4의 노드에 접속시킨 제2의 저항과 소스를 상기 제3노드에 드레인을 상기 제4노드에 접속시킨 제4의 P형 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 제4의 노드를 출력으로하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 저항의 저항값을 조절하는 수단, 상기 제2의 저항의 저항값을 조절하는 수단, 상기 제2의 P형 MOS 트랜지스터를 복수개 병렬로 배치하고 전류 능력을 조절하는 수단 및 상기 제3의 P형 MOS 트랜지스터를 복수개 병렬로 배치하고 전류 능력을 조절하는 수단중 하나 또는 복수의 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제4의 노드의 전위를 차동 증폭 회로를 사용하여 버퍼링하는 수단 및 증폭하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기준 전위 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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