KR930024294A - Cmos트랜지스터를 사용한 기준전압 발생회로 - Google Patents

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Abstract

발명은 기준전압 발생회로는 전원전압과 접지전압 사이에 연결되고 온도의 변화에 대하여 양의 온도계수를 가지는 포지티브 온도보상회로와, 상기 포지티브 온도보상회로의 출력에 응답하며 온도의 변화에 대하여 음의 온도계수를 가지는 네거티브 온도보상회로를 구비하여, 온도변화에 대하여 상기 포지티브 온도보상 수단과 상기 네거티브 온도보상수단에 의하여 양의 온도계수와 음의 온도계수를 서로 상쇄시키므로써 상기 기준전압을 안정화 시킨다. 또한, 상기 기준전압을 상기 네거티브 온도보상회로에 귀환입력하는 귀환회로를 더 구비할 수도 있다.

Description

CMOS트랜지스터를 사용한 기준전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기준전압 발생회로이며, 제5도는 본 발명의 또 다른 실싱예에 따른 기준전압 발생회로이다.

Claims (13)

  1. 외부 전원전압을 입력하여 소정전압 낮은 기준전압을 발생하는 기준전압 발생회로에 있어서, 상기 외부 전원전압을 제공하기 위한 전원전압 단자와; 접지전압 단자와; 기준전압을 출력하는 기준전압 단자와 상기 전원전압 단자와 상기 기준전압 단자 사이에 연결되어 전류를 공급하기 위한 제1저항100과; 상기 기준전압 단자와 소정의 접속점 104사이에 연결된 제2저항 102와; 상기 접속점 104와 상기 접지전압 단자 사이에 드레인-소오스 채널이 연결되고 상기 전원전압 또는 기준전압 단자에 게이트가 연결된 제1채널 도전형의 제1MOS트랜지스터106과;상기 기준전압 단자와 상기 접지전압 단자 사이에 소오스-드레인 채널이 연결되고 상기 접속점 104에 게이트가 연결된 제2채널도전형의 제2MOS트랜지스터108을 구비함을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속점104와 상기 제1MOS트랜지스터 106의 드레인 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되고 상기 기준전압 단자에 게이트가 연결된 상기 제1채널도전형의 제3MOS트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1채널도전형은 N-형 도전형의 채널이고 상기 제2채널도전형은 P-형 도전형의 채널임을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2MOS트랜지스터 108의 기판이 상기 기준전압 단자에 연결됨을 특징으로하는 기준전압 발생회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1MOS트랜지스터 106의 채널저항은 양의 온도계수를 가짐을 특징으로하는 기준전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2MOS트랜지스터108의 문턱전압은 음의 온도계수를 가짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  7. 제1전원전압을 입력하여 소정레벨 낮은 제2전원전압으로 변환하는 기준 전압 발생회로에 있어서, 상기 제1전원전압과 접지전압 사이에 연결되며 온도의 변화에 대하여 상기 제2전원전압을 포지티브로 보상하기 위한 양의온도계수를 가지는 포지티브 온도보상수단과; 상기 포지티브 온도보상수단의 출력에 응답하며 온도의 변화에 대하여 상기 제2전원전압을 네거티브로 보상하기 위한 음의 온도계수를 가지는 네거티브 온도보상수단을 구비하여; 온도변화에 대하여 상기 포지티브 온도보상 수단과 상기 네거티브 온도보상수단에 의하여 양의 온도계수와 음의 온도계수를 서로 상쇄시키므로서 상기 제2전원전압을 안정화 하는 기준전압 발생회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2전원전압을 상기 포지티브 온도보상수단에 귀환하여 상기 제2전원전압을 안정화 하기 위한 귀환수단을 더 구비함을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 포지티브 온도보상수단은 상기 제1전원전압과 상기 접지전압 사이에 제1저항과, 제2저항과, 제1채널도전형을 가지는 제1MOS트랜지스터의 드레인-소오스 채널이 서로 직렬로 연결된 것임을 특징으로 하는 기준 전압 발생회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 네가티브 온도보상수단은 상기 제2전원전압과 상기 접지전압 사이에 소오스-드레인 채널이 연결되며 게이트가 상기 제1MOS트랜지스터의 드레인에 연결되고 기판이 상기 기준전압 단자에 연결된 제2채널 도전형의 제2MOS 트랜지스터임을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 귀환 수단은 상기 제2MOS트랜지스터의 게이트와 상기 제1MOS트랜지스터의 드레인 사이에 드레인-소오스 채널이 연결되며 게이트가 상기 제2전원전압에 연결된 제1채널도전형의 제3MOS트랜지스터임을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  12. 외부 전원전압을 입력하여 소정전압 낮은 기준전압을 발생하는 기준전압발생회로에 있어서, 상기 외부 전원전압과 기준전압 사이에 연결되어 전류를 공급하기 위한 제1저항과; 상기 기준전압과 소정의 접속점 사이에 연결된 제2저항와; 상기 접속점과 상기 접지전압 사이에 양의 온도계수를 가지는 드레인-소오스 채널이 연결되고 상기 전원전압 단자에 게이트가 연결된 제1채널 도전형의 제1MOS트랜지스터와; 상기 기준전압과 상기 접지전압 사이에 소오스-드레인 채널이 연결되고 상기 접속점에 게이트가 연결되며, 음의 온도계수의 문턱전압을 가지는 제2채널도전형의 제2MOS트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 접속점과 상기 제1MOS트랜지스터의 드레인 사이에 드레인-소오스채널이 접속되고 상기 기준전압 단자에 게이트가 연결된 상기 제1채널 도전형의 제3MOS트랜지스터를 더 구비함을 특징으로하는 기준전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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CN93106757A CN1042269C (zh) 1992-05-30 1993-05-29 使用cmos晶体管的基准电压发生器
JP5128657A JP2596697B2 (ja) 1992-05-30 1993-05-31 Ｃｍｏｓトランジスタ回路を使用する基準電圧発生回路
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE40552E1 (en) 1990-04-06 2008-10-28 Mosaid Technologies, Inc. Dynamic random access memory using imperfect isolating transistors
US5614815A (en) * 1994-03-10 1997-03-25 Fujitsu Limited Constant voltage supplying circuit
JP3207680B2 (ja) * 1994-08-30 2001-09-10 株式会社東芝 半導体集積回路
US5631606A (en) * 1995-08-01 1997-05-20 Information Storage Devices, Inc. Fully differential output CMOS power amplifier
US5892394A (en) * 1996-07-19 1999-04-06 Holtek Microelectronics Inc. Intelligent bias voltage generating circuit
US6275100B1 (en) * 1996-09-13 2001-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Reference voltage generators including first and second transistors of same conductivity type and at least one switch
JP3839148B2 (ja) * 1997-11-18 2006-11-01 沖電気工業株式会社 電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧印加回路と電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧印加回路が搭載されている半導体装置
KR100272508B1 (ko) * 1997-12-12 2000-11-15 김영환 내부전압(vdd) 발생회로
KR20000002771A (ko) * 1998-06-23 2000-01-15 윤종용 반도체장치의 기준전압 발생기
US6242972B1 (en) * 1999-10-27 2001-06-05 Silicon Storage Technology, Inc. Clamp circuit using PMOS-transistors with a weak temperature dependency
KR100308255B1 (ko) * 1999-12-21 2001-10-17 윤종용 저전원전압 반도체 장치의 기준전압 발생회로 및 방법
JP2002015599A (ja) 2000-06-27 2002-01-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
KR100439024B1 (ko) 2001-03-08 2004-07-03 삼성전자주식회사 기준전압 발생회로
KR100393226B1 (ko) * 2001-07-04 2003-07-31 삼성전자주식회사 온도변화에 따라 내부 기준전압 값을 조절할 수 있는 내부기준전압 생성회로 및 이를 구비하는 내부 공급전압생성회로
JP3575453B2 (ja) * 2001-09-14 2004-10-13 ソニー株式会社 基準電圧発生回路
US6902902B2 (en) * 2001-11-27 2005-06-07 Arena Pharmaceuticals, Inc. Human G protein-coupled receptors and modulators thereof for the treatment of metabolic-related disorders
JP4276812B2 (ja) * 2002-03-20 2009-06-10 株式会社リコー 温度検出回路
DE10356420A1 (de) * 2002-12-02 2004-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Spannungsgeneratorschaltung
GB2404460B (en) * 2003-07-31 2006-09-06 Zetex Plc A temperature independent low voltage reference circuit
US7543253B2 (en) * 2003-10-07 2009-06-02 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for compensating for temperature drift in semiconductor processes and circuitry
US7071770B2 (en) * 2004-05-07 2006-07-04 Micron Technology, Inc. Low supply voltage bias circuit, semiconductor device, wafer and system including same, and method of generating a bias reference
US7116588B2 (en) * 2004-09-01 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Low supply voltage temperature compensated reference voltage generator and method
CN101443721B (zh) * 2004-12-07 2011-04-06 Nxp股份有限公司 提供温度补偿的输出电压的参考电压发生器
US7450359B1 (en) * 2005-03-03 2008-11-11 National Semiconductor Corporation System and method for providing a temperature compensated under-voltage-lockout circuit
JP2007043661A (ja) * 2005-06-30 2007-02-15 Oki Electric Ind Co Ltd 遅延回路
DE102005033434A1 (de) * 2005-07-18 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung kleiner Referenzspannungen
JP2007066463A (ja) 2005-09-01 2007-03-15 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7800429B2 (en) * 2006-01-20 2010-09-21 Aeroflex Colorado Springs Inc. Temperature insensitive reference circuit for use in a voltage detection circuit
JP2008244665A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Fujitsu Ltd 発振回路及び半導体装置
CN101834164B (zh) * 2009-03-10 2011-11-16 奇景光电股份有限公司 电源分布系统
US8680840B2 (en) * 2010-02-11 2014-03-25 Semiconductor Components Industries, Llc Circuits and methods of producing a reference current or voltage
CN103135652B (zh) * 2011-11-25 2014-12-10 深圳市博驰信电子有限责任公司 一种带隙基准电路、电源保护电路及电源
JP6215652B2 (ja) * 2013-10-28 2017-10-18 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 基準電圧発生装置
US9058046B1 (en) 2013-12-16 2015-06-16 International Business Machines Corporation Leakage-aware voltage regulation circuit and method
US11188682B2 (en) * 2016-06-17 2021-11-30 Arm Limited Apparatus and method for masking power consumption of a processor
US10255462B2 (en) * 2016-06-17 2019-04-09 Arm Limited Apparatus and method for obfuscating power consumption of a processor
TWI654510B (zh) * 2017-03-24 2019-03-21 立積電子股份有限公司 偏壓電路
CN111158418B (zh) * 2020-01-09 2021-08-06 电子科技大学 一种全mosfet亚阈值带隙基准电压源
CN112039444B (zh) * 2020-11-04 2021-02-19 成都铱通科技有限公司 一种提升正温度系数变化范围的增益放大器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781648A (en) * 1973-01-10 1973-12-25 Fairchild Camera Instr Co Temperature compensated voltage regulator having beta compensating means
JPS52357A (en) * 1975-06-21 1977-01-05 Mitsumi Electric Co Ltd Low-voltage reference voltage source circuit
US4339707A (en) * 1980-12-24 1982-07-13 Honeywell Inc. Band gap voltage regulator
DE3412060A1 (de) * 1984-03-31 1985-10-10 Zinser Textilmaschinen Gmbh, 7333 Ebersbach Einrichtung zum betreiben einer spinnerei- oder zwirnereimaschine
US4839535A (en) * 1988-02-22 1989-06-13 Motorola, Inc. MOS bandgap voltage reference circuit
US4849684A (en) * 1988-11-07 1989-07-18 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laaboratories CMOS bandgap voltage reference apparatus and method
FR2641626B1 (fr) * 1989-01-11 1991-06-14 Sgs Thomson Microelectronics Generateur de tension de reference stable
KR920004587B1 (ko) * 1989-10-24 1992-06-11 삼성전자 주식회사 메모리장치의 기준전압 안정화회로
US5206581A (en) * 1989-11-02 1993-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Constant voltage circuit
KR930001577A (ko) * 1991-06-19 1993-01-16 김광호 기준전압 발생회로

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Publication number Publication date
EP0573240A2 (en) 1993-12-08
CN1080742A (zh) 1994-01-12
CN1042269C (zh) 1999-02-24
US5532578A (en) 1996-07-02
JP2596697B2 (ja) 1997-04-02
DE69323239T2 (de) 1999-07-08
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DE69323239D1 (de) 1999-03-11
KR940007298B1 (ko) 1994-08-12

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