KR930020658A - 기준전압 발생회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기준전압 발생회로를 공개한다. 그 회로는 일정전류를 입력하여 기준전압을 발생하고, 상기 기준전압과 접지전압 사이에 저항수단을 연결하여 상기 기준전압이 상기 기준전류와 상기 저항수단의 곱으로 출력되게 하는 기준전압 발생회로를 구비하고, 상기 저항 수단을 MOS다이오드와 상기 기준전압에 의해서 제어되는 MOS트랜지스터를 직렬로 연결하여 구성되어 있다. 온도 및 공정 변환에 둔감하게 변화한다.

Description

기준전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생회로의 회로도를 나타낸 것이다.
제4도는 본 발명에 따른 기준전압 발생회로의 전원전압(Vcc)에 따른 기준전류의 변화를 나타내는 그래프이다.

Claims (13)

  1. 기준전류 발생회로와 기준전류 발생회로에서 발생하는 기준전류에 비례하는 전류를 기준전압 발생회로에 입력시키기 위한 전류미러회로와, 상기 기준전압 발생회로의 기준전압과 접지전압 사이에 저항수단을 연결하여 상기 기준전압이 상기 기준전류와 상기 저항수단의 곱으로 출력되게 하는 기준전압 발생회로를 구비하고, 상기 저항 수단을 MOS다이오드와 상기 기준전압에 의해서 제어되는 MOS트랜지스터를 직렬로 연결하여 구성한 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 MOS 다이오우드는 상기 기준전압과 기판에 연결된 소오스전극과 게이트전극과 드레인전극이 공통접속된 제1 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 상기 기준전압에 연결된 게이트 전극과 상기 PMOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 드레인전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전류미러회로는 상기 전류미러회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전류 발생회로의 기준전류보다 작은량의 전류를 기준전압 발생회로에 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 전류미러회로는 전원 전압에 연결된 소오스 전극과 게이트전극과 공통접속된 드레인전극을 가진 제2PMOS 트랜지스터와 전원 전압에 연결된 소오스전극과 상기 제2PMOS 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 소오스전극과 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소오스전극에 연결된 드레인전극을 가진 제3 PMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기준전류 발생회로는 전원전압에 연결된 소오스전극과 접지 전압에 연결된 게이트전극을 가진 제4 PMOS 트랜지스터와 상기 제4 PMOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 드레인전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진 제2 NMOS 트랜지스터와 상기 전류미러회로의 제2 MPOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결될 드레인전극과 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 게이트 전극과 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 소오스전극을 가진 제3 NMOS 트랜지스터와 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 소오스전극에 연결된 저항과 상기 저항에 연결된 드레인전극과 게이트전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진 제4 NMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저항수단은 바이폴라형 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  8. 일정전류를 입력하여 기준전압을 발생하고, 상기 기준전압과 접지전압 사이에 저항수단을 연결하여 상기 기준전압이 상기 기준전류와 상기 저항수단의 곱으로 출력되게 하는 기준전압 발생회로를 구비하고, 상기 저항 수단을 MOS 다이오드와 상기 기준전압에 의해서 제어되는 MOS 트랜지스터를 직렬로 연결하여 구성한 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 MOS 다이오우드는 상기 기준전압과 기판에 연결된 소오스전극과 게이트전극과 드레인전극이 공통접속된 제1 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 상기 기준전압에 연결된 게이트전극과 상기 PMOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결된 드레인전극과 접지전압에 연결된 소오스전극을 가진 MMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  11. 제8항에 있어서, 상기 전류미러회로는 상기 전류미러 회로를 구성하는 트랜지스터의 크기에 의해 기준전압 발생회로의 기준전류보다 작은량의 전류를 기준전압 발생회로에 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  12. 제8항에 있어서, 상기 저항수단은 바이폴라형 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
  13. 제9항 또는 제11항에 있어서, 상기 전류미러 회로는 전원 전압에 연결된 소오스전극과 게이트전극과 공통접소된 드레인전극을 가진 제2 PMOS 트랜지스터와 전원 전압에 연결된 소오스전극과 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트전극에 연결된 게이트전극과 상기 제 1PMOS 트랜지스터의 소오스전극에 연결된 드레인전극을 가진 제3 PMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496792B1 (ko) * 1997-09-04 2005-09-08 삼성전자주식회사 기준전압발생회로

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9423034D0 (en) * 1994-11-15 1995-01-04 Sgs Thomson Microelectronics A reference circuit
DE69521287T2 (de) * 1995-03-24 2002-05-02 Sgs Thomson Microelectronics Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Referenzspannung und Detektion eines Versorgungsspannungsabfalls und zugehöriges Verfahren
US6242972B1 (en) * 1999-10-27 2001-06-05 Silicon Storage Technology, Inc. Clamp circuit using PMOS-transistors with a weak temperature dependency
KR101133758B1 (ko) * 2005-01-19 2012-04-09 삼성전자주식회사 센서 및 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시판
JP5482126B2 (ja) * 2009-11-13 2014-04-23 ミツミ電機株式会社 参照電圧発生回路および受信回路
CN107015594A (zh) * 2017-05-30 2017-08-04 长沙方星腾电子科技有限公司 一种偏置电流产生电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56121114A (en) * 1980-02-28 1981-09-22 Seiko Instr & Electronics Ltd Constant-current circuit
US4464588A (en) * 1982-04-01 1984-08-07 National Semiconductor Corporation Temperature stable CMOS voltage reference
US4446383A (en) * 1982-10-29 1984-05-01 International Business Machines Reference voltage generating circuit
US4847518A (en) * 1987-11-13 1989-07-11 Harris Semiconductor Patents, Inc. CMOS voltage divider circuits
GB2214333B (en) * 1988-01-13 1992-01-29 Motorola Inc Voltage sources
JP2674669B2 (ja) * 1989-08-23 1997-11-12 株式会社東芝 半導体集積回路
KR920004587B1 (ko) * 1989-10-24 1992-06-11 삼성전자 주식회사 메모리장치의 기준전압 안정화회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496792B1 (ko) * 1997-09-04 2005-09-08 삼성전자주식회사 기준전압발생회로

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