JP5482126B2 - 参照電圧発生回路および受信回路 - Google Patents
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Description
電源電圧端子と定電位点との間に直列形態に接続された第1抵抗素子およびバイポーラ・トランジスタと、
前記第1抵抗素子と前記バイポーラ・トランジスタとの接続ノードにゲート端子が接続された第1MOSトランジスタと、
前記第1MOSトランジスタのソース端子と定電位点との間に直列形態に接続された第2抵抗素子と、
前記第1MOSトランジスタのドレイン端子と電源電圧端子との間に接続された第2MOSトランジスタと、
前記第2MOSトランジスタとカレントミラー接続された第3MOSトランジスタと、を有する定電流回路を備え、
該定電流回路で生成された定電流もしくはそれに比例した電流を電圧に変換することによって参照電圧を発生し、前記第2抵抗素子の温度特性による前記参照電圧への影響を前記バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度特性で減殺することで、温度変化に伴う前記参照電圧の変化が小さくなるように構成した。
CMOSプロセスにより形成されるNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるコレクタ領域およびエミッタ領域と、
CMOSプロセスにより形成されるPチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるベース領域と、
を有し、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に前記ベース領域が配置された構造を有するように構成する。これにより、CMOSプロセスよりも複雑なBi−CMOSプロセスを使用することなくバイポーラ・トランジスタを有する参照電圧発生回路やそれを有する受信回路を製造することができ、それによってコストアップを抑えることができる。
AMI符号化された一対の入力信号を増幅する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の出力と所定の参照電圧とを比較して前記入力信号の論理レベルを判別する受信データ判定回路と、
前記電源電圧端子の電源電圧を基準にして前記参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、を備え、前記参照電圧発生回路は、
電源電圧端子と定電位点との間に直列形態に接続された第1抵抗素子およびバイポーラ・トランジスタと、
前記第1抵抗素子と前記バイポーラ・トランジスタとの接続ノードにゲート端子が接続された第1MOSトランジスタと、
前記第1MOSトランジスタのソース端子と定電位点との間に直列形態に接続された第2抵抗素子と、
前記第1MOSトランジスタのドレイン端子と電源電圧端子との間に接続された第2MOSトランジスタと、
前記第2MOSトランジスタとカレントミラー接続された第3MOSトランジスタと、
を有する定電流回路を備え、該定電流回路で生成された定電流に比例した電流を電圧に変換することによって前記参照電圧を発生し、
前記差動増幅回路は、ベース端子がそれぞれ前記AMI信号の入力端子に接続された一対の入力差動トランジスタと、該一対の入力差動トランジスタのエミッタと定電位点との間に接続された定電流用MOSトランジスタとを有し、該定電流用MOSトランジスタのゲート端子に前記定電流回路で生成された定電流を電流−電圧変換した電圧がバイアス電圧として印加されるように構成した。
CMOSプロセスにより形成されるNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるコレクタ領域およびエミッタ領域と、
CMOSプロセスにより形成されるPチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるベース領域と、
を有し、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に前記ベース領域が配置された構造を有するように構成する。これにより、CMOSプロセスよりも複雑なBi−CMOSプロセスを使用することなくバイポーラ・トランジスタを有する参照電圧発生回路やそれを有する受信回路を製造することができ、それによってコストアップを抑えることができる。
図1には、HBS(Home Bus System)を適用したシステムを構成する機器に実装され、機器間の通信機能を担うHBSドライバ・レシーバICに内蔵される受信回路の第1の実施形態が示されている。
本実施形態の受信回路は、第1の実施形態(図1)のバイアス回路31において、バイポーラ・トランジスタQ0のエミッタと接地電位点GNDとの間に、抵抗R2を追加したものである。前記第1実施形態では、バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間電圧VBEが負の温度特性を有するため、抵抗R3の負の温度特性によりMOSトランジスタM1に流れる電流の温度変動を小さくすることができると説明したが、VBEの温度特性は抵抗R3の温度特性よりも小さいため充分に相殺することができない。
12 受信データ判定部
13 参照電圧発生部(参照電圧発生回路)
21,22 コンパレータ
31 バイアス回路
Claims (6)
- 電源電圧端子と定電位点との間に直列形態に接続された第1抵抗素子およびバイポーラ・トランジスタと、
前記第1抵抗素子と前記バイポーラ・トランジスタとの接続ノードにゲート端子が接続された第1MOSトランジスタと、
前記第1MOSトランジスタのソース端子と定電位点との間に直列形態に接続された第2抵抗素子と、
前記第1MOSトランジスタのドレイン端子と電源電圧端子との間に接続された第2MOSトランジスタと、
前記第2MOSトランジスタとカレントミラー接続された第3MOSトランジスタと、
を有する定電流回路を備え、該定電流回路で生成された定電流もしくはそれに比例した電流を電圧に変換することによって参照電圧を発生し、前記第2抵抗素子の温度特性による前記参照電圧への影響を前記バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度特性で減殺することで、温度変化に伴う前記参照電圧の変化が小さくなるように構成されていることを特徴とする参照電圧発生回路。 - 前記バイポーラ・トランジスタのエミッタ端子と定電位点との間に第3抵抗素子が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の参照電圧発生回路。
- 前記バイポーラ・トランジスタは、
CMOSプロセスにより形成されるNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるコレクタ領域およびエミッタ領域と、
CMOSプロセスにより形成されるPチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるベース領域と、
を有し、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に前記ベース領域が配置された構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の参照電圧発生回路。 - AMI符号化された一対の入力信号を増幅する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の出力と所定の参照電圧とを比較して前記入力信号の論理レベルを判別する受信データ判定回路と、
前記参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、
を備え、
前記参照電圧発生回路は、
電源電圧端子と定電位点との間に直列形態に接続された第1抵抗素子およびバイポーラ・トランジスタと、
前記第1抵抗素子と前記バイポーラ・トランジスタとの接続ノードにゲート端子が接続された第1MOSトランジスタと、
前記第1MOSトランジスタのソース端子と定電位点との間に直列形態に接続された第2抵抗素子と、
前記第1MOSトランジスタのドレイン端子と電源電圧端子との間に接続された第2MOSトランジスタと、
前記第2MOSトランジスタとカレントミラー接続された第3MOSトランジスタと、
を有する定電流回路を備え、該定電流回路で生成された定電流に比例した電流を電圧に変換することによって、前記電源電圧端子の電源電圧を基準にした参照電圧を発生し、
前記差動増幅回路は、ベース端子がそれぞれ前記AMI信号の入力端子に接続された一対の入力差動トランジスタと、該一対の入力差動トランジスタのエミッタと定電位点との間に接続された定電流用MOSトランジスタとを有し、該定電流用MOSトランジスタのゲート端子に前記定電流回路で生成された定電流を電流−電圧変換した電圧がバイアス電圧として印加されていることを特徴とする受信回路。 - 前記定電流回路は、
前記バイポーラ・トランジスタのエミッタ端子と定電位点との間に接続された第3抵抗素子を備えていることを特徴とする請求項4に記載の受信回路。 - 前記バイポーラ・トランジスタは、
CMOSプロセスにより形成されるNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるコレクタ領域およびエミッタ領域と、
CMOSプロセスにより形成されるPチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン領域と同一工程で形成されるベース領域と、
を有し、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に前記ベース領域が配置された構造を有することを特徴とする請求項4または5に記載の受信回路。
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