KR950021505A - 기준전류발생회로, 정전류발생회로 및 그것을 사용한 장치 - Google Patents

기준전류발생회로, 정전류발생회로 및 그것을 사용한 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 집적 회로에 관한 것으로써, 저전원전압에서도 동작하며 온도에 대한 의존성을 저감하기 위해, 정의 온도의존성을 갖는 전류, 부의 온도의존심을 갖는 전류의 합전류를 형성하고, 이 합전류에 비례하는 온도변화에 대한 의존성을 저감한 전류를 발생하는 정전류발생회로에서 저전압에서 동작하기 위해 정의 온도의존성을 갖는 전류를 발생하는 회로가 흐르는 전류의 전류밀도의 비를 일정하게 유지한 2조의 PN접합의 양끝에 발생하는 전압의 차전압의 정의 온도의존성을 사용해서 전류를 발생하는 회로이고, 부의 온도의존성을 갖는 전류를 발생하는 회로가 PN접합의 양끝에 발생하는 전압의 부의 온도의존성을 사용해서 전류를 발생하는 회로를사용한다. 그리고, 온도의존성을 없애는 것 뿐만아니라 전원접압변동이나 구성소자의 특성편차에 대해서 안정된 기준전류, 기준전압을 발생하기 위해 여러개의 바이플라트랜지스터의 베이스, 에미터 전압의 차전압을 발생하는 것에 의해, 절대온도에 비례하는 전류발생회로에 있어서 MOS트랜지스터에 의해 상기 바이폴라트랜지스터에 흐르는 전류비를 결정하고, 또 이들 MOS의 드레인전압의 비가 전원전압에 의존하지 않도록 제어하는 회로를 사용한다. 이와 같은 구성에 의해서, 3V정도외 저전원정압에서 동작할 수 있고, 또 그 특성의 전원전압의존성이 적은 100k, ECL의 규격을 만족시키는 출력버퍼회로, 입력버퍼용 기준전압발생회로를 실현할 수 있다.
선택도 : 제 1도

Description

기준전류발생회로, 정 전류발생회로 및 그것을 사용한 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 정전류발생회로의 실시예를 도시한 도면.

Claims (22)

  1. 전류밀도의 비를 일정하게 유지한 2조의 PN접합부를 갖고, 상기 PN접합부의 각각의 양끝에 발생하는 전압에서 정의 온도 의존성을 갖는 차전압을 생성하고, 상기 차전압에 따른 전류를 발생하는 정의 온도의존성을 갖는 전류발생회로부 및 PN접합부의 양끝에 발생하는 부의 온도의존성을 갖는 전압에 따튼 전류를 발생하는 부의 온도의존성을 갖는 전류발생회로부를 갖는 것을 륵징으로 하는 정전류발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 정의 은도의존성을 갖는 전류와 부의 온도의존성을 갖는 전류의 합전류에 따른 정전류를 발생하는 합전류발생회로부를 갖고, 상기 합전류발생회로부는 소오스와 게이트가 모두 각각 서로 접속된 2조이상의 MOS트랜지스터의 드레인전류의 비에 의해서 소정의 합전류를 발생하는 것을 특징으로 하는 정전류발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정의 온도의존성을 갖는 전류발생회로중 적어도 1조의 PN접합부는 바이플라트랜지스터의 베이스, 에미터간의 PN접합인 것을 특징으로 하는 정전류발생회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 정의 온도의존성을 갖는 전류발생회로중 적어도 1조의 PN접합부는 바이폴라트랜지스터의 베이스, 에미터간의 PN접합인 것을 특징으로 하는 정전류발생회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 부의 온도의존성을 갖는 전류발생회로의 PN접합부는 바이폴라트랜지스터의 베이스, 에미터간의 PN접합인 것을 특징으로 하는 정전류발생회로.
  6. 제2항에 있어서, 상기 부의 온도의존성을 갖는 전류발생회로의 PN접합부는 바이폴라트랜지스터의 베이스 에미터간의 PN접합인 것을 특징으로 하는 정전류발생회로
  7. 제2항에 있어서, 상기 합전류발생회로는 상기 합전류에 전원전압에 의존하는 전류를 가산해서 정전류를 발생하는 것을 특징으로 하는 정전류발생회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전원전압에 의존하는 전류는 MOS트랜지스터로 구성된 전훤전압공급부에서 공급하는 것을 특징으로 하는 정전류발생회로.
  9. 절대온도에 비례하는 절대온도비례전류를 생성하는 절대온도 비례전류발생부, 상기 절대온도비례전류에 비례하는 비례전류를 발생하는 비례전류발생부, 전원전압의 변동을 검출하고, 상기 변동에 따라서 상기 비례전류 발생부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 전원접압의 변동을 제어하여 상기 절대온도에 비레하는 기준전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 기준전류발생회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 비례전류발생부는 소오스와 게이트가 각각 서로 접속된 여러개의 MOS트랜지스터를 사용해서 구성되는 것을 특징으로 하는 기준전류발생회로.
  11. 제9항에 기재된 상기 기준전류발생회로를 사용해서 이루어지는 기준전류발생회로부, MOS트랜지스터를 사용해서 구성되는 전류원부, ECL버퍼회로부를 갖고, 상기 기준전류발생회로부에 의해서 생성되는 상기 절대온도에 비례하는 전류에 따른 상기 ECL버퍼회로부의 출력전위레벨인 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  12. 제10항에 기재된 상기 기준전류발생회로를 사용해서 이루어지는 기준전류발생회로부, MOS트랜지스터를 사용해서 구성되는 전류원부, ECL버퍼회로부를 갖고, 상기 기준전류발생회로부에 의해서 생성되는 상기 절대온도에 비례하는 전류에 따른 상기 ECL버퍼회로부의 출력전위레벨인 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  13. 제11항에 있어서, 상기 ECL버퍼회로의 상기 전류원부는 MOS를 사용한 레귤레이티드 캐스코드 커렌트미러회로를 포함해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  14. 제12항에 있어서, 상기 ECL버퍼회로의 상기 전류원부는 MOS를 사용한 레귤레이티드 캐스코드 커렌트미러회로를 포함해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  15. 소오스, 게이트가 각각 서로 접속된 여러개의 MOS트랜지스터를 사용해서 구성되는 비례전류발생부 및 2조의 바이폴라트랜시스터를 갖고, 상기 2조의 바이폴라트랜지스터의 컬렉터전류의 비를 소정의 비로 해서 절대온도에 비례하는 상기 2조의 바이폴라트랜지스터의 베이스 에미터간 전압의 차전압에 따른 전류를 발생하는 것을 특징으로 하는 기준전류발생회로.
  16. 제15항에 있어서, 상기 비례전류발생부는 전원전압을 검출하고, 소오스, 게이트가 각각 서로 접속된 여러 개의 MOS트랜지스터의 드레인전압이 상대적으로 변동하지 않도록 상기 검출된 전원전압에 따라서 상기 트레인 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 기준전류발생회로.
  17. 제15항에 기재된 상기 기준전류발생회로를 사용해서 이루어지는 기준전류발생회로부, MOS트랜지스터를 사용해서 구성되는 전류원부 및 ECL버퍼회로부를 갖고, 상기 기준전류발생회로부에 의해서 생성되는 상기 절대 온도에 비례하는 전류에 따른 상기 ECL버퍼회로부의 출력전위레벨인 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  18. 제16항에 기재된 상기 기준전류발생회로를 사용해서 이루어지는 기준전류발생회로부, MOS트랜지스터를 사용해서 구성되는 전류원부 및 ECL버퍼회로부를 갖고, 상기 기준전류발생회로부에 의해서 생성되는 상기 절대 온도에 비례하는 전류에 따른 상기 ECL버퍼회로부의 출력전위레벨인 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  19. 제17항에 있어서, 상기 ECL버퍼회로의 상기 전류원부는 MOS를 사용한 레귤레이티드 캐스코드 커렌트미러회로를 포함해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로, 상기 ECL버퍼회로의 상기 전류원부는 MOS를 사용한 레귤레이티드 캐스코드 커렌트미러회로를 포함해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로.
  20. 제18항에 있어서, 상기 ECL버퍼회로의 상기 전류원부는 MOS를 사용한 레귤레이티드 캐스코드 커렌트미러회로를 포함해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 ECL버퍼회로
  21. 제1의 바이폴라트랜지스터의 베이스와 제2의 바이폴라트랜지스터가 서로 접속되고, 상기 제1의 바이폴라트랜지스퍼의 에미터와 상기 제2의 바이폴라트랜지스터의 에미터는 전기적인 저항값을 갖는 저항부에 의해서 접속되고, 상기 제2의 바이폴라트랜지스터의 베이스와 컬렉터가 접속되고, 상기 제2의 바이폴라트랜지스터의 베이스, 에미터간 전압과 상기 제2의 바이폴라트랜지스터의 베이스, 에미터간 전압의 차전압이 상기 저항부에 인가되는 기준전류기준전압발생부 및 상기 제1의 바이폴라트랜지스터에 흐르는 컬렉터전류와 상기 제2의 바이폴라트랜지스터에 흐르는 켈렉터전류의 전류비를 소정의 전류비로 하기 위해 상기 제1및 제2의 바이폴라트랜지스터의 컬렉터에 접속된 MOS트랜지스터로 이루어지는 전원전압변동흡수부를 갖는 것을 특징으로 하는 기준전류발생회로.
  22. 제21항에 있어서. 상기 전원전압변동흡수부는 상기 바이폴라트랜지스터의 컬렉터와 접속된 제1의 MOS의 게이트가 제2의 MOS의 소오스에 접속되고, 상기 제2의 MOS의 게이트는 상기 제1의 MOS의 소오스에 접속되고,상기 제1 및 제2의 바이폴라트랜지스터의 컬렉터전류의 비를 제어하는 것을 특징으로 하는 기준전류발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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