KR950010050A - 과열 검출 회로 - Google Patents

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세끼모또 타다히로
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 따라서, 제공되는 과열 검출 회로는 양의 전원 선과 음의 전원 선 사이에 접속된 실질적으로 일정 전압을 방출하기 위한 밴드 갭 전압원 회로, 이 밴드 갭 전압원 회로는 전원 전압과 주위 온도에 무관하게 되고, 밴드 갭 전압원 회로의 출력으로부터 일정 전류를 발생하기 위한 정 전류원 회로, 정 전류원 회로의 출력 단자와 음의 전원 선사이에 접속되는 회로 소자, 이 회로 소자가 선정된 온도 계수 소자를 갖는 것 및 밴드 갭 전압원회로의 출력 전압과 회로 소자의 출력 전압을 비교하기 위한 비교기를 포함한다. 결과적으로 전원 전압에 관련한 검출 온도의 변이는 반도체 집적 회로가 제조될 때 소자 특성의 요동에 의해 발생되는 검출 온도의 변이동안 억제된다.

Description

과열 검출 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 과열 검출 회로의 제1실시예에 따른 회로 구성을 예시한 도면.

Claims (14)

  1. 전원과 온도에 무관하게 실질적으로 일정 전압을 방출하기 위해 양의 전원선과 음의 전원 선사이에 접속되는 밴드 갭 전원 회로, 상기 갭 전원 회로의 출력으로 부터 일정 전류를 발생하기 위한 정 전류원; 상기 정전류원 회로의 출력 단자와 상기 음의 전원 선사이에 접속된 선정된 온도 계수를 각각 갖는 회로 소자들, 및 상기 밴드 갭 전원 회로의 출력 전압과 상기 회로 소자에 발생하는 전압을 비교하기 위한 비교기.
  2. 제1항에 있어서, 각각 선정된 온도 계수를 갖는 상기 회로 소자들이 선정된 수로 직렬 접속되는 다이오드 또는 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 과열 검출회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정 전류원 회로가 저항을 통해 상기 밴드갭 전원회로의 출력에 접속되는 입력 단자를 갖는 제1커런트 미러 회로와 상기 제1커런트 미러 회로의 출력단자에 접속된 입력 단자를 갖는 제2커런트 미러 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  4. 제3항에 있어서, 각각 선정된 온도 계수를 갖는 상기 회로 소자들이 선정된 수로 직렬 접속되는 다이오드 또는 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 과열 검출회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 정 전류원 회로의 출력 전류가 상기 밴드 갭 전원회로의 소자 특성의 변이에 의해 발생된 출력 전압의 요동에 따라서 변화되어 상기 요동이 상기 비교기의 입력 차동 전압에서 오프 셋 되는 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 밴드 갭 전압원 회로의 출력이 음의 온도 계수를 갖는 베이스-이미터 접합 전압 의존형 전압원과 양의 온도 계수를 갖는 열 전압 의존형 전압원을 합성함으로서 얻어진 전압과 같은 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  7. 음의 온도 계수를 갖는 베이스-이미터 접합 전압 의존형 전압원과 양의 온도 계수를 갖는 열 전압 의존형 전압원을 합성함으로서 얻어진 일정 전압을 방출하기 위한 밴드 갭 전압원 회로, 상기 밴드 갭 전압원 회로의 출력으로부터 일정 전류를 발생하기 위한 정 전류원 회로, 상기 정 전류원 회로의 출력 단자와 기준 전원사이에 접속되는 선정된 온도 계수를 갖는 회로 소자들, 및 상기 밴드 갭 전압원 회로의 출력 전압과 상기 회로 소자들에 발생하는 전압을 비교하기 위한 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  8. 제7항에 있어서, 선정된 온도 계수를 갖는 상기 회로 소자들이 선정된 수로 직렬 접속되는 다이오를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 과열 검출회로.
  9. 제8항에 있어서, 실온에서 상기 회로 소자들에 발생하는 전압이 상기 밴드갭 전압원 회로의 출력 전압보다 높은 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  10. 제7항에 있어서, 선정된 온도 계수를 갖는 상기 회로 소자들이 각각 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 과열 검출회로.
  11. 제10항에 있어서, 실온에서 상기 회로 소자들에 발생하는 상기 전압이 상기 밴드 갭 전압원 회로의 출력 전압보다 낮은 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  12. 제7항에 있어서, 상기 정 전류원 회로의 출력 전류가 상기 밴드 갭 전원회로의 소자 특성의 변이에 의해 발생된 출력 전압의 요동에 관련하여 변화되어 상기 요동이 상기 비교기의 입력 차동 전압에서 오프 셋 되는 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
  13. 내용 없음
  14. 제7항에 있어서, 상기 밴드 갭 전압원 회로의 출력 전압이 음의 온도 계수를 갖는 베이스-이미터 접합 전압 의존형 전압원과 양의 온도 계수를 갖는 열 전압 의존형 전압원을 합성함으로서 얻어진 전압과 같은 것을 특징으로 하는 과열 검출 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940021774A 1993-09-01 1994-08-31 과열 검출 회로 KR0136121B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417781B1 (ko) * 2000-06-23 2004-02-05 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 무선 주파수 증폭기용 능동 바이어스 네트워크 회로
KR100508073B1 (ko) * 1997-08-26 2005-10-27 삼성전자주식회사 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5808459A (en) * 1997-10-30 1998-09-15 Xerox Corporation Design technique for converting a floating band-gap reference voltage to a fixed and buffered reference voltage
US6184743B1 (en) * 1998-11-12 2001-02-06 International Business Machines Corporation Bandgap voltage reference circuit without bipolar transistors
US6400212B1 (en) * 1999-07-13 2002-06-04 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for reference voltage generator with self-monitoring
KR100308255B1 (ko) * 1999-12-21 2001-10-17 윤종용 저전원전압 반도체 장치의 기준전압 발생회로 및 방법
US6531911B1 (en) * 2000-07-07 2003-03-11 Ibm Corporation Low-power band-gap reference and temperature sensor circuit
US6294902B1 (en) * 2000-08-11 2001-09-25 Analog Devices, Inc. Bandgap reference having power supply ripple rejection
JP4678801B2 (ja) * 2000-11-01 2011-04-27 キヤノン株式会社 温度検出回路及び該回路を備えた記録装置
JP2003258105A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Ricoh Co Ltd 基準電圧発生回路及びその製造方法、並びにそれを用いた電源装置
US6642699B1 (en) * 2002-04-29 2003-11-04 Ami Semiconductor, Inc. Bandgap voltage reference using differential pairs to perform temperature curvature compensation
US6737849B2 (en) 2002-06-19 2004-05-18 International Business Machines Corporation Constant current source having a controlled temperature coefficient
JP4212036B2 (ja) * 2003-06-19 2009-01-21 ローム株式会社 定電圧発生器
TW200500611A (en) * 2003-06-30 2005-01-01 Sunplus Technology Co Ltd Voltage detection apparatus
JP2006271136A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Denso Corp Ｄｃ−ｄｃコンバータ装置
DE102005033434A1 (de) * 2005-07-18 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung kleiner Referenzspannungen
JP4807074B2 (ja) * 2005-12-28 2011-11-02 Ｔｄｋ株式会社 温度検出回路及び温度検出方法
JP5226248B2 (ja) * 2006-08-02 2013-07-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度検出回路及び半導体装置
KR100900266B1 (ko) * 2007-06-26 2009-05-29 (주)태진기술 과열방지회로
CN102288318A (zh) * 2011-05-21 2011-12-21 重庆长安汽车股份有限公司 一种电动车用永磁同步电机和控制器系统的温度检测电路
JP5655824B2 (ja) 2012-07-20 2015-01-21 株式会社デンソー 温度検出装置
CN103162852B (zh) * 2013-03-20 2014-08-06 上海理工大学 基于阈值电压交流发光二极管结温检测方法
JP6805049B2 (ja) * 2017-03-31 2020-12-23 エイブリック株式会社 基準電圧発生装置
CN111240391B (zh) * 2020-01-16 2021-09-07 唐山国芯晶源电子有限公司 一种低电源电压大斜率温度传感器电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4238738A (en) * 1977-06-15 1980-12-09 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Temperature-compensated amplifier circuit
US4636710A (en) * 1985-10-15 1987-01-13 Silvo Stanojevic Stacked bandgap voltage reference
JPS63213493A (ja) * 1987-03-02 1988-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd ３相電流出力回路
JPS6415623A (en) * 1987-07-10 1989-01-19 Mitsubishi Electric Corp Temperature detecting apparatus
GB2222884A (en) * 1988-09-19 1990-03-21 Philips Electronic Associated Temperature sensing circuit
JPH0782404B2 (ja) * 1989-07-11 1995-09-06 日本電気株式会社 基準電圧発生回路
JP2598154B2 (ja) * 1990-05-24 1997-04-09 株式会社東芝 温度検出回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508073B1 (ko) * 1997-08-26 2005-10-27 삼성전자주식회사 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치
KR100417781B1 (ko) * 2000-06-23 2004-02-05 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 무선 주파수 증폭기용 능동 바이어스 네트워크 회로

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JP2540753B2 (ja) 1996-10-09
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US5521489A (en) 1996-05-28

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