KR900019221A - 온도검출수단을 갖는 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

온도검출수단을 갖는 반도체 집적회로 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR900019221A
KR900019221A KR1019890007198A KR890007198A KR900019221A KR 900019221 A KR900019221 A KR 900019221A KR 1019890007198 A KR1019890007198 A KR 1019890007198A KR 890007198 A KR890007198 A KR 890007198A KR 900019221 A KR900019221 A KR 900019221A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
voltage
transistor
temperature
bias
Prior art date
Application number
KR1019890007198A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920008421B1 (ko
Inventor
마사유끼 고가도
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR900019221A publication Critical patent/KR900019221A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920008421B1 publication Critical patent/KR920008421B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/20Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for electronic equipment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H5/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
    • H02H5/04Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
    • H02H5/044Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using a semiconductor device to sense the temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

온도검출수단을 갖는 반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명의 의한 반도체 집적회로 장치의 일실시예를 나타내는 회로도, 제2(S)~2(D) 도는 제1도에 나타낸 실시예의 동작을 설명하기 위한 신호파형도, 제3도는 제1도의 LSI에 공급되는 기준전압을 발생시키기 위한 회로도.

Claims (10)

  1. 제1전원과, 상기제1전원에 의해 공급되는 전압과 상이한 전압을 공급하기 위한 제2전원과, 공통 연결되는 에미터와 제1전원에 동작 가능하게 결합되는 콜랙터를 갖는 한쌍의 제1트랜지스터와 제1트랜지스터의 에미터에 연결되는 그의 콜렉터와 제2전원에 동작 가능하게 결합되는 그의 에미터를 갖는 제1트렌지스터에 전류를 공급하는 제2트렌지스터를 포함하는 에미터 결합논리회로와, 상기 제2트랜지스터의 베이스에 정상 동작상태의 제1전압을 갖는 바이어스 전압을 공급하기 위한 바이어스 회로와, 온도를 검출하기 위해 에미터 결합 논리회로의 근처에 제공되는 온도 감지기와, 그리고 상기온도 감지기에 의해 검출되는 온도가 예정값을 초과할 때 비정상 온도 신호를 출력시키기 위해 온도 감지기와 바이어스 회로간에 결합되는 비정상 온도 검출회로를 단결정 기판상에 포함하며, 상기 바이어스 회로는 에미터 결합 논리 회로의 제2트랜지스터가 차단되도록 비정상 온도 검출회로부터의비정상 온도 신호에 응답하여 제1전압으로부터 제1전압과 다른 제2전압으로 바이어스전압을 정지상태로 변경시키기 위한 수단을 포함하는 것이 특징인 반도체 집적회로 장치.
  2. 제1항에서, 상기 온도 감지기는 상기 제1 및 제2전원간에 직렬로 연결되는 다이오드부와 제1전류원과, 상기 제1 및 제2전원간에 직렬로 연결되는 저항과 제2전류원을 포함하며, 상기 다이오드부는 직렬로 여결된 다수의 다이오드들로 구성되는 것이 특징인 반도체 집적회로장치.
  3. 제2항에서, 상기 비정상 온도 검출회로는 상기 온도 감지기의 상기 제1전류원과 상기 다이오드부간의 제1노드의 전위와 상기 온도감지기의 상기 제2전류원과 상기 저항간에 제2노드의 전위를 비교하기 위한 비교기와 상기 온도 감지기에 의해 검출된 온도가 예정값을 초과하고 또한 상기 비교기의 출력신호가 극성반전을 당할때 비정상 온도 신호로서 상기 비교기의 출력신호를 랫칭시키기 위한 렛치회로를 포함하는 것이 특징인 반도체 집적회로장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1노드의 전위는 거의 선형으로 온도를 상승시키도록 증가하는 특성을 갖고 있으며 또한 상기 제2노드의 전위는 온도에 무관하게 거의 일정한 제2특성을 갖고 있으며, 상기 제1 및 제2특성은 상기 예정값에서 교차하는 것이 특징인 반도체 집적회로 장치.
  5. 제3항에서 상기 랫치회로는 리세트 신호를 수신하기 위한 리세트 단자를 갖고 있으며, 상기 랫치회로는 리세트 신호가 상기 리세트 단자에서 수신될때까지 상기 비교기의 출력신호의 극성반전을 유지하는 것이 특징인 반도체 집적회로장치.
  6. 제1항에서, 상기 바이어스 회로는 바이어스 전압을 출력시키기 위한 바이어스 회로부와 정지부를 갖고 있으며, 상기 정지부는 상기 비정상 온도 점출회로로부터 비정상 온도 신호에 응답하여 상기 바이어스 회로부를 정지시키는 것이 특징인 반도체 집적회로 장치
  7. 제6항에서, 상기 바이러스 회로부는 바이어스 전압을 출력하기 위한 상기 제1전원에 결합되는 제3트랜지스터를 포함하며, 상기 정지부는 비정상 온도신호에 응답하여 상기 제3트랜지스터의 베이스 전압을 감소시키기위한 상기 제2전원에 결합되는 제4트랜지스터를 포함하는 것이 특징인 반도체 집적회로 장치
  8. 제1항에서, 상기 바이어스 회로가 정상동작상태에 있는지 또는 정지 상태에 있는지를 신호 레벨로 나타내기 위한 단자 수단을 더 포함하는 것이 특징인 반도체 집적회로 장치.
  9. 제8항에서, 상기 단자 수단은 상기 비정상 온도 검출회로의 출력에 연결되는 것이 특징인 반도체 집적회로장치.
  10. 제8항에서, 상기 단자 수단은 상기 바이어스회로의 출력에 연결되는 것이 특징인 반도체 집적회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890007198A 1988-05-31 1989-05-30 온도검출수단을 갖는 반도체 집적회로 장치 KR900019221A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-133659 1988-05-31
JP63133659A JPH01302849A (ja) 1988-05-31 1988-05-31 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900019221A true KR900019221A (ko) 1990-12-24
KR920008421B1 KR920008421B1 (ko) 1992-09-28

Family

ID=15109938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890007198A KR900019221A (ko) 1988-05-31 1989-05-30 온도검출수단을 갖는 반도체 집적회로 장치

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0344715A3 (ko)
JP (1) JPH01302849A (ko)
KR (1) KR900019221A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100736403B1 (ko) * 2005-08-19 2007-07-09 삼성전자주식회사 온도 검출기, 온도 검출방법, 및 상기 온도 검출기를구비하는 반도체 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461252A (en) * 1992-10-06 1995-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device comprising an over-temperature detection element for detecting excessive temperature of amplifiers
JP3869815B2 (ja) 2003-03-31 2007-01-17 Necエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP3810411B2 (ja) 2004-01-23 2006-08-16 Necエレクトロニクス株式会社 集積回路装置
JP4541717B2 (ja) 2004-02-09 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 集積回路装置及びその製造方法
JP4541742B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 集積回路装置
JP4536408B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 集積回路装置
JP4620962B2 (ja) 2004-03-30 2011-01-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 集積回路装置の製造方法及び酸化バナジウム膜の形成方法
JP4535367B2 (ja) 2004-05-24 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 集積回路装置
CN100389308C (zh) * 2004-05-26 2008-05-21 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 芯片温测装置及其温测方法
JP4524688B2 (ja) * 2007-01-23 2010-08-18 エルピーダメモリ株式会社 基準電圧発生回路及び半導体集積回路装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3916263A (en) * 1971-12-13 1975-10-28 Honeywell Inf Systems Memory driver circuit with thermal protection
DE3415764A1 (de) * 1984-04-27 1985-10-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur temperaturueberwachung integrierter schaltungen
US4667265A (en) * 1985-12-20 1987-05-19 National Semiconductor Corporation Adaptive thermal shutdown circuit
JPS6315528A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Nec Corp 半導体装置
JPS63124618A (ja) * 1986-11-14 1988-05-28 Nec Corp 論理ゲ−ト駆動制御回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100736403B1 (ko) * 2005-08-19 2007-07-09 삼성전자주식회사 온도 검출기, 온도 검출방법, 및 상기 온도 검출기를구비하는 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR920008421B1 (ko) 1992-09-28
JPH01302849A (ja) 1989-12-06
EP0344715A3 (en) 1991-03-27
EP0344715A2 (en) 1989-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6351360B1 (en) Apparatus for selective shutdown of devices of an integrated circuit in response to thermal fault detection
KR900010526A (ko) 반도체 전력 장치의 전류 제어 및 과잉열소모를 방지하는 유니트용 진단회로
KR0171713B1 (ko) 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로
MY113482A (en) Current detector circuit
KR950010050A (ko) 과열 검출 회로
KR900019221A (ko) 온도검출수단을 갖는 반도체 집적회로 장치
KR100213845B1 (ko) 집적 전원 공급 모니터회로
KR950015379A (ko) 반도체 메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로
KR950030451A (ko) 파워 소자 구동 회로
JPH0878494A (ja) 集積回路上の温度検出器
US5451891A (en) Potential detecting circuit
KR870005511A (ko) 열 보호회로
KR920022675A (ko) 정전압 회로
JPH05315931A (ja) レベルシフト回路
KR910010863A (ko) 전원장치가 동작되는 온도에 대해 프리세트된 의존성을 갖는 mos형 전원장치의 단락회로 보호회로
KR950026114A (ko) 반도체 소자의 데이타 출력버퍼
EP1265363B1 (en) Adjustable temperature-compensated threshold circuit with trip-points exceeding the given supplies
CN113922658B (zh) 一种驱动信号处理装置及电机系统
JP5687091B2 (ja) 電源電圧検出回路
KR0168210B1 (ko) 반도체 소자 테스터의 이상 온도 경보 회로
KR900017185A (ko) 반도체 집적회로
KR100347545B1 (ko) 전원전압 검출기
KR0119736Y1 (ko) 전원전압 선택회로
SU1267388A2 (ru) Двухпол рный стабилизированный источник питани
KR970007976B1 (ko) 트랜지스터 임펄스 파괴특성 측정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
SUBM Submission of document of abandonment before or after decision of registration