KR920022675A - 정전압 회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

정전압 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 정전압 회로의 제1실시예를 나타낸 회로도,
제2도는 본 발명에 따른 정전압 회로의 제2실시예를 나타낸 회로도,
제3도는 제2도에 나타낸 정전압 회로의 작동특성을 보여주는 그래프.

Claims (8)

  1. 밴드갭 회로(2)를 이용하여 정전압의 출력을 생성하는 정전압 회로가, 상기 밴드갭 회로에 의해 생성된 정전압과 생성값 사이의 오류전압을 검출하기 위한 오류 검출회로(4), 상기 오류 검출회로(4)로 부터 상기 오류 전압의 표시전류를 받아들이고, 받아들인 전류에 따른 전류를 생성하며, 생성된 전류를 상기 밴드갭 회로(2)로 귀환시키는 출력회로(6), 소스전압이 상승할 때 상기 밴드갭 회로(2)에 초기화 전류를 공급하는 초기화 회로(8), 등을 포함하는 정전압 회로.
  2. 제1항에 의한 정전압 회로에 있어서, 상기 초기화 회로(8)는 상기 소스전압을 받아들이며, 복수개의 다이오드들(803~807)과 초기화 할때에 상기 바이어스 회로에 의해 도통하는 제1 트랜지스터(801), 상기 출력회로(6)로부터 생성된 전류나, 상기 제1 트랜지스터(801)의 전도전류를 받아들이는 제2 트랜지스터(809) 등에 의하여, 정바이어스 전압을 생성하며, 상기 오류 검출회로(4)에 동작전류를 공급하는 초기화 회로(8).
  3. 제1항에 의한 정전압 회로에 있어서, 상기 밴드갭 회로(2)는 정전압 라인(14)과 기준 전위점(16) 사이에 연결된 저항소자와 다이오드로 구성되는 제1 직렬회로와, 트랜지스터, 다이오드, 저항소자로 구성되는 제2 직렬회로를 포함하며, 상기 제1 직렬회로의 다이오드와 저항사이의 접합부의 전압이 상기 제2 직렬회로의 트랜지스터의 베이스에 인가되는 것을 특징으로 하는 밴드갭 회로(2).
  4. 제1항에 의한 정전압 회로에 있어서, 상기 출력회로(6)는, 그의 베이스에서 상기 오류 검출회로(4)로 부터 오류전류를 받아들이는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터를 통하여 베이스 전류를 받아들이며, 상기 오류 전류에 다른 전류를 상기 밴드갭 회로(2)에 귀환시키는 트랜지스터를 포함하는 출력회로(6).
  5. 제1항에 의한 정전압 회로에 있어서, 상기 오류 검출회로(4)는 상기 밴드갭 회로(2)의 상기 제2 직렬회로 쪽에 있는 트랜지스터(22)의 베이스 전압과 콜렉터 전압 사이의 미분전압을 꺼내기 위한 미분회로(400)를 포함하는 오류 검출회로(4).
  6. 제1항에 의한 정전압 회로에 있어서, 상기 오류 검출회로(4)는 상기 밴드갭 회로(2)의 상기 제2 직렬회로 쪽에 있는 트랜지스터(22)의 베이스 전압과 콜렉터 전압사이의 미분전압을 꺼내기 위한 트랜지스터 미분회로(400), 그의 베이스와 콜렉터가 공통으로 서로 연결된 채, 상기 트랜지스터 미분회로(400)의 요소인 두개의 트랜지스터중 하나의 콜렉터 사이에 연결되는 트랜지스터(407)와 다이오드, 저항소자로 이뤄진 직렬회로, 전력원(10)을 포함하는 오류 검출회로(4).
  7. 제1항에 의한 정전압 회로에 있어서, 상기 초기화 회로(8)는 상기 정전압 라인(14)과 소스라인(18)간에 연결된 트랜지스터(800)로 구성되고, 상기 트랜지스터(800)의 베이스는, 상기 트랜지스터 미분회로(400)에 직렬로 연결된 상기 트랜지스터(407)의 공통 베이스, 콜렉터 쪽에 연결되는 것을 특징으로 하는 초기화 회로(8).
  8. 상기 제1항 또는 2항의 정전압 회로에 있어서, 상기 오류 검출회로(4), 상기 출력회로(6), 그리고 상기 초기화 회로(8)가 하나의 반도체 집적회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 오류 검출회로(4), 출력회로(6), 초기화 회로(8).
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122239B2 (ja) * 1992-07-23 2001-01-09 株式会社東芝 半導体集積回路
US5349286A (en) * 1993-06-18 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits
US5686823A (en) * 1996-08-07 1997-11-11 National Semiconductor Corporation Bandgap voltage reference circuit
US6018265A (en) * 1997-12-10 2000-01-25 Lexar Media, Inc. Internal CMOS reference generator and voltage regulator
JP3457209B2 (ja) * 1999-03-23 2003-10-14 富士通株式会社 電圧検出回路
JP3519646B2 (ja) * 1999-09-13 2004-04-19 東光株式会社 半導体装置
US6404246B1 (en) 2000-12-20 2002-06-11 Lexa Media, Inc. Precision clock synthesizer using RC oscillator and calibration circuit
JP2007133533A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Nec Electronics Corp 基準電圧生成回路
CN104635836B (zh) * 2013-11-14 2017-02-08 展讯通信(上海)有限公司 带隙基准电路
CN104635835B (zh) * 2013-11-14 2017-02-08 展讯通信(上海)有限公司 带隙基准电路

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3646436A (en) * 1969-12-22 1972-02-29 Gte Laboratories Inc Apparatus and method for measuring electrical resistance employing constant output voltage technique
US3617859A (en) * 1970-03-23 1971-11-02 Nat Semiconductor Corp Electrical regulator apparatus including a zero temperature coefficient voltage reference circuit
JPS5433828B2 (ko) * 1973-09-27 1979-10-23
NL7803607A (nl) * 1978-04-05 1979-10-09 Philips Nv Spanningsreferentieschakeling.
US4349778A (en) * 1981-05-11 1982-09-14 Motorola, Inc. Band-gap voltage reference having an improved current mirror circuit
US4443753A (en) * 1981-08-24 1984-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Second order temperature compensated band cap voltage reference
US4433283A (en) * 1981-11-30 1984-02-21 International Business Machines Corporation Band gap regulator circuit
US4525663A (en) * 1982-08-03 1985-06-25 Burr-Brown Corporation Precision band-gap voltage reference circuit
US4460864A (en) * 1983-03-17 1984-07-17 Motorola, Inc. Voltage reference circuit
JPS6091425A (ja) * 1983-10-25 1985-05-22 Sharp Corp 定電圧電源回路
ATE38104T1 (de) * 1984-04-19 1988-11-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur erzeugung einer temperatur- und versorgungsspannungsunabhaengigen referenzspannung.
US4774452A (en) * 1987-05-29 1988-09-27 Ge Company Zener referenced voltage circuit
US4795961A (en) * 1987-06-10 1989-01-03 Unitrode Corporation Low-noise voltage reference
US4906863A (en) * 1988-02-29 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Wide range power supply BiCMOS band-gap reference voltage circuit
US4849684A (en) * 1988-11-07 1989-07-18 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laaboratories CMOS bandgap voltage reference apparatus and method
US4939442A (en) * 1989-03-30 1990-07-03 Texas Instruments Incorporated Bandgap voltage reference and method with further temperature correction
US5087830A (en) * 1989-05-22 1992-02-11 David Cave Start circuit for a bandgap reference cell
US5084665A (en) * 1990-06-04 1992-01-28 Motorola, Inc. Voltage reference circuit with power supply compensation

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Publication number Publication date
DE69212889T2 (de) 1997-02-20
DE69212889D1 (de) 1996-09-26
US5289111A (en) 1994-02-22
KR100240686B1 (ko) 2000-01-15
EP0513928B1 (en) 1996-08-21
EP0513928A1 (en) 1992-11-19

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