JPH0774550A - 過熱検出回路 - Google Patents
過熱検出回路Info
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Abstract
に半導体集積回路製造上の素子特性変動に起因する検出
温度のバラツキを抑える過熱検出回路の提供。 【構成】正電源配線と負電源配線との間に接続され電源
電圧及び温度に依存しない略一定の電圧を出力するバン
ドギャップ電圧源回路と、バンドギャップ電圧源回路の
出力から定電流を生成する定電流源回路と、定電流源回
路の出力端と負電源配線との間に接続された所定の温度
係数を有する回路素子と、バンドギャップ電圧源回路の
出力電圧と所定の温度係数を有する回路素子に生じる電
圧とを比較する比較器とを備える。
Description
特に消費電力の大きい回路の過熱検出を行なうための半
導体集積回路に関する。
示している。同図に示すように、MOSFET31とM
OSFET32はカレントミラーを構成しており、MO
SFET31のゲート端子−ドレイン端子が互いに接続
され抵抗33を介して負電源VSS38に接続されてい
る。
ダイオード34を介して負電源VSS38に接続され、ダ
イオード6段分の電圧降下6VFとバンドギャップ電圧
源回路(以下「BGR回路」という)35の出力VRと
がコンパレータ36の入力端子にそれぞれ接続されてい
る。
Rは、温度係数が負のVBE依存型電圧源と温度係数が正
の熱電圧(=kT/q)依存型電圧源とを合成して生成さ
れ、温度係数を有しないように構成できるため、出力V
Rは電源電圧変動及び温度変化に依存せず一定となる。
とし、カレントミラーを構成するMOSFET31,3
2が同じ特性を有するものとして、次式(1)で与えら
れる。
ときの電圧降下6VFとBGR回路35の出力電圧VR
の関係は室温時下記の条件を満たすように設定する。
降下6VFは負の温度係数を持つため、周囲温度が高く
なると6VFの値が下がる。したがって、予め設定され
た周囲温度以上になると、電圧降下6VFはBGR回路
35の出力VRを下回り、コンパレータ36の出力が反
転し、コンパレータ36の出力信号の変化に基づき回路
の過熱状態が検出され、集積回路を保護するために例え
ば回路動作の遮断制御等が不図示の制御回路等により行
なわれる。
回路が用いられる。図4において、安定動作点では差動
増幅器の反転、非反転入力の差電圧は零となり、抵抗R
1とR2の電圧降下は等しく、電流I1とI2とはI1×R1
=I2×R2の関係を満たし、節点電圧VAとVBは互いに
等しい。なお、図示のダイオードの代わりにコレクタ−
ベースを接続したトランジスタで構成してもよい。
をISとすると、その整流特性から(kT/q)ln(I/
IS)で与えられ、抵抗R2の電圧降下VR2は下記の式
(2)で与えられる。
Voutは、ダイオード2段の順方向電圧2VBEと抵抗R1
の電圧降下(=I1×R1)の和となり、次式(3)で与
えられる。すなわち、Voutは、負の温度係数のVBE依
存型電圧源と正の温度係数の熱電圧依存型電圧源の合成
として与えられる。
出力電圧は、次式(4)で与えられ、BGR回路の出力
は、電源電圧、温度に依らず略一定値とすることができ
る。
電圧で1.205V、VT0(=kT0/q)は温度T0における
熱電圧(室温で26mV)また、α,γは所定の定数であ
る。
回路においては、電源電圧の変動により定電流源の電流
値ISに変動が生じ、検出温度も変動するという欠点を
有する。
電源電圧の変動により上式(1)における(VDD−VS
S)の値が変化するため過熱検出温度が変動し、正確な
過熱検出ができないという問題があった。
は、半導体集積回路製造上の素子特性変動、特にBGR
回路35の出力電圧VRのバラツキ(変動)に起因する
検出温度の変動を適切に抑えられないという問題があっ
た。
し、電源電圧に対する検出温度の変動を抑えると共に、
半導体集積回路製造上の素子特性変動に起因する検出温
度のバラツキを抑える過熱検出回路を提供することを目
的とする。
め、本発明は、正電源配線と負電源配線との間に接続さ
れ電源電圧及び温度に依存せずに略一定の電圧を出力す
るバンドギャップ電圧源回路と、前記バンドギャップ電
圧源回路の出力から定電流を生成する定電流源回路と、
前記定電流源回路の出力端と負電源配線との間に接続さ
れた所定の温度係数を有する回路素子と、前記バンドギ
ャップ電圧源回路の出力電圧と前記回路素子に生じる電
圧とを比較する比較器と、を備えて成る過熱検出回路を
提供する。
明する。
以下に説明する。図1には、本発明の一実施例の過熱検
出回路の回路構成が示されている。
ート端子−ドレイン端子が相互に接続され、そのソース
端子は負電源VSS20に接続されている。MOSFET
12は、MOSFET11とカレントミラーを構成して
おり、各々のMOSFETは同じ特性を有している。
はそれぞれ抵抗15の一端、MOSFET13が接続さ
れており、抵抗15の他端はBGR回路17の出力に接
続されている。
端子が相互に接続され、そのソース端子は正電源VDD1
9に接続されている。MOSFET14はMOSFET
13とカレントミラーを構成しており、各々のMOSF
ETは同じ特性を有している。
オード16が6段直列に接続されている。このダイオー
ド6段分の電圧6VFとBGR回路17の出力VRとが
コンパレータ18に入力される。
7は、例えば図4に示す前述の回路構成が用いられ、出
力は温度係数を持たないように構成されており、周囲温
度、電源によらず常に一定の電圧VRを出力する。
次式(5)で求められる電流ISを流したときの電圧値
で与えられる。
VRと6VFの関係は室温時下記の通り設定してある。
囲温度が高くなると電圧降下6VFの値が小さくなる。
したがって、ダイオード16の電圧降下6VFがBGR
回路17の出力電圧VRより低くなった時点でコンパレ
ータ18の出力が反転し、過熱検出が行われる。
R回路17内の素子特性変動により、BGR回路17の
出力電圧VRにバラツキが生じることがある。この場
合、ダイオード6段の電圧降下6VFは、上式(5)よ
りBGR回路17の出力VRと同じ向き(すなわち同
相)に変動することになる。
7の出力電圧VRが増大した場合、上式(5)からカレ
ントミラー回路の出力電流が増大してダイオード16に
流れ込む電流が増大するため、ダイオードの電圧降下6
VFはBGR回路17の出力電圧VRと同相に増大す
る。したがってBGR回路17のバラツキによるコンパ
レータ18の入力差電圧のバラツキは抑えられ、検出温
度の変動は最小限度にとどめることができる。
は、モータ駆動回路等の消費電力の大きい回路を集積回
路化する場合に極めて有効である。なお、本実施例にお
いては、直列に6個接続したダイオードの電圧降下をコ
ンパレータ18の一の入力に接続する構成が説明された
が、過熱検出の温度とBGR回路17の出力電圧VRと
の関係、及びダイオードの温度係数等によりダイオード
の段数は適宜設定される。
施例について説明する。図2に示すように、第2の実施
例は、図1に示す前記第1の実施例のダイオード16を
抵抗21で置き換えたものであり、図2において図1と
同一の機能を有する回路素子には同一の符号が付されて
いる。なお、前記第1の実施例と同一の回路素子につい
ての説明は省略する。
をなすMOSFET14のドレイン端子には抵抗21が
接続されている。そして、コンパレータ18はこの抵抗
21の電圧降下とBGR回路17の出力VRとを比較す
る。
温度係数を持ち、抵抗21の温度係数が高く設定してあ
る。
7の出力VRは温度係数を持たないため周囲温度、電源
によらずつねに一定の電圧VRを出力している。また、
抵抗21の電圧降下V21は次式(6)で与えられる。
17の出力電圧VRと、抵抗21の電圧降下V21との
関係は室温時下記の通り設定してある。 VR > V21
増大し電圧降下V21が増大する。この電圧降下V21
がBGR回路17の出力VRより高くなった時点でコン
パレータの出力が反転し、過熱検出が行われる。
内の素子特性変動により、BGR回路17の出力電圧V
Rにバラツキが生じることがある。この場合、抵抗R2
1の電圧降下V21は、上式(6)よりBGR回路17
の出力電圧VRの変動と同じ向き(すなわち同相)に変
動することになる。このため、コンパレータ18の入力
差電圧のバラツキは抑えられ、検出温度の変動は最小限
度にとどめることができる。
回路は、BGR回路の出力を定電流源の電圧源としてい
るため、電源電圧の変動に影響されずに過熱検出を行う
ことができるという利点を有する。
によりBGR回路の出力電圧に変動が生じた場合でも、
コンパレータの入力源が共に同じ向きに変動を生じるよ
うに構成されているため、検出温度のバラツキを抑える
ことができる。このため、本発明の過熱検出回路は、モ
ータ駆動回路等の消費電力の大きい回路を集積回路化す
る場合に極めて有効である。
成を示す図である。
る。
る。
示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】正電源配線と負電源配線との間に接続され
電源電圧及び温度に依存せずに略一定の電圧を出力する
バンドギャップ電圧源回路と、前記バンドギャップ電圧
源回路の出力から定電流を生成する定電流源回路と、前
記定電流源回路の出力端と負電源配線との間に接続され
た所定の温度係数を有する回路素子と、前記バンドギャ
ップ電圧源回路の出力電圧と前記回路素子に生じる電圧
とを比較する比較器と、を備えて成る過熱検出回路。 - 【請求項2】前記定電流源回路が、前記バンドギャップ
電圧源回路の出力に抵抗を介して入力端を接続した第1
の電流ミラー回路と、前記第1の電流ミラー回路の出力
端に入力端を接続した第2の電流ミラー回路から成る請
求項1記載の過熱検出回路。 - 【請求項3】前記温度係数を有する回路素子が所定個数
直列に接続されたダイオード又は抵抗から成る請求項1
又は2記載の過熱検出回路。 - 【請求項4】前記バンドギャップ電圧源回路の素子特性
のバラツキに因る出力電圧の変動に対応して前記定電流
源回路の出力電流が変化し、前記比較器の入力差電圧に
おいて該変動が相殺されるように構成されたことを特徴
とする請求項1記載の過熱検出回路。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002139385A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Canon Inc | 温度検出回路及び該回路を備えた記録装置 |
CN103162852A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-19 | 上海理工大学 | 基于阈值电压交流发光二极管结温检测方法 |
JP2014020994A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Denso Corp | 温度検出装置 |
CN108693911A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-23 | 艾普凌科有限公司 | 基准电压发生装置 |
CN111240391A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 一种低电源电压大斜率温度传感器电路 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100508073B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2005-10-27 | 삼성전자주식회사 | 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치 |
US5808459A (en) * | 1997-10-30 | 1998-09-15 | Xerox Corporation | Design technique for converting a floating band-gap reference voltage to a fixed and buffered reference voltage |
US6184743B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Bandgap voltage reference circuit without bipolar transistors |
US6400212B1 (en) * | 1999-07-13 | 2002-06-04 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for reference voltage generator with self-monitoring |
KR100308255B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2001-10-17 | 윤종용 | 저전원전압 반도체 장치의 기준전압 발생회로 및 방법 |
US6259324B1 (en) * | 2000-06-23 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Active bias network circuit for radio frequency amplifier |
US6531911B1 (en) * | 2000-07-07 | 2003-03-11 | Ibm Corporation | Low-power band-gap reference and temperature sensor circuit |
US6294902B1 (en) * | 2000-08-11 | 2001-09-25 | Analog Devices, Inc. | Bandgap reference having power supply ripple rejection |
JP2003258105A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路及びその製造方法、並びにそれを用いた電源装置 |
US6642699B1 (en) * | 2002-04-29 | 2003-11-04 | Ami Semiconductor, Inc. | Bandgap voltage reference using differential pairs to perform temperature curvature compensation |
US6737849B2 (en) | 2002-06-19 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Constant current source having a controlled temperature coefficient |
JP4212036B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 定電圧発生器 |
TW200500611A (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-01 | Sunplus Technology Co Ltd | Voltage detection apparatus |
JP2006271136A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Denso Corp | Dc−dcコンバータ装置 |
DE102005033434A1 (de) * | 2005-07-18 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung kleiner Referenzspannungen |
JP4807074B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-11-02 | Tdk株式会社 | 温度検出回路及び温度検出方法 |
JP5226248B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2013-07-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 温度検出回路及び半導体装置 |
KR100900266B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2009-05-29 | (주)태진기술 | 과열방지회로 |
CN102288318A (zh) * | 2011-05-21 | 2011-12-21 | 重庆长安汽车股份有限公司 | 一种电动车用永磁同步电机和控制器系统的温度检测电路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4238738A (en) * | 1977-06-15 | 1980-12-09 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Temperature-compensated amplifier circuit |
US4636710A (en) * | 1985-10-15 | 1987-01-13 | Silvo Stanojevic | Stacked bandgap voltage reference |
JPS63213493A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 3相電流出力回路 |
JPS6415623A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature detecting apparatus |
GB2222884A (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-21 | Philips Electronic Associated | Temperature sensing circuit |
JPH0782404B2 (ja) * | 1989-07-11 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 基準電圧発生回路 |
JP2598154B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 温度検出回路 |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP5239269A patent/JP2540753B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-31 KR KR1019940021774A patent/KR0136121B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-08-31 US US08/299,239 patent/US5521489A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002139385A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Canon Inc | 温度検出回路及び該回路を備えた記録装置 |
JP2014020994A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Denso Corp | 温度検出装置 |
US9217677B2 (en) | 2012-07-20 | 2015-12-22 | Denso Corporation | Temperature measuring apparatus with sensor assembly of sensing devices connected together |
CN103162852A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-19 | 上海理工大学 | 基于阈值电压交流发光二极管结温检测方法 |
CN108693911A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-23 | 艾普凌科有限公司 | 基准电压发生装置 |
CN108693911B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-01-12 | 艾普凌科有限公司 | 基准电压发生装置 |
TWI746823B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-11-21 | 日商艾普凌科有限公司 | 參考電壓產生裝置 |
CN111240391A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 一种低电源电压大斜率温度传感器电路 |
CN111240391B (zh) * | 2020-01-16 | 2021-09-07 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 一种低电源电压大斜率温度传感器电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5521489A (en) | 1996-05-28 |
JP2540753B2 (ja) | 1996-10-09 |
KR0136121B1 (ko) | 1998-06-01 |
KR950010050A (ko) | 1995-04-26 |
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