CN112904923B - 电流产生电路 - Google Patents

Abstract

一种电流产生电路包含温度感测电路、电阻单元与电流镜电路。温度感测电路用于依据电流产生电路的温度产生参考电压。电阻单元耦接于温度感测电路，具有电阻值，用于依据参考电压和电阻值决定参考电流的大小。电流镜电路耦接于温度感测电路，用于依据参考电流产生输出电流。温度感测电路与电阻单元都具有正温度系数或都具有负温度系数。

Description

电流产生电路

技术领域

本发明涉及一种电流产生电路，特别涉及一种能产生不受温度影响的定电流的电流产生电路。

背景技术

集成电路中的许多元件会随着温度而改变其特性。由电感和变电器组成的反馈系统可以在集成电路中产生与温度无关的定电流，但这种做法会提高电路复杂度。业界常利用比反馈系统简单的电路(例如，带隙电路，Bandgap Circuit)来产生与温度无关的定电压，再利用额外的输出接脚将与温度无关的定电压提供至外部电阻以产生不受温度影响的定电流。然而，额外的输出接脚会提高封装难度，外部电阻也会大幅增加额外的成本。

发明内容

本发明提供一种电流产生电路，其包含温度感测电路、电阻单元与电流镜电路。温度感测电路用于依据电流产生电路的温度产生参考电压。电阻单元耦接于温度感测电路，具有电阻值，用于依据参考电压和电阻值决定参考电流的大小。电流镜电路耦接于温度感测电路，用于依据参考电流产生输出电流。温度感测电路与电阻单元都具有正温度系数或都具有负温度系数。

上述的电流产生电路具有简单的结构，且能在集成电路中产生不受温度影响的定电流。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的电流产生电路的功能方块图。

图2为依据本发明一实施例的图1的温度感测电路与电阻单元的元件特性示意图。

图3为依据本发明另一实施例的图1的温度感测电路与电阻单元的元件特性示意图。

图4为依据本发明另一实施例的电流产生电路的功能方块图。

图5为依据本发明又一实施例的电流产生电路的功能方块图。

图6为依据本发明又一实施例的电流产生电路的功能方块图。

图7为依据本发明又一实施例的电流产生电路的功能方块图。

图8为依据本发明一实施例的图7的温度感测电路与电阻单元的元件特性示意图。

图9为依据本发明另一实施例的图7的温度感测电路与电阻单元的元件特性示意图。

符号说明

100、400、500、600、700 电流产生电路

110、510、610、710 温度感测电路

112、512、612、712 第一感测晶体管

514、614、714 第二感测晶体管

616 第三感测晶体管

120、520、720 电阻单元

130、430、530、730 电流镜电路

132、532、732 第一电流晶体管

134、534、734 第二电流晶体管

136、536 第三电流晶体管

432 第四电流晶体管

138 分压电阻

540、620、740 控制电路

Vc 控制电压

210、220、310、320、810～840、910～940 线段

V1 第一电压电平

V2 第二电压电平

R1 第一电阻值

R2 第二电阻值

P1 第一电源端

P2 第二电源端

Op 输出节点

Vref 参考电压

Iref 参考电流

Iout 输出电流

具体实施方式

以下将配合相关图式来说明本发明的实施例。在图式中，相同的标号表示相同或类似的元件或方法流程。

图1为根据本发明一实施例的电流产生电路100的功能方块图。电流产生电路100包含温度感测电路110、电阻单元120与电流镜电路130。温度感测电路110用于感测电流产生电路100的温度以产生一感测结果，并用于提供参考电压Vref至电阻单元120，其中参考电压Vref的大小对应于感测结果。电阻单元120耦接于温度感测电路110。电阻单元120会依据参考电压Vref决定流经电阻单元120的参考电流Iref的大小。电阻单元120的电阻值会对应于电流产生电路100的温度。因此，参考电流Iref的大小不随温度变化而改变。

电流镜电路130耦接于温度感测电路110，且通过温度感测电路110耦接于电阻单元120。电流镜电路130用于提供参考电流Iref，且用于提供不同于参考电流Iref的输出电流Iout。参考电流Iref与输出电流Iout的大小互相对应。因此，输出电流Iout的大小也不随温度变化而改变。

如图1所示，温度感测电路110包含第一感测晶体管112。第一感测晶体管112包含第一端、第二端与控制端。第一感测晶体管112的第一端和第二端分别耦接于电流镜电路130和电阻单元120，且第一感测晶体管112的第二端用于提供参考电压Vref。第一感测晶体管112的控制端和第一端互相耦接。

在本实施例中，第一感测晶体管112为NPN双载子(bipolar)晶体管，且第一感测晶体管112的第一端、第二端与控制端分别为集电极、发射极与基极。在另一实施例中，第一感测晶体管112可以用N型金属氧化物半导体晶体管来实现。

电流镜电路130包含第一电流晶体管132、第二电流晶体管134、第三电流晶体管136与分压电阻138。第一电流晶体管132、第二电流晶体管134与第三电流晶体管136都包含第一端、第二端与控制端。第一电流晶体管132的第一端和第二端分别耦接于第一电源端P1和第二电流晶体管134的第一端。第二电流晶体管134的第二端和控制端分别耦接于分压电阻138的第一端和第二端。第三电流晶体管136的第一端和第二端分别耦接于第一电源端P1和输出节点Op。第一电流晶体管132的控制端和第三电流晶体管136的控制端耦接于分压电阻138的第一端。第三电流晶体管136用于提供输出电流Iout至输出节点Op。另外，分压电阻138的第二端耦接于第一感测晶体管112的第一端和控制端。

电阻单元120的第一端和第二端分别耦接于第一感测晶体管112的第二端和第二电源端P2。在本发明中，第一电源端P1的电压高于第二电源端P2的电压。在一实施例中，第一电源端P1耦接工作电压，第二电源端P2耦接地。虽然图1仅以一个电阻符号表示电阻单元120，但本实施例不以此为限。本发明中的电阻单元可以依据实际设计需求包含多个串联及/或并联的电阻。另外，本发明中的电阻可以用金属氧化物半导体晶体管来实现，也可以用通过离子植入形成的井区来实现。

图2为依据本发明一实施例的温度感测电路110与电阻单元120的元件特性示意图。请同时参考图1与图2，线段210代表温度感测电路110提供的参考电压Vref的电压对温度特性线，线段220则代表电阻单元120的电阻值对温度特性线。温度感测电路110与电阻单元120都具有负的温度系数，即参考电压Vref与电阻单元120的电阻值会随着温度上升而降低。因此，线段210和线段220都具有负的斜率。

当电流产生电路100具有第一温度T1时，参考电压Vref具有第一电压电平V1且电阻单元120具有第一电阻值R1。当电流产生电路100具有第二温度T2时，参考电压Vref具有第二电压电平V2且电阻单元120具有第二电阻值R2。第一电压电平V1与第二电压电平V2的关系可由以下的《公式1》表示。第一电阻值R1与第二电阻值R2的关系可由以下的《公式2》表示。在以下的公式中，符号λ1与λ2分别代表线段210和线段220的斜率。

V2_＝λ1×(T2-T1)+V1《公式1》

R2_＝λ2×(T2-T1)+R1《公式2》

在本实施例中，第一电压电平V1除以第一电阻值R1的商数，会相同于第二电压电平V2除以第二电阻值R2的商数，以使参考电流Iref的大小与温度无关。换言之，线段210和线段220的斜率会具有固定的倍数关系。如以下的《公式3》所示，线段210的斜率除以线段220的斜率会得到一大于或等于零的常数(以符号K表示)。

λ1/λ2＝K《公式3》

在一些实施例中，参考电流Iref的大小会相同于线段210的斜率除以线段220的斜率所得到的商值(例如，K安培)。

在另一些实施例中，电流产生电路100可能面临某些制造方法缺陷，所以线段210和线段220的斜率是维持于大致相同的倍数关系。亦即，实际上线段210的斜率除以线段220的斜率所得到的商值，可能会介于前述常数的80％～120％之间。

图3为依据本发明另一实施例的温度感测电路110与电阻单元120的元件特性示意图。请同时参考图1与

图3，线段310代表温度感测电路110提供的参考电压Vref的电压对温度特性线，线段320则代表电阻单元120的电阻值对温度特性线。温度感测电路110与电阻单元120都具有正的温度系数。因此，线段310和线段320都具有正的斜率。线段310和线段320的斜率被设置为具有固定(或大致相同)的倍数关系，亦即线段310的斜率与线段320的斜率相除会得到一常数(或介于该常数的80％～120％之间)。如此一来，参考电流Iref和输出电流Iout的大小会与温度无关。

图4为依据本发明一实施例的电流产生电路400的功能方块图。图4的电流产生电路400相似于图1的电流产生电路100，差异在于，电流产生电路400的电流镜电路430另包含第四电流晶体管432。第四电流晶体管432包含第一端、第二端与控制端。第四电流晶体管432的第一端与第二端分别耦接于第三电流晶体管136的第二端与输出节点Op。第四电流晶体管432的控制端耦接于第二电流晶体管134的控制端，且耦接于分压电阻138的第二端。前述电流产生电路100的其余连接方式、元件、实施方式以及优点，都适用于电流产生电路400，为简洁起见，在此不重复赘述。

图5为依据本发明一实施例的电流产生电路500的功能方块图。电流产生电路500包含温度感测电路510、电阻单元520与电流镜电路530。温度感测电路510用于感测电流产生电路500的温度以产生一感测结果，并用于依据感测结果提供具有对应大小的参考电压Vref至电阻单元520。电阻单元520耦接于温度感测电路510。电阻单元520会依据参考电压Vref决定参考电流Iref的大小，且电阻单元520的电阻值会对应于电流产生电路500的温度而变化。电流镜电路530耦接于温度感测电路510，且通过温度感测电路510耦接于电阻单元520。电流镜电路530用于提供参考电流Iref，且用于产生输出电流Iout。参考电流Iref与输出电流Iout的大小互相对应，且参考电流Iref与输出电流Iout的大小都与温度无关。

如图5所示，电流镜电路530包含第一电流晶体管532、第二电流晶体管534与第三电流晶体管536。第一电流晶体管532、第二电流晶体管534与第三电流晶体管536都包含第一端、第二端与控制端。第一电流晶体管532的第一端与第二端分别耦接于第一电源端P1与温度感测电路510。第二电流晶体管534的第一端与第二端分别耦接于第一电源端P1与温度感测电路510，且第二电流晶体管534用于提供参考电流Iref。第三电流晶体管536的第一端与第二端分别耦接于第一电源端P1与输出节点Op，且第三电流晶体管536用于提供输出电流Iout。第一电流晶体管532的控制端、第二电流晶体管534的控制端与第三电流晶体管536的控制端互相耦接，且耦接于第二电流晶体管534的第二端。

温度感测电路510包含第一感测晶体管512和控制电路540。第一感测晶体管512包含第一端、第二端与控制端。第一感测晶体管512的第一端与第二端分别耦接于第二电流晶体管534的第二端以及电阻单元520的第一端。控制电路540用于依据电流产生电路500的温度输出具有对应大小的控制电压Vc至第一感测晶体管512的控制端，以决定参考电压Vref的大小。控制电路540包含第二感测晶体管514。第二感测晶体管514包含第一端、第二端与控制端。第二感测晶体管514的第一端与控制端用于提供控制电压Vc，并都耦接于第一电流晶体管532的第二端以及第一感测晶体管512的控制端。第二感测晶体管514的第二端耦接于第二电源端P2。另外，电阻单元520的第二端耦接于第二电源端P2。

在本实施例中，第二感测晶体管514与电阻单元520都具有负温度系数，亦即第二感测晶体管514提供的控制电压Vc与电阻单元520的电阻值会随着温度上升而降低。第一感测晶体管512为原生(native)晶体管，亦即第一感测晶体管512的临界电压趋近于零(例如，0.2伏特)。因此，参考电压Vref会趋近于控制电压Vc，且参考电压Vref也会随着温度上升而降低。在其他实施例中，第一感测晶体管512不限定为原生晶体管。前述图2中线段210与线段220的斜率之间的固定或大致相同的倍数关系，也适用于图5的参考电压Vref的电压对温度特性线(未绘示)以及图5的电阻单元520的电阻值对温度特性线(未绘示)，为简洁起见，相关内容在此不重复赘述。如此一来，电流产生电路500的参考电流Iref与输出电流Iout的大小会与温度无关。

在另一实施例中，第二感测晶体管514与电阻单元520都具有正温度系数，即控制电压Vc与电阻单元520的电阻值会随着温度上升而增加。在此情况下，前述图3中线段310与线段320的斜率之间的固定或大致相同的倍数关系，也适用于图5的参考电压Vref的电压对温度特性线(未绘示)以及图5的电阻单元520的电阻值对温度特性线(未绘示)，为简洁起见，相关内容在此不重复赘述。如此一来，电流产生电路500的参考电流Iref与输出电流Iout的大小会与温度无关。

在本实施例中，第一感测晶体管512可以是任一种N型金属氧化物半导体，例如：原生型晶体管、一般型晶体管、增强型晶体管及耗尽型晶体管。在另一实施例中，第一感测晶体管512可以用NPN型双载子晶体管来实现，且第一感测晶体管512的第一端、第二端与控制端分别为集电极、发射极与基极。

图6为依据本发明一实施例的电流产生电路600的功能方块图。电流产生电路600相似于电流产生电路500，差异在于，电流产生电路600的温度感测电路610不同于电流产生电路500的温度感测电路510。温度感测电路610包含第一感测晶体管612与控制电路620。第一感测晶体管612包含第一端、第二端与控制端。第一感测晶体管612的第一端与第二端分别耦接于第二电流晶体管534的第二端以及电阻单元520的第一端。

控制电路620用于依据电流产生电路600的温度输出具有对应大小的控制电压Vc至第一感测晶体管612的控制端，以决定参考电压Vref的大小。控制电路620包含第二感测晶体管614与第三感测晶体管616。第二感测晶体管614与第三感测晶体管616都包含第一端、第二端与控制端。第二感测晶体管614的第一端与控制端用于提供控制电压Vc，并都耦接于第一电流晶体管532的第二端以及第一感测晶体管612的控制端。第三感测晶体管616的第一端与控制端都耦接于第二感测晶体管614的第二端。第三感测晶体管616的第二端耦接于第二电源端P2。

在本实施例中，第一感测晶体管612、第二感测晶体管614与第三感测晶体管616都为NPN型双载子晶体管，且都具有负温度系数。因此，第一感测晶体管612、第二感测晶体管614与第三感测晶体管616的基极-发射极电压差会随着温度上升而降低。参考电压Vref会相同于第二感测晶体管614的第二端的电压，因此参考电压Vref也会随着温度上升而降低。前述图2中线段210与线段220的斜率之间的固定或大致相同的倍数关系，也适用于图6的参考电压Vref的电压对温度特性线(未绘示)以及图6的电阻单元520的电阻值对温度特性线(未绘示)，为简洁起见，相关内容在此不重复赘述。如此一来，电流产生电路600的参考电流Iref与输出电流Iout的大小会与温度无关。

在另一实施例中，第一感测晶体管612、第二感测晶体管614与第三感测晶体管616都具有正温度系数。因此，参考电压Vref会随着温度上升而增加。在此情况下，前述图3中线段310与线段320的斜率之间的固定(或大致相同)倍数关系，也适用于图6的参考电压Vref的电压对温度特性线(未绘示)以及图6的电阻单元520的电阻值对温度特性线(未绘示)，为简洁起见，相关内容在此不重复赘述。如此一来，电流产生电路600的参考电流Iref与输出电流Iout的大小会与温度无关。

图7为依据本发明一实施例的电流产生电路700的功能方块图。电流产生电路700包含温度感测电路710、电阻单元720与电流镜电路730。温度感测电路710用于感测电流产生电路700的温度以产生一感测结果，并用于依据感测结果提供具有对应大小的参考电压Vref至电阻单元720。电阻单元720耦接于温度感测电路710。电阻单元720会依据参考电压Vref决定参考电流Iref的大小，且电阻单元720的电阻值会对应于电流产生电路500的温度而变化。电流镜电路730耦接于温度感测电路710，且通过温度感测电路710耦接于电阻单元720。电流镜电路730用于提供参考电流Iref，且用于产生输出电流Iout。参考电流Iref与输出电流Iout的大小互相对应，且参考电流Iref与输出电流Iout的大小都与温度无关。

电流镜电路730包含第一电流晶体管732与第二电流晶体管734。第一电流晶体管732与第二电流晶体管734都包含第一端、第二端与控制端。第一电流晶体管732的第一端与第二端分别耦接于第一电源端P1与温度感测电路710。第二电流晶体管734的第一端与第二端分别耦接于第一电源端P1与输出节点Op，其中第二电流晶体管734的第二端用于提供输出电流Iout。第一电流晶体管732与第二电流晶体管734的控制端都耦接于第一电流晶体管732的第二端。

温度感测电路710包含第一感测晶体管712与控制电路740。第一感测晶体管712包含第一端、第二端与控制端。第一感测晶体管712的第一端与第二端分别耦接于第一电流晶体管732的第二端以及电阻单元720。第一感测晶体管712的第二端用于提供参考电压Vref。控制电路740用于依据电流产生电路700的温度输出控制电压Vc至第一感测晶体管712的第二端，以决定参考电压Vref的大小。

控制电路740包含第二感测晶体管714、放大器716与电流源718。第二感测晶体管714包含第一端、第二端与控制端。第二感测晶体管714的第一端与第二端分别耦接于第一节点N1与第二电源端P2。第二感测晶体管714的第一端与控制端互相耦接。放大器716包含第一输入端(例如，正相输入端)、第二输入端(例如，反相输入端)与输出端。放大器716的第一输入端耦接于第一节点N1，第二输入端则耦接于第一感测晶体管712的第二端，其中第二输入端用于提供控制信号Vc。放大器716的输出端耦接于第一感测晶体管712的控制端。电流源718用于提供控制电流Ic至第一节点N1。

图8为依据本发明一实施例的温度感测电路710与电阻单元720的元件特性示意图。线段810代表参考电压Vref的电压对温度特性线。线段820代表电阻单元720的电阻值对温度特性线。请同时参考图7与图8，温度感测电路710与电阻单元720都具有负温度系数，因此参考电压Vref与电阻单元720的电阻值会随温度上升而降低。线段810的斜率与线段820的斜率被设置为具有固定或大致相同的倍数关系，以使参考电流Iref与输出电流Iout的大小与温度无关。

线段830代表控制电流Ic的电流对温度特性线。线段840代表第二感测晶体管714的控制端电压的电压对温度特性线。第二感测晶体管714与电流源718具有相反的温度系数。例如，当第二感测晶体管714具有正温度系数时，电流源718便具有负温度系数，反之亦然。因此，线段830的斜率与线段840的斜率的乘积小于零。控制电流Ic可以为定电流，通过调整控制电流Ic的大小与第二感测晶体管714的元件特性，便可以决定第一节点N1的电压随温度变化的趋势。由于放大器716的第一输入端与第二输入端之间为虚短路，参考电压Vref会等于第一节点N1的电压。

换言之，通过调整线段830的斜率及/或线段840的斜率，便可以调整线段810的斜率。因此，线段810的斜率会介于线段830的斜率与线段840的斜率之间。

图9为依据本发明另一实施例的温度感测电路710与电阻单元720的元件特性示意图。线段910代表参考电压Vref的电压对温度特性线。线段920代表电阻单元720的电阻值对温度特性线。线段930代表控制电流Ic的电流对温度特性线。线段940代表第二感测晶体管714的控制端电压的电压对温度特性线。请同时参考图7与图9，温度感测电路710与电阻单元720都具有正温度系数，因此参考电压Vref与电阻单元720的电阻值会随温度上升而增加。线段910的斜率与线段920的斜率被设置为具有固定或大致相同的倍数关系，以使参考电流Iref与输出电流Iout的大小与温度无关。在此情况下，第二感测晶体管714与电流源718亦具有相反的温度系数，因而可以通过调整线段930的斜率及/或线段940的斜率来调整线段910的斜率。

由上述可知，电流产生电路100、400、500、600和700能够以简单的电路架构在集成电路中产生与温度无关的电流。电流产生电路100、400、500、600和700的运行无需搭配额外的输出接脚与外部元件，因而具有节省电路面积的优点。

在说明书及申请专利范围中使用了某些词汇来指称特定的元件。然而，本领域技术人员应可理解，同样的元件可能会用不同的名词来称呼。说明书及权利要求范围并不以名称的差异做为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来做为区分的基准。在说明书及权利要求范围所提及的“包含”为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。另外，“耦接”在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述第一元件耦接于第二元件，则代表第一元件可通过电性连接或无线传输、光学传输等信号连接方式而直接地连接于第二元件，或者通过其他元件或连接手段间接地电性或信号连接至该第二元件。

在此所使用的“及/或”的描述方式，包含所列举的其中之一或多个项目的任意组合。另外，除非说明书中特别指明，否则任何单数格的用语都同时包含复数格的涵义。

以上仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电流产生电路，包含：

一温度感测电路，用于依据该电流产生电路的温度产生具有对应大小的一参考电压；

一电阻单元，耦接于该温度感测电路，具有一电阻值，用于依据该参考电压和该电阻值决定一参考电流的大小；以及

一电流镜电路，耦接于该温度感测电路，用于依据该参考电流产生一输出电流；

其中该温度感测电路与该电阻单元都具有正温度系数或都具有负温度系数，使得该参考电流的大小不随温度变化而改变。

2.如权利要求1所述的电流产生电路，其中，该温度感测电路的该参考电压的电压对温度特性线具有一第一斜率，该电阻单元的该电阻值对温度特性线具有一第二斜率，该第一斜率除以该第二斜率的商数为K，且K为大于或等于零的常数。

3.如权利要求1所述的电流产生电路，其中，该温度感测电路包含：

一第一感测晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第一感测晶体管的该第一端与该第一感测晶体管的该第二端分别耦接于该电流镜电路与该电阻单元，该第一感测晶体管的该控制端耦接于该第一感测晶体管的该第一端；

其中该第一感测晶体管的该第二端用于提供该参考电压。

4.如权利要求3所述的电流产生电路，其中，该电流镜电路包含：

一分压电阻，包含一第一端与一第二端，其中该分压电阻的该第二端耦接于该第一感测晶体管的该第一端；

一第一电流晶体管,包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第一电流晶体管的第一端耦接于一第一电源端；

一第二电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第二电流晶体管的第一端耦接于该第一电流晶体管的第二端，该第二电流晶体管的第二端耦接于该分压电阻的第一端，该第二电流晶体管的控制端耦接于该分压电阻的该第二端；以及

一第三电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第三电流晶体管的第一端耦接于该第一电源端，该第三电流晶体管的第二端用于提供该输出电流，其中该第三电流晶体管的控制端与该第一电流晶体管的控制端耦接于该分压电阻的该第一端。

5.如权利要求1所述的电流产生电路，其中，该温度感测电路包含：

一第一感测晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第一感测晶体管的第一端耦接于该电流镜电路，该第一感测晶体管的第二端耦接于该电阻单元，用于提供该参考电压至该电阻单元；以及

一控制电路，耦接于该电流镜电路与该第一感测晶体管的控制端，用于依据该电流产生电路的温度输出具有对应大小的一控制电压至该第一感测晶体管，以决定该参考电压的大小。

6.如权利要求5所述的电流产生电路，其中，该控制电路包含：

一第二感测晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第二感测晶体管的该控制端耦接于该电流镜电路、该第二感测晶体管的该第一端以及该第一感测晶体管的该控制端，该第二感测晶体管的该控制端用于提供该控制电压，该第二感测晶体管的第二端耦接于一第二电源端。

7.如权利要求6所述的电流产生电路，其中，该控制电路还包含：

一第三感测晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第三感测晶体管的该控制端耦接于该第二感测晶体管的该第二端与该第三感测晶体管的该第一端，该第三感测晶体管的该第二端耦接于该第二电源端。

8.如权利要求6所述的电流产生电路，其中，该电流镜电路包含：

一第一电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第一电流晶体管的第一端耦接于一第一电源端，该第一电流晶体管的第二端耦接于该第二感测晶体管的第一端；

一第二电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第二电流晶体管的第一端耦接于该第一电源端，该第二电流晶体管的第二端耦接于该第一感测晶体管的第一端；以及

一第三电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第三电流晶体管的第一端耦接于该第一电源端，该第三电流晶体管的第二端耦接于一输出节点，用于提供该输出电流，其中该第一电流晶体管的控制端、该第二电流晶体管的控制端与该第三电流晶体管的控制端耦接于该第一感测晶体管的第一端。

9.如权利要求5所述的电流产生电路，其中，该控制电路包含：

一电流源；

一放大器，包含一第一输入端、一第二输入端与一输出端，其中该放大器的该第一输入端耦接于该电流源，该放大器的该第二输入端耦接于该第一感测晶体管与该电阻单元之间，该放大器的该第二输入端用于提供该控制电压，该放大器的该输出端耦接于该第一感测晶体管的该控制端；以及

一第二感测晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第二感测晶体管的第一端和控制端耦接于该电流源，该第二感测晶体管的第二端耦接于一第二电源端。

10.如权利要求9所述的电流产生电路，其中，该电流镜电路包含：

一第一电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第一电流晶体管的第一端耦接于一第一电源端，该第一电流晶体管的第二端和控制端耦接于该第一感测晶体管的第一端；以及

一第二电流晶体管，包含一第一端、一第二端与一控制端，其中该第二电流晶体管的第一端耦接于该第一电源端，该第二电流晶体管的第二端耦接于一输出节点，用于提供该输出电流，其中该第一电流晶体管的控制端与该第二电流晶体管的控制端互相耦接。

Images