JP2836547B2 - 基準電流回路 - Google Patents
基準電流回路Info
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- bipolar transistor
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
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- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、基準電流回路に関
し、特に、一定の温度特性を有する基準電流回路に関す
る。
し、特に、一定の温度特性を有する基準電流回路に関す
る。
【０００１】
【従来の技術】従来、この種の基準電流回路は、例えば
１９９４年信学回春季大会Ｃ−６６３に発表された基準
電流回路に示されるように、温度変化に依存しない一定
電流値を有する基準電流を発生することを目的として用
いられている。
１９９４年信学回春季大会Ｃ−６６３に発表された基準
電流回路に示されるように、温度変化に依存しない一定
電流値を有する基準電流を発生することを目的として用
いられている。
【０００２】図４は、上記学会にて発表された基準電流
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【０００３】図４において、３段にカスコード接続され
たダイオードＤ１、Ｄ２およびＤ３は、定電流Ｉ０によ
って駆動され、エミッタ抵抗を持つバイポーラトランジ
スタＱ１７のベース端子に接続される。バイポーラトラ
ンジスタＱ１７のエミッタ端子は、抵抗Ｒ５の一端に接
続され、抵抗Ｒ５の他端は、ダイオード接続されたバイ
ポーラトランジスタＱ１４のコレクタ端子に接続され
る。ダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ１
４は、バイポーラトランジスタＱ１５とからなるシンプ
ルカレントミラー回路を構成する。またバイポーラトラ
ンジスタＱ１４は、バイポーラトランジスタＱ１６と抵
抗Ｒ６とからなるワイドラーカレントミラー回路を構成
する。
たダイオードＤ１、Ｄ２およびＤ３は、定電流Ｉ０によ
って駆動され、エミッタ抵抗を持つバイポーラトランジ
スタＱ１７のベース端子に接続される。バイポーラトラ
ンジスタＱ１７のエミッタ端子は、抵抗Ｒ５の一端に接
続され、抵抗Ｒ５の他端は、ダイオード接続されたバイ
ポーラトランジスタＱ１４のコレクタ端子に接続され
る。ダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ１
４は、バイポーラトランジスタＱ１５とからなるシンプ
ルカレントミラー回路を構成する。またバイポーラトラ
ンジスタＱ１４は、バイポーラトランジスタＱ１６と抵
抗Ｒ６とからなるワイドラーカレントミラー回路を構成
する。
【０００４】ＭＯＳトランジスタＭ１１とＭ１２とはシ
ンプルカレントミラー回路を構成し、ダイオード接続さ
れたＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン端子にはシン
プルカレントミラー回路Ｑ１４およびＱ１５とワイドラ
ーカレントミラー回路Ｑ１４、Ｑ１５およびＲ６からの
それぞれのミラー電流が加算された電流が流れる。ＭＯ
ＳトランジスタＭ１１とＭ１２とからなるシンプルカレ
ントミラー回路からのミラー電流、すなわちＭＯＳトラ
ンジスタＭ１２のソース電流は、基準電流ＩＲＥＦとし
て出力される。
ンプルカレントミラー回路を構成し、ダイオード接続さ
れたＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン端子にはシン
プルカレントミラー回路Ｑ１４およびＱ１５とワイドラ
ーカレントミラー回路Ｑ１４、Ｑ１５およびＲ６からの
それぞれのミラー電流が加算された電流が流れる。ＭＯ
ＳトランジスタＭ１１とＭ１２とからなるシンプルカレ
ントミラー回路からのミラー電流、すなわちＭＯＳトラ
ンジスタＭ１２のソース電流は、基準電流ＩＲＥＦとし
て出力される。
【０００５】ＭＯＳトランジスタＭ１１とＭ１０とはシ
ンプルカレントミラー回路を構成し、シンプルカレント
ミラー回路からのミラー電流、すなわちＭＯＳトランジ
スタＭ１０のソース電流が３段に接続されたダイオード
Ｄ１、Ｄ２およびＤ３に流れてバイアスがかけられるこ
とで電流ループが形成される。
ンプルカレントミラー回路を構成し、シンプルカレント
ミラー回路からのミラー電流、すなわちＭＯＳトランジ
スタＭ１０のソース電流が３段に接続されたダイオード
Ｄ１、Ｄ２およびＤ３に流れてバイアスがかけられるこ
とで電流ループが形成される。
【０００６】コンデンサＣ１は電圧ＶＳＳによって電荷
が蓄積され、蓄積された電荷をスタートアップ電流とし
てバイポーラトランジスタＱ１７のベース端子に供給す
る。
が蓄積され、蓄積された電荷をスタートアップ電流とし
てバイポーラトランジスタＱ１７のベース端子に供給す
る。
【０００７】この定電流回路において、３段に接続され
たダイオードＤ１、Ｄ２およびＤ３のバイアス電流が温
度特性を持たないと仮定すると、ダイオードの順方向電
圧とバイポーラトランジスタＱ１４のベース・エミッタ
端子間電圧は等しく、−２ｍＶ／℃となる。したがっ
て、抵抗Ｒ５を流れる電流Ｉ１は、抵抗Ｒ５の温度係数
が高くないと仮定すると負の温度特性を有する。
たダイオードＤ１、Ｄ２およびＤ３のバイアス電流が温
度特性を持たないと仮定すると、ダイオードの順方向電
圧とバイポーラトランジスタＱ１４のベース・エミッタ
端子間電圧は等しく、−２ｍＶ／℃となる。したがっ
て、抵抗Ｒ５を流れる電流Ｉ１は、抵抗Ｒ５の温度係数
が高くないと仮定すると負の温度特性を有する。
【０００８】電流Ｉ１は、ダイオード接続されたバイポ
ーラトランジスタＱ１７に流れるため、シンプルカレン
トミラー回路のミラー回路を構成するバイポーラトラン
ジスタＱ１５のコレクタ電流も負の温度特性を有する 一方、ワイドラーカレントミラー回路は、ダイオード接
続されたバイポーラトランジスタＱ１４に流れる電流Ｉ
１の負の温度特性を正の温度特性に変換してミラー電流
として出力する。シンプルカレントミラー回路の出力電
流とワイドラーカレントミラー回路の出力電流とは加算
されてＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン端子に供給
されるため両者の電流値を重み付けすることにより、す
なわち、両電流の和電流の加算比を設定することで、温
度特性を持たないドレイン電流がＭＯＳトランジスタＭ
１１に流れる。したがって、ＭＯＳトランジスタＭ１２
からの基準電流ＲＥＦの温度特性を一定にさせることが
できる。
ーラトランジスタＱ１７に流れるため、シンプルカレン
トミラー回路のミラー回路を構成するバイポーラトラン
ジスタＱ１５のコレクタ電流も負の温度特性を有する 一方、ワイドラーカレントミラー回路は、ダイオード接
続されたバイポーラトランジスタＱ１４に流れる電流Ｉ
１の負の温度特性を正の温度特性に変換してミラー電流
として出力する。シンプルカレントミラー回路の出力電
流とワイドラーカレントミラー回路の出力電流とは加算
されてＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン端子に供給
されるため両者の電流値を重み付けすることにより、す
なわち、両電流の和電流の加算比を設定することで、温
度特性を持たないドレイン電流がＭＯＳトランジスタＭ
１１に流れる。したがって、ＭＯＳトランジスタＭ１２
からの基準電流ＲＥＦの温度特性を一定にさせることが
できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の基準電流回路では、シンプルカレントミラー回路お
よびワイドラーカレントミラー回路を駆動させるために
３段にカスコード接続されたダイオードを必要とする。
１つのダイオードを駆動させるのに少なくとも０．７Ｖ
以上の電源電圧が必要となるので、基準電流回路全体で
は、少なくとも２．１Ｖ以上の電源電圧が必要となる。
したがって、１．２Ｖの電池１本での基準電流回路の動
作が不可能となり、この種の基準電流回路を必要とする
装置の小型化の弊害となる。
来の基準電流回路では、シンプルカレントミラー回路お
よびワイドラーカレントミラー回路を駆動させるために
３段にカスコード接続されたダイオードを必要とする。
１つのダイオードを駆動させるのに少なくとも０．７Ｖ
以上の電源電圧が必要となるので、基準電流回路全体で
は、少なくとも２．１Ｖ以上の電源電圧が必要となる。
したがって、１．２Ｖの電池１本での基準電流回路の動
作が不可能となり、この種の基準電流回路を必要とする
装置の小型化の弊害となる。
【００１０】本発明の目的は、上記課題を解決し、１．
２Ｖの電池１本での動作が可能な基準電流回路を提供す
ることにある。
２Ｖの電池１本での動作が可能な基準電流回路を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明による基準電流回路は、エミッタ端子が
接地され、抵抗を介してベース端子が接地された第１の
バイポーラトランジスタと、抵抗に流れる電流を基準電
流とする負の温度特性を有する第１のカレントとミラー
回路と、抵抗に流れる電流を基準電流とする正の温度特
性を有する第２のカレントとミラー回路と、を有し、第
１および第２のカレントミラー回路のミラー電流を加算
して、この加算された電流を前記バイポーラトランジス
タに供給することを特徴とする このような構成において、第１および第２のカレントミ
ラー回路を第１のバイポーラトランジスタで駆動するた
め、本発明では、１Ｖ以下の電源電圧で基準電流回路を
動作せることができる。
ために、本発明による基準電流回路は、エミッタ端子が
接地され、抵抗を介してベース端子が接地された第１の
バイポーラトランジスタと、抵抗に流れる電流を基準電
流とする負の温度特性を有する第１のカレントとミラー
回路と、抵抗に流れる電流を基準電流とする正の温度特
性を有する第２のカレントとミラー回路と、を有し、第
１および第２のカレントミラー回路のミラー電流を加算
して、この加算された電流を前記バイポーラトランジス
タに供給することを特徴とする このような構成において、第１および第２のカレントミ
ラー回路を第１のバイポーラトランジスタで駆動するた
め、本発明では、１Ｖ以下の電源電圧で基準電流回路を
動作せることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例を示す基準電流
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【００１４】図１において、バイポーラトランジスタＱ
４はエミッタ接地されて、一端が接地されたベース抵抗
Ｒ１を介してバイアスされている。抵抗Ｒ１の他端はバ
イポーラトランジスタＱ７のコレクタ端子に接続され、
バイポーラトランジスタＱ７のベース端子にはスタート
アップ電流ＩＳＴＡＲＴが印加される。また、バイポー
ラトランジスタＱ７のエミッタ端子には電源電圧ＶＣＣ
が印加されている。バイポーラトランジスタＱ８のベー
ス端子にはバイポーラトランジスタＱ７のベース端子が
接続されており、バイポーラトランジスタＱ８のエミッ
タ端子には電源電圧ＶＣＣが印加されている。また、バ
イポーラトランジスタＱ８のコレクタ端子にはダイオー
ド接続されたバイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端
子が接続されている。ダイオード接続されたバイポーラ
トランジスタＱ１は、エミッタ接地され、バイポーラト
ランジスタＱ２とからなるシンプルカレントミラー回路
を構成する。またバイポーラトランジスタＱ１は、バイ
ポーラトランジスタＱ３と抵抗Ｒ２とからなるワイドラ
ーカレントミラー回路を構成する。
４はエミッタ接地されて、一端が接地されたベース抵抗
Ｒ１を介してバイアスされている。抵抗Ｒ１の他端はバ
イポーラトランジスタＱ７のコレクタ端子に接続され、
バイポーラトランジスタＱ７のベース端子にはスタート
アップ電流ＩＳＴＡＲＴが印加される。また、バイポー
ラトランジスタＱ７のエミッタ端子には電源電圧ＶＣＣ
が印加されている。バイポーラトランジスタＱ８のベー
ス端子にはバイポーラトランジスタＱ７のベース端子が
接続されており、バイポーラトランジスタＱ８のエミッ
タ端子には電源電圧ＶＣＣが印加されている。また、バ
イポーラトランジスタＱ８のコレクタ端子にはダイオー
ド接続されたバイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端
子が接続されている。ダイオード接続されたバイポーラ
トランジスタＱ１は、エミッタ接地され、バイポーラト
ランジスタＱ２とからなるシンプルカレントミラー回路
を構成する。またバイポーラトランジスタＱ１は、バイ
ポーラトランジスタＱ３と抵抗Ｒ２とからなるワイドラ
ーカレントミラー回路を構成する。
【００１５】バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とはシ
ンプルカレントミラー回路を構成し、ダイオード接続さ
れたバイポーラトランジスタＱ５のコレクタ端子にはシ
ンプルカレントミラー回路とワイドラーカレントミラー
回路のミラー電流が加算された電流が供給される。バイ
ポーラトランジスタＱ５とＱ９とからなるシンプルカレ
ントミラー回路からのミラー電流、すなわちバイポーラ
トランジスタＱ９のコレクタ電流は、基準電流ＩＲＥＦ
として出力される。
ンプルカレントミラー回路を構成し、ダイオード接続さ
れたバイポーラトランジスタＱ５のコレクタ端子にはシ
ンプルカレントミラー回路とワイドラーカレントミラー
回路のミラー電流が加算された電流が供給される。バイ
ポーラトランジスタＱ５とＱ９とからなるシンプルカレ
ントミラー回路からのミラー電流、すなわちバイポーラ
トランジスタＱ９のコレクタ電流は、基準電流ＩＲＥＦ
として出力される。
【００１６】また、バイポーラトランジスタＱ５とＱ６
とはシンプルカレントミラー回路を構成し、バイポーラ
トランジスタＱ６からのミラー電流、すなわちコレクタ
電流がバイポーラトランジスタＱ４のコレクタ端子に供
給されて電流ループが形成される。
とはシンプルカレントミラー回路を構成し、バイポーラ
トランジスタＱ６からのミラー電流、すなわちコレクタ
電流がバイポーラトランジスタＱ４のコレクタ端子に供
給されて電流ループが形成される。
【００１７】この定電流回路において、電源電圧ＶＤＤ
に電源が投入され、スタートアップ電流ＩＳＴＡＲＴが
バイポーラトランジスタＱ７のベース端子に供給される
と、バイポーラトランジスタＱ７がオンになる。バイポ
ーラトランジスタＱ７がオンになると、ベース抵抗Ｒ１
に電源電圧ＶＣＣによる電流Ｉ１が流れる。そして、ベ
ース抵抗Ｒ１に電流Ｉ１が流れることによりバイポーラ
トランジスタＱ４にバイアスがかかりオンになる。ま
た、バイポーラトランジスタＱ７のベース端子がバイポ
ーラトランジスタＱ８のベース端子に接続されているた
め、バイポーラトランジスタＱ８もオンになり、バイポ
ーラトランジスタＱ７に流れる電流Ｉ１と等しい電流が
バイポーラトランジスタＱ８に流れる。
に電源が投入され、スタートアップ電流ＩＳＴＡＲＴが
バイポーラトランジスタＱ７のベース端子に供給される
と、バイポーラトランジスタＱ７がオンになる。バイポ
ーラトランジスタＱ７がオンになると、ベース抵抗Ｒ１
に電源電圧ＶＣＣによる電流Ｉ１が流れる。そして、ベ
ース抵抗Ｒ１に電流Ｉ１が流れることによりバイポーラ
トランジスタＱ４にバイアスがかかりオンになる。ま
た、バイポーラトランジスタＱ７のベース端子がバイポ
ーラトランジスタＱ８のベース端子に接続されているた
め、バイポーラトランジスタＱ８もオンになり、バイポ
ーラトランジスタＱ７に流れる電流Ｉ１と等しい電流が
バイポーラトランジスタＱ８に流れる。
【００１８】これにより、バイポーラトランジスタＱ１
がオンになり、バイポーラトランジスタＱ１とＱ２とか
らなるシンプルカレントミラー回路が作動する。さら
に、バイポーラトランジスタＱ１のオンによりバイポー
ラトランジスタＱ１とＱ３と抵抗Ｒ２とからなるワイド
ラーカレントミラー回路が作動する。これらカレントミ
ラー回路は電流Ｉ１によって駆動され、それぞれのミラ
ー電流を出力する。 出力されたミラー電流は加算され
てダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ５の
コレクタ端子に流れる。ダイオード接続されたバイポー
ラトランジスタＱ５のコレクタ端子に流れる加算された
電流は、バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とによって
構成されるシンプルカレントミラーによってミラー電流
としてバイポーラトランジスタＱ９出力される。そし
て、この出力電流が基準電流となる。
がオンになり、バイポーラトランジスタＱ１とＱ２とか
らなるシンプルカレントミラー回路が作動する。さら
に、バイポーラトランジスタＱ１のオンによりバイポー
ラトランジスタＱ１とＱ３と抵抗Ｒ２とからなるワイド
ラーカレントミラー回路が作動する。これらカレントミ
ラー回路は電流Ｉ１によって駆動され、それぞれのミラ
ー電流を出力する。 出力されたミラー電流は加算され
てダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ５の
コレクタ端子に流れる。ダイオード接続されたバイポー
ラトランジスタＱ５のコレクタ端子に流れる加算された
電流は、バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とによって
構成されるシンプルカレントミラーによってミラー電流
としてバイポーラトランジスタＱ９出力される。そし
て、この出力電流が基準電流となる。
【００１９】バイポーラトランジスタＱ５のコレクタ端
子に流れる加算された電流は、バイポーラトランジスタ
Ｑ５とＱ６とからなるシンプルカレントミラー回路によ
ってミラー電流として、バイポーラトランジスタＱ６か
ら既にオンになっているバイポーラトランジスタＱ４に
供給され電流ループが形成される。
子に流れる加算された電流は、バイポーラトランジスタ
Ｑ５とＱ６とからなるシンプルカレントミラー回路によ
ってミラー電流として、バイポーラトランジスタＱ６か
ら既にオンになっているバイポーラトランジスタＱ４に
供給され電流ループが形成される。
【００２０】この電流ループにおいて、バイポーラトラ
ンジスタＱ４のコレクタ電流が温度特性を持たないと仮
定すると、バイポーラトランジスタＱ４のベース・エミ
ッタ端子間電圧は、−２ｍＶ／℃の温度特性を有する。
ベース抵抗Ｒ１における電位降下は、バイポーラトラン
ジスタＱ４のベース・エミッタ端子間電圧に等しいた
め、抵抗Ｒ１の温度係数が高くないと仮定すると、電流
Ｉ１の温度特性は負の温度特性である−２ｍＶ／℃を有
する。
ンジスタＱ４のコレクタ電流が温度特性を持たないと仮
定すると、バイポーラトランジスタＱ４のベース・エミ
ッタ端子間電圧は、−２ｍＶ／℃の温度特性を有する。
ベース抵抗Ｒ１における電位降下は、バイポーラトラン
ジスタＱ４のベース・エミッタ端子間電圧に等しいた
め、抵抗Ｒ１の温度係数が高くないと仮定すると、電流
Ｉ１の温度特性は負の温度特性である−２ｍＶ／℃を有
する。
【００２１】この負の温度特性を有する電流Ｉ１と等し
い電流がバイポーラトランジスタＱ８に流れるため、バ
イポーラトランジスタＱ１およびＱ２とからなるシンプ
ルカレントミラー回路のミラー電流、すなわちバイポー
ラトランジスタＱ２のコレクタ電流も負の温度特性を有
する 一方、ワイドラーカレントミラー回路は、ダイオード接
続されたバイポーラトランジスタＱ１に流れる電流Ｉ１
の負の温度特性を正の温度特性に変換してミラー電流と
して出力するため、バイポーラトランジスタＱ３のコレ
クタ電流は正の温度特性を持つ。そして、シンプルカレ
ントミラー回路のミラー電流と、ワイドラーカレントミ
ラー回路のミラー電流とが加算されてバイポーラトラン
ジスタＱ５に供給されるため、両者のミラー電流を重み
付けすることで、すなわち両電流の和電流の加算比を設
定することで、温度特性を持たない基準電流ＩＲＥＦを
得ることができる。なお、両ミラー電流の和電流の加算
比の設定は、バイポーラトランジスタＱ２およびＱ３の
エミッタサイズ比を設定することにより行われる。
い電流がバイポーラトランジスタＱ８に流れるため、バ
イポーラトランジスタＱ１およびＱ２とからなるシンプ
ルカレントミラー回路のミラー電流、すなわちバイポー
ラトランジスタＱ２のコレクタ電流も負の温度特性を有
する 一方、ワイドラーカレントミラー回路は、ダイオード接
続されたバイポーラトランジスタＱ１に流れる電流Ｉ１
の負の温度特性を正の温度特性に変換してミラー電流と
して出力するため、バイポーラトランジスタＱ３のコレ
クタ電流は正の温度特性を持つ。そして、シンプルカレ
ントミラー回路のミラー電流と、ワイドラーカレントミ
ラー回路のミラー電流とが加算されてバイポーラトラン
ジスタＱ５に供給されるため、両者のミラー電流を重み
付けすることで、すなわち両電流の和電流の加算比を設
定することで、温度特性を持たない基準電流ＩＲＥＦを
得ることができる。なお、両ミラー電流の和電流の加算
比の設定は、バイポーラトランジスタＱ２およびＱ３の
エミッタサイズ比を設定することにより行われる。
【００２２】次に、本発明の第２の実施例を図２を用い
て説明する。
て説明する。
【００２３】図２は、本発明の第２の実施例を示す基準
電流回路の回路図である。
電流回路の回路図である。
【００２４】図２において、バイポーラトランジスタＱ
１はエミッタ接地され、ベース端子がベース抵抗Ｒ１の
一端に接続されている。抵抗Ｒ１の他端は接地され、ま
た一端はバイポーラトランジスタＱ７のコレクタ端子に
接続されている。バイポーラトランジスタＱ７のベース
端子にはスタートアップ電流ＩＳＴＡＲＴが印加され、
エミッタ端子には電源電圧ＶＣＣが印加されている。バ
イポーラトランジスタＱ８のベース端子にはバイポーラ
トランジスタＱ７のベース端子が接続されており、バイ
ポーラトランジスタＱ８のベース端子にはバイポーラト
ランジスタＱ７のベース端子が接続されており、コレク
タ端子には抵抗Ｒ３の一端が接続されている。また、バ
イポーラトランジスタＱ８のエミッタ端子には電源電圧
ＶＣＣが印加されている。抵抗Ｒ３の他端は、バイポー
ラトランジスタＱ１０のコレクタ端子に接続され、バイ
ポーラトランジスタＱ１０のベース端子は抵抗Ｒ３の一
端と接続され、この接続によりピーキングカレントミラ
ー回路（ナガタカレントミラー回路）が構成されてい
る。また、バイポーラトランジスタＱ１０のベース端子
はバイポーラトランジスタＱ４のベース端子に接続され
ている。
１はエミッタ接地され、ベース端子がベース抵抗Ｒ１の
一端に接続されている。抵抗Ｒ１の他端は接地され、ま
た一端はバイポーラトランジスタＱ７のコレクタ端子に
接続されている。バイポーラトランジスタＱ７のベース
端子にはスタートアップ電流ＩＳＴＡＲＴが印加され、
エミッタ端子には電源電圧ＶＣＣが印加されている。バ
イポーラトランジスタＱ８のベース端子にはバイポーラ
トランジスタＱ７のベース端子が接続されており、バイ
ポーラトランジスタＱ８のベース端子にはバイポーラト
ランジスタＱ７のベース端子が接続されており、コレク
タ端子には抵抗Ｒ３の一端が接続されている。また、バ
イポーラトランジスタＱ８のエミッタ端子には電源電圧
ＶＣＣが印加されている。抵抗Ｒ３の他端は、バイポー
ラトランジスタＱ１０のコレクタ端子に接続され、バイ
ポーラトランジスタＱ１０のベース端子は抵抗Ｒ３の一
端と接続され、この接続によりピーキングカレントミラ
ー回路（ナガタカレントミラー回路）が構成されてい
る。また、バイポーラトランジスタＱ１０のベース端子
はバイポーラトランジスタＱ４のベース端子に接続され
ている。
【００２５】バイポーラトランジスタＱ１２のエミッタ
端子は接地されており、コレクタ端子は、バイポーラト
ランジスタＱ１３のコレクタ端子に接続されている。そ
して、バイポーラトランジスタＱ１０のコレクタ端子が
バイポーラトランジスタＱ１３のベース端子に接続され
ている。バイポーラトランジスタＱ１３は、エミッタ接
地されており、コレクタ端子がバイポーラトランジスタ
Ｑ１５のコレクタ端子に接続されている。なお、バイポ
ーラトランジスタＱ１０およびＱ１２とからシンプルカ
レントミラー回路が構成されている。
端子は接地されており、コレクタ端子は、バイポーラト
ランジスタＱ１３のコレクタ端子に接続されている。そ
して、バイポーラトランジスタＱ１０のコレクタ端子が
バイポーラトランジスタＱ１３のベース端子に接続され
ている。バイポーラトランジスタＱ１３は、エミッタ接
地されており、コレクタ端子がバイポーラトランジスタ
Ｑ１５のコレクタ端子に接続されている。なお、バイポ
ーラトランジスタＱ１０およびＱ１２とからシンプルカ
レントミラー回路が構成されている。
【００２６】ダイオード接続されたバイポーラトランジ
スタＱ５のコレクタ端子にはバイポーラトランジスタＱ
１０およびＱ１２とからなるシンプルカレントミラー回
路とバイポーラトランジスタＱ１０、Ｑ１３および抵抗
Ｒ３とからなるピーキングカレントミラー回路からのそ
れぞれのミラー電流が加算された電流が供給される。ま
た、バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とはシンプルカ
レントミラー回路を構成し、このシンプルカレントミラ
ー回路からのミラー電流、すなわちバイポーラトランジ
スタＱ９のコレクタ電流が基準電流ＩＲＥＦとして出力
される。
スタＱ５のコレクタ端子にはバイポーラトランジスタＱ
１０およびＱ１２とからなるシンプルカレントミラー回
路とバイポーラトランジスタＱ１０、Ｑ１３および抵抗
Ｒ３とからなるピーキングカレントミラー回路からのそ
れぞれのミラー電流が加算された電流が供給される。ま
た、バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とはシンプルカ
レントミラー回路を構成し、このシンプルカレントミラ
ー回路からのミラー電流、すなわちバイポーラトランジ
スタＱ９のコレクタ電流が基準電流ＩＲＥＦとして出力
される。
【００２７】さらに、バイポーラトランジスタＱ５とＱ
６とからシンプルカレントミラー回路が構成され、この
シンプルカレントミラー回路からのミラー電流、すなわ
ちバイポーラトランジスタＱ６のコレクタ電流ががバイ
ポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子に供給されて電
流ループが形成される。
６とからシンプルカレントミラー回路が構成され、この
シンプルカレントミラー回路からのミラー電流、すなわ
ちバイポーラトランジスタＱ６のコレクタ電流ががバイ
ポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子に供給されて電
流ループが形成される。
【００２８】この定電流回路において、電源電圧ＶＤＤ
に電源が投入され、スタートアップ電流ＩＳＴＡＲＴが
バイポーラトランジスタＱ７のベース端子に供給される
と、バイポーラトランジスタＱ７がオンになる。バイポ
ーラトランジスタＱ７がオンになると、電源電圧ＶＣＣ
による電流Ｉ１がベース抵抗Ｒ１に流れる。電流Ｉ１が
ベース抵抗Ｒ１に流れると、バイポーラトランジスタＱ
１にバイアスがかかりオンになる。また、バイポーラト
ランジスタＱ７のベース端子とバイポーラトランジスタ
Ｑ８のベース端子とが接続されているため、バイポーラ
トランジスタＱ８がオンになりバイポーラトランジスタ
Ｑ７に流れる電流Ｉ１と等しい電流がバイポーラトラン
ジスタＱ８に流れる。この電流Ｉ１によってバイポーラ
トランジスタＱ１０がオンになり、シンプルカレントミ
ラー回路が作動する。バイポーラトランジスタＱ１０の
ベース端子とバイポーラトランジスタＱ１２のベース端
子とが接続されているため、バイポーラトランジスタＱ
１２もオンとなり、シンプルカレントミラー回路のミラ
ー電流と等しい電流、すなわちバイポーラトランジスタ
Ｑ１０のコレクタ電流と等しい電流がバイポーラトラン
ジスタＱ１２に流れる。抵抗Ｒ３を流れる電流Ｉ１によ
ってバイポーラトランジスタＱ１３もオンとなり、ミラ
ー電流がバイポーラトランジスタＱ１３に流れる。バイ
ポーラトランジスタＱ１０およびＱ１２とからなるシン
プルカレントミラー回路のミラー電流とバイポーラトラ
ンジスタＱ１０、Ｑ１３および抵抗Ｒ３とからなるピー
キングカレントミラー回路のミラー電流との加算電流が
ダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ５のコ
レクタ端子に供給される。ダイオード接続されたバイポ
ーラトランジスタＱ５のコレクタ端子に流れる加算電流
は、バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とによってシン
プルカレントミラー回路が構成されているため、ミラー
回路であるバイポーラトランジスタＱ９から基準電流と
して出力される。
に電源が投入され、スタートアップ電流ＩＳＴＡＲＴが
バイポーラトランジスタＱ７のベース端子に供給される
と、バイポーラトランジスタＱ７がオンになる。バイポ
ーラトランジスタＱ７がオンになると、電源電圧ＶＣＣ
による電流Ｉ１がベース抵抗Ｒ１に流れる。電流Ｉ１が
ベース抵抗Ｒ１に流れると、バイポーラトランジスタＱ
１にバイアスがかかりオンになる。また、バイポーラト
ランジスタＱ７のベース端子とバイポーラトランジスタ
Ｑ８のベース端子とが接続されているため、バイポーラ
トランジスタＱ８がオンになりバイポーラトランジスタ
Ｑ７に流れる電流Ｉ１と等しい電流がバイポーラトラン
ジスタＱ８に流れる。この電流Ｉ１によってバイポーラ
トランジスタＱ１０がオンになり、シンプルカレントミ
ラー回路が作動する。バイポーラトランジスタＱ１０の
ベース端子とバイポーラトランジスタＱ１２のベース端
子とが接続されているため、バイポーラトランジスタＱ
１２もオンとなり、シンプルカレントミラー回路のミラ
ー電流と等しい電流、すなわちバイポーラトランジスタ
Ｑ１０のコレクタ電流と等しい電流がバイポーラトラン
ジスタＱ１２に流れる。抵抗Ｒ３を流れる電流Ｉ１によ
ってバイポーラトランジスタＱ１３もオンとなり、ミラ
ー電流がバイポーラトランジスタＱ１３に流れる。バイ
ポーラトランジスタＱ１０およびＱ１２とからなるシン
プルカレントミラー回路のミラー電流とバイポーラトラ
ンジスタＱ１０、Ｑ１３および抵抗Ｒ３とからなるピー
キングカレントミラー回路のミラー電流との加算電流が
ダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ５のコ
レクタ端子に供給される。ダイオード接続されたバイポ
ーラトランジスタＱ５のコレクタ端子に流れる加算電流
は、バイポーラトランジスタＱ５とＱ９とによってシン
プルカレントミラー回路が構成されているため、ミラー
回路であるバイポーラトランジスタＱ９から基準電流と
して出力される。
【００２９】さらに、バイポーラトランジスタＱ５とＱ
６とによってシンプルカレントミラー回路が構成されて
いるため、ミラー回路であるバイポーラトランジスタＱ
６からミラー電流が出力され、この電流がオンになって
いるバイポーラトランジスタＱ１に流れることによって
電流ループが形成される。
６とによってシンプルカレントミラー回路が構成されて
いるため、ミラー回路であるバイポーラトランジスタＱ
６からミラー電流が出力され、この電流がオンになって
いるバイポーラトランジスタＱ１に流れることによって
電流ループが形成される。
【００３０】この電流ループにおいて、バイポーラトラ
ンジスタＱ１のコレクタ電流が温度特性を持たないと仮
定すると、バイポーラトランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ端子間電圧は、−２ｍＶ／℃の温度特性を有する。
ベース抵抗Ｒ１と電流Ｉ１とによる電位降下は、バイポ
ーラトランジスタＱ１のベース・エミッタ端子間電圧に
等しいため、抵抗Ｒ１の温度係数が高くないと仮定する
と、電流Ｉ１の温度特性は負の温度特性である−２ｍＶ
／℃を有する。
ンジスタＱ１のコレクタ電流が温度特性を持たないと仮
定すると、バイポーラトランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ端子間電圧は、−２ｍＶ／℃の温度特性を有する。
ベース抵抗Ｒ１と電流Ｉ１とによる電位降下は、バイポ
ーラトランジスタＱ１のベース・エミッタ端子間電圧に
等しいため、抵抗Ｒ１の温度係数が高くないと仮定する
と、電流Ｉ１の温度特性は負の温度特性である−２ｍＶ
／℃を有する。
【００３１】この負の温度特性を有する電流Ｉ１は、バ
イポーラトランジスタＱ７、Ｑ８および抵抗Ｒ３を介し
てバイポーラトランジスタＱ１０に供給されピーキング
カレントミラー回路において正の温度特性に変換されて
ミラー電流として出力される。このミラー電流と等しい
電流は、バイポーラトランジスタＱ１０とＱ１２とのベ
ース端子が接続されているためバイポーラトランジスタ
Ｑ１２に流れる。
イポーラトランジスタＱ７、Ｑ８および抵抗Ｒ３を介し
てバイポーラトランジスタＱ１０に供給されピーキング
カレントミラー回路において正の温度特性に変換されて
ミラー電流として出力される。このミラー電流と等しい
電流は、バイポーラトランジスタＱ１０とＱ１２とのベ
ース端子が接続されているためバイポーラトランジスタ
Ｑ１２に流れる。
【００３２】一方、バイポーラトランジスタＱ１と１３
とからなるシンプルカレントミラー回路からのミラー電
流、すなわちバイポーラトランジスタＱ１３のコレクタ
電流は、負の温度特性を有する。したがって、第１の実
施例と同様にシンプルカレントミラー回路のミラー電流
とピーキングカレントミラー回路のミラー電流を重み付
けすることで温度特性を持たない基準電流ＩＲＥＦを得
ることができる。
とからなるシンプルカレントミラー回路からのミラー電
流、すなわちバイポーラトランジスタＱ１３のコレクタ
電流は、負の温度特性を有する。したがって、第１の実
施例と同様にシンプルカレントミラー回路のミラー電流
とピーキングカレントミラー回路のミラー電流を重み付
けすることで温度特性を持たない基準電流ＩＲＥＦを得
ることができる。
【００３３】図３は、本発明の第３の実施例を示す基準
電流回路の回路図である。
電流回路の回路図である。
【００３４】この第３の実施例では、図３に示すように
図２の第２の実施例におけるバイポーラトランジスタを
ＭＯＳトランジスタによって構成する。
図２の第２の実施例におけるバイポーラトランジスタを
ＭＯＳトランジスタによって構成する。
【００３５】ＭＯＳトランジスタは、一般に素子の整合
性が良いものとし、チャンネル長変調と基板効果とを無
視すると、そのドレイン電流がゲート−ソース間電圧Ｖ
GSにたいして２乗則に従うので、数式（１）のように表
される。
性が良いものとし、チャンネル長変調と基板効果とを無
視すると、そのドレイン電流がゲート−ソース間電圧Ｖ
GSにたいして２乗則に従うので、数式（１）のように表
される。
【００３６】
【００３７】ここで、βはトランスコンダクタンス・パ
ラメータであり、数式（２）のように表される。
ラメータであり、数式（２）のように表される。
【００３８】
【００３９】ただし、μはキャリアのジッコウモビリテ
ィ、ＣOXは単位面積あたりのゲート酸化膜容量、Ｗ、Ｌ
はそれぞれゲート幅、ゲート長である。
ィ、ＣOXは単位面積あたりのゲート酸化膜容量、Ｗ、Ｌ
はそれぞれゲート幅、ゲート長である。
【００４０】ここで、図３において、ＭＯＳトランジス
タＭ１およびＭ２のドレイン電流ＩD1およびＩD2は数式
（３）のように表される。
タＭ１およびＭ２のドレイン電流ＩD1およびＩD2は数式
（３）のように表される。
【００４１】
【００４２】なお、ＫはＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２
および抵抗Ｒ４からなるピーキングカレントミラー回路
のミラー比である。
および抵抗Ｒ４からなるピーキングカレントミラー回路
のミラー比である。
【００４３】また、ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２のそ
れぞれのゲート−ソース間電圧ＶGS 1およびＶGS2は数式
（４）の関係を有する。
れぞれのゲート−ソース間電圧ＶGS 1およびＶGS2は数式
（４）の関係を有する。
【００４４】
【００４５】したがって、数式（１）乃至（４）より、
ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン電流ＩD2は数式
（５）のように表される。
ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン電流ＩD2は数式
（５）のように表される。
【００４６】
【００４７】ＭＯＳデバイスにおいては、モビリティが
温度特性を持つから、トランスコンダクタンス・パラメ
ータβの温度依存性は数式（６）で表される。
温度特性を持つから、トランスコンダクタンス・パラメ
ータβの温度依存性は数式（６）で表される。
【００４８】
【００４９】ただし、β0は常温（３００ｋ）でのβの
値である。
値である。
【００５０】ここで、数式（６）を数式（５）に代入す
ると、数式（７）が得られる。
ると、数式（７）が得られる。
【００５１】
【００５２】そして、数式（７）を温度で微分すると数
式（８）が得られる。
式（８）が得られる。
【００５３】
【００５４】数式（８）において、数式（９）が成立す
る。
る。
【００５５】
【００５６】したがって、数式（９）より数式（１０）
が成立する。
が成立する。
【００５７】
【００５８】これより、ＭＯＳトランジスタＭ２、Ｍ３
および抵抗Ｒ４からなるピーキングカレントミラー回路
における基準電流、すなわちＭＯＳトランジスタＭ１の
ドレイン電流ＩD1と、ミラー電流、すなわちＭＯＳトラ
ンジスタＭ２のドレイン電流ＩD2とが正の温度特性を有
する。
および抵抗Ｒ４からなるピーキングカレントミラー回路
における基準電流、すなわちＭＯＳトランジスタＭ１の
ドレイン電流ＩD1と、ミラー電流、すなわちＭＯＳトラ
ンジスタＭ２のドレイン電流ＩD2とが正の温度特性を有
する。
【００５９】したがって、ピーキングカレントミラー回
路をＭＯＳトランジスタで構成してもバイポーラトラン
ジスタで構成したときの回路と同様の特性を持つことが
できる。ただし、上記計算において数式（１１）のよう
な近似式を用いている。
路をＭＯＳトランジスタで構成してもバイポーラトラン
ジスタで構成したときの回路と同様の特性を持つことが
できる。ただし、上記計算において数式（１１）のよう
な近似式を用いている。
【００６０】
【００６１】上記計算結果より、図３における第３の実
施例においても、負の温度特性を有するＭＯＳトランジ
スＭ２およびＭ４とからなるシンプルカレントミラー回
路のミラー電流とＭＯＳトランジスＭ２、Ｍ３および抵
抗Ｒ３とからなるピーキングカレントミラー回路のミラ
ー電流とを重み付けすることで温度特性を持たない基準
電流ＩＲＥＦを得ることができる。
施例においても、負の温度特性を有するＭＯＳトランジ
スＭ２およびＭ４とからなるシンプルカレントミラー回
路のミラー電流とＭＯＳトランジスＭ２、Ｍ３および抵
抗Ｒ３とからなるピーキングカレントミラー回路のミラ
ー電流とを重み付けすることで温度特性を持たない基準
電流ＩＲＥＦを得ることができる。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による基準
電流回路では、シンプルカレントミラー回路とワイドラ
ーカレントミラー回路あるいはピーキングカレントミラ
ー回路のバイアス回路をトランジスタ１段で構成してい
るため、１Ｖ前後での低電圧動作が可能となる。したが
って、この種の基準電流回路を必要とする装置の小型化
を推進することができる。
電流回路では、シンプルカレントミラー回路とワイドラ
ーカレントミラー回路あるいはピーキングカレントミラ
ー回路のバイアス回路をトランジスタ１段で構成してい
るため、１Ｖ前後での低電圧動作が可能となる。したが
って、この種の基準電流回路を必要とする装置の小型化
を推進することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す基準電流回路の回路
図。
図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す基準電流回路の回
路図。
路図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す基準電流回路の回
路図。
路図。
【図４】従来の基準電流回路の回路図。
Ｑ１〜Ｑ１６ ・・・ バイポーラトランジスタ Ｒ１、Ｒ５ ・・・ 抵抗 Ｍ１〜Ｍ１２ ・・・ ＭＯＳトランジスタ
Claims (6)
- 【請求項１】 エミッタ端子が接地され、抵抗を介して
ベース端子が接地された第１のバイポーラトランジスタ
と、 前記抵抗に流れる電流を基準電流とする負の温度特性を
有する第１のカレントとミラー回路と、 前記抵抗に流れる電流を基準電流とする正の温度特性を
有する第２のカレントとミラー回路と、を有し、 前記第１および第２のカレントミラー回路のミラー電流
を加算して、この加算された電流を前記バイポーラトラ
ンジスタに供給することを特徴とする基準電流回路。 - 【請求項２】 前記第１のカレントミラー回路がシンプ
ルカレントミラー回路であり、前記第２のカレントミラ
ー回路がワイドラーカレントミラー回路であることを特
徴とする請求項１記載の基準電流回路。 - 【請求項３】 前記第１および第２のカレントミラー回
路のミラー電流の和電流の加算比が前記第１および第２
のカレントミラー回路のミラー回路側のトランジスタサ
イズ比を設定することで決定されることを特徴とする請
求項１記載の基準電流回路。 - 【請求項４】 電源電圧にエミッタ端子が接続され、ス
タートアップ電流によって起動され、前記抵抗の一端に
コレクタ端子が接続される第２のバイポーラトランジス
タと、 前記第２のバイポーラトランジスタのベース端子にベー
ス端子が接続され、前記第１および第２のカレントミラ
ー回路を構成するトランジスタのうちダイオード接続さ
れたバイポーラトランジスタのコレクタ端子にコレクタ
端子が接続される第３のバイポーラトランジスタと、 ダイオード接続されたトランジスタのコレクタ端子に前
記加算された電流が供給されることによりミラー電流を
基準電流として出力する第３のカレントミラー回路と、 前記第３のカレントミラー回路のダイオード接続された
トランジスタを共有し、ミラー回路のコレクタ端子が前
記第１のバイポーラトランジスタのコレクタ端子に接続
される第４のカレントミラー回路と、を有することを特
徴とする請求項１記載の基準電流回路。 - 【請求項５】 エミッタ端子が接地され、第１の抵抗を
介してベース端子が接地された第１のバイポーラトラン
ジスタと、 前記第１の抵抗に流れる電流を基準電流とする第２のバ
イポーラトランジスタと、前記第２のバイポーラトラン
ジスタのベースおよびコレクタ間に挿入される第２の抵
抗と、ミラー電流を出力する第３のバイポーラトランジ
スタとを備えるピーキングカレントミラー回路と、 前記第２のバイポーラトランジスタと、ミラー電流を出
力する第４のバイポーラトランジスタとを備えるシンプ
ルカレントミラー回路と、を有し、 前記ピーキングカレントミラー回路のミラー電流と前記
シンプルのカレントミラー回路のミラー電流とを加算し
て、この加算された電流を前記第１のバイポーラトラン
ジスタに供給することを特徴とする基準電流回路。 - 【請求項６】 ソース端子が接地され、第１の抵抗を介
してゲート端子が接地された第１のＭＯＳトランジスタ
と、 前記第１の抵抗に流れる電流を基準電流とする第２のＭ
ＯＳトランジスタと、前記第２のＭＯＳトランジスタの
ベースおよびコレクタ間に挿入される第２の抵抗と、ミ
ラー電流を出力する第３のＭＯＳトランジスタとを備え
るピーキングカレントミラー回路と、 前記第２のＭＯＳトランジスタと、ミラー電流を出力す
る第４のＭＯＳトランジスタとを備えるシンプルカレン
トミラー回路と、を有し、 前記ピーキングカレントミラー回路のミラー電流と前記
シンプルのカレントミラー回路のミラー電流とを加算し
て、この加算された電流を前記第１のＭＯＳトランジス
タに供給することを特徴とする基準電流回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7283843A JP2836547B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 基準電流回路 |
| US08/740,508 US5910749A (en) | 1995-10-31 | 1996-10-30 | Current reference circuit with substantially no temperature dependence |
| GB9622713A GB2306709B (en) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | Current reference circuit |
| AU70521/96A AU713669B2 (en) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | Current reference circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7283843A JP2836547B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 基準電流回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09128077A JPH09128077A (ja) | 1997-05-16 |
| JP2836547B2 true JP2836547B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=17670887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7283843A Expired - Lifetime JP2836547B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 基準電流回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5910749A (ja) |
| JP (1) | JP2836547B2 (ja) |
| AU (1) | AU713669B2 (ja) |
| GB (1) | GB2306709B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986481A (en) * | 1997-03-24 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Peak hold circuit including a constant voltage generator |
| GB2332760A (en) * | 1997-12-24 | 1999-06-30 | Motorola Inc | Low voltage stabilised current source |
| KR20000003932A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 온도 보상된 고정밀 전류원 |
| US6411158B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-06-25 | Conexant Systems, Inc. | Bandgap reference voltage with low noise sensitivity |
| GB2355552A (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-25 | Ericsson Telefon Ab L M | Electronic circuit for supplying a reference current |
| US6407625B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for generating multiple bias currents |
| CA2302887A1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-09-29 | Stepan Iliasevitch | Low voltage bipolar drive circuits |
| FR2809834B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2002-08-23 | St Microelectronics Sa | Source de courant a faible tension d'alimentation et a faible sensibilite en tension |
| US6424205B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-07-23 | Semiconductor Components Industries Llc | Low voltage ACMOS reference with improved PSRR |
| US7177610B2 (en) * | 2001-01-12 | 2007-02-13 | Silicon Laboratories Inc. | Calibrated low-noise current and voltage references and associated methods |
| JP3638530B2 (ja) | 2001-02-13 | 2005-04-13 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 基準電流回路及び基準電圧回路 |
| US6351111B1 (en) * | 2001-04-13 | 2002-02-26 | Ami Semiconductor, Inc. | Circuits and methods for providing a current reference with a controlled temperature coefficient using a series composite resistor |
| EP1315063A1 (en) | 2001-11-14 | 2003-05-28 | Dialog Semiconductor GmbH | A threshold voltage-independent MOS current reference |
| US6876182B1 (en) * | 2003-02-25 | 2005-04-05 | National Semiconductor Corporation | MOSFET current mirror circuit with cascode output |
| KR100588735B1 (ko) * | 2004-05-06 | 2006-06-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 온도의 변화에 관계없는 기준전압과 기준전류를 공급하는기준전압 및 전류 발생기 |
| JP4322732B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2009-09-02 | 株式会社リコー | 定電流発生回路 |
| US7091712B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Circuit for performing voltage regulation |
| JP4491405B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2010-06-30 | 三星電子株式会社 | 抵抗素子のないバイアス電流発生回路 |
| JP2007065831A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 定電流回路 |
| JP4742828B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-08-10 | 日産自動車株式会社 | 電圧駆動型スイッチング回路 |
| US7504878B2 (en) * | 2006-07-03 | 2009-03-17 | Mediatek Inc. | Device having temperature compensation for providing constant current through utilizing compensating unit with positive temperature coefficient |
| JP4787877B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | 基準電流回路、基準電圧回路、およびスタートアップ回路 |
| US7969236B1 (en) * | 2007-10-30 | 2011-06-28 | Impinj, Inc. | Reference current generator with low temperature coefficient dependence |
| US7978005B1 (en) * | 2007-10-30 | 2011-07-12 | Impinj, Inc. | Reference current generator with low temperature coefficient dependence |
| DE102008012809B4 (de) * | 2008-03-06 | 2009-11-26 | Infineon Technologies Ag | Potentialwandlerschaltung |
| US7750721B2 (en) * | 2008-04-10 | 2010-07-06 | Infineon Technologies Ag | Reference current circuit and low power bias circuit using the same |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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