JPH08512161A - 複数の電流源トランジスタをバイアスするための温度補償電流源を有する基準電圧源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 第１共通端子(2)、第２共通端子(4)、第１接続端子(6)及び第２接続端子(8)：第１接続端子(6)と第２共通端子(4)との間に直列に接続された第１半導体接合(10)及び第１抵抗器(12)：第１共通端子(2)と第２接続端子(8)との間に接続された第２抵抗器(16)：第２接続端子(8)と第２共通端子(4)との間に接続された第２半導体接合(14)：第１共通端子(2)と第１接続端子(6)との間に接続された第３半導体接合(18)：出力(26)、反転入力(24)及び非反転入力(22)を具え、反転及び非反転入力の１つの入力が第１接続端子(6)に接続され、他の入力が第２接続端子(8)に接続された差動増幅器(20)を具備し、第１(2)及び第２(4)共通端子の１つが差動増幅器(20)の出力(26)に接続された定電流源を駆動するための基準電圧源である。合計電流Ｉ1+Ｉ2の温度係数を零にすることができる。合計電流が電流源トランジスタに反射され、電流源トランジスタが温度に対して安定な電流を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】 複数の電流源トランジスタをバイアスするための 温度補償電流源を有する基準電圧源 本発明は電流源を駆動するための基準電圧源に関し、この電圧源は、 第１共通端子、第２共通端子、第１接続端子及び第２接続端子、 第１共通端子と第１接続端子との間に接続されたインピーダンス、 第１接続端子と第２共通端子との間に直列に接続された第１半導体接合及び第 １抵抗器、 第１共通端子と第２接続端子との間に接続された第２抵抗器、 第２接続端子と第２共通端子との間に接続された第２半導体接合、 出力、反転入力及び非反転入力を具え、反転及び非反転入力の１つの入力が第 １接続端子に接続され、他の入力が第２接続端子に接続された差動増幅器 を具備し、 第１及び第２共通端子の１つが差動増幅器の出力に接続され、他の１つが第１ 電源端子に接続されている。 この型の基準電圧源は米国特許ＵＳ4,100,436号に開示されており、バンドギ ャップ基準電圧源として既知である。ここで用いられているインピーダンスは抵 抗器の形をとっている。差動増幅器の出力が第１共通端子に接続され、第２共通 端子がアースに接続されている。差動増幅器は第１及び第２半導体接合を通る電 流に一定比率を与える。この電流比は、インピーダンスの抵抗と第２抵抗器との 間の抵抗値の比によって定まる。第１及び第２半導体接合間の接合電圧の差は第 １抵抗器の両端に現われる。この差は正の温度係数（ＴＣ）を持っている。その 結果、第１抵抗器を通る電流もやはり正のＴＣを持っている。この電流はインピ ーダンスの抵抗を通って流れ、この抵抗の両端にやはり正のＴＣを持つ電圧を生 成する。差動増幅器により第１及び第２接続端子間の電圧差は無視できるように なるので、第１接続端子と第１共通端子との間のインピーダンスの抵抗の両端の 電圧は、第２接続端子と第１共通端子の間の第２抵抗器の両端の電圧に等しい。 差動増幅器の出力での出力電圧は、第２半導体接合の接合電圧と第２抵抗器の両 端の電圧との和である。よく知られているように、半導体接合の両端電圧は負の ＴＣを持っている。パラメータが適切に選択された場合、第２抵抗器及び第２半 導体接合の両端の電圧の和は広い温度範囲にわたって実質的に零のＴＣを持つ。 この電圧の和は、差動増幅器の出力として他の目的に用いることができる。 前記米国特許ＵＳ4,100,436号は、第１及び第２両半導体接合がダイオード接 続されたトランジスタからなる代替案を開示している。米国特許ＵＳ4,059,793 号の図２及び３は第２の代替案を示しており、ここでは第１半導体接合がトラン ジスタのベース−エミッタ接合であり、そのコレクタが第１接続端子に接続され 、そのエミッタが第１抵抗器を介して第１電源端子に接続され、第２半導体接合 がトランジスタのベース−エミッタ接合であり、そのベースが第１トランジスタ のベースに接続され、そのコレクタが第２接続端子に接続されている。原理的に は、この第２の代替案は「ＩＣ電圧レギュレータの最近の進歩」（"New Develop ments in IC Voltage Regulators",IEEE Journal of Solid-State Circuit第SC- 6巻第１号第2-7頁1971年2月）の図２に示されたウィドラー(Widlar)バンドギャ ップ基準の一つの型である。 集積回路は、しばしば熱的に極めて安定な基準電圧ばかりでなく一又は複数の 温度に依存しない基準電流をも必要とする。このような基準電流は、エミッタ直 列抵抗器を持つか或いは持たない、電流源として構成されたトランジスタによっ て供給される。電流源トランジスタのベースが基準電圧を受信し、これを電流に 変換する。しかしながら、電流の大きさはまた電流源トランジスタのベース−エ ミッタ接合電圧によって定まり、その電圧はよく知られているように負のＴＣを 持ち、従って温度に依存しない電流を得るためには補正を必要とする。 米国特許ＵＳ4,816,742号は、電流源トランジスタのエミッタ電流の負のＴＣ を、エミッタ直列抵抗器と並列に正のＴＣを持つ補償電流源を設けることによっ て補償し、電流源トランジスタの正味のコレクタ電流のＴＣを零にする解を開示 している。しかしながら、この解は部品の追加及びチップ面積の増加のために魅 力が小さい。実際に、各々の電流源トランジスタが補償トランジスタを必要とし 、これに加えてこれらの全ての補償トランジスタを駆動するための導体が必要に なる。 欧州特許明細書0,252,320B1は他の解を開示しており、この解では第２半導体 接合と並列に抵抗器が接続される。この抵抗器を通って負のＴＣの電流が流れ、 接続された電流源トランジスタのベース−エミッタ接合の負のＴＣを補償する。 しかしながら、この解は前記の型とは異なる型、即ちブロコウ(Brokaw)バンドギ ャップ基準型の基準電圧源で用いられる。この型では、第１及び第２半導体接合 がトランジスタのベース−エミッタ接合であり、そのコレクタは第１及び第２接 続端子に接続され、そのベースは差動増幅器の出力に接続され、トランジスタの エミッタ電流の和は共通抵抗器中に形成される。 本発明の目的は、電流源トランジスタを駆動するための基準電圧源であって、 電流源トランジスタのベース−エミッタ接合の熱的挙動に対して補正された基準 電圧源を提供することである。 このため、本発明は、冒頭で定義された型の基準電圧源において、インピーダ ンスが第３半導体接合からなることを特徴とする。 差動増幅器が第１及び第２接続端子間の電圧差を実質的に零にするので、第２ 接続端子は、第１半導体接合、第１抵抗器及び第２半導体接合によって形成され る第１電流ミラーの入力端子であり、この電流ミラーの出力端子は第１接続端子 によって形成されると見做すことができる。第１電流ミラーの電流変換は、第１ 抵抗器の両端の接合電圧の差によって生じる正のＴＣを持つ。差動増幅器、第２ 抵抗器及び第３半導体接合を含む構成が、第１及び第２半導体接合を通る電流を 所定の比になるようにする。実際に、この構成は電流変換が負のＴＣを有する第 ２電流ミラーとして機能する。この２つの電流ミラーを組合せて２つの逆符号の 温度係数を重ね合わせると、第１及び第２抵抗器並びに第１及び第２半導体接合 の電流密度比を適切に選択すれば、第１又は第２共通端子の電流の和が、符号及 び大きさを調整することができるＴＣを持つようになる。第３抵抗器が第３半導 体接合と直列に設けられると、この選択を容易に行うことができる。 構成部品の適切な選択により、ＴＣが実質的に零の合計電流を得ることができ る。この合計電流は分岐することも多重化することもできる。このための第１の 代替技術は、前記の第１及び第２共通端子のうちの他の１つが、電流ミラーの入 力ブランチを介して第１電源端子に接続されることを特徴とする。このようにす れば、電流ミラーが更に一定で温度に依存しない電流を供給するための出力ブラ ンチを持つことができる。この場合、電流は第１電源端子の電位に関係する。 第２の代替技術は、差動増幅器が、制御電極、差動増幅器の出力を形成する第 １主電極、及び、電流ミラーの入力ブランチに接続された第２主電極を有する出 力トランジスタを具えることを特徴とする。出力トランジスタはバイポーラ又は ユニポーラ（ＭＯＳ）トランジスタでよい。第１主電極はエミッタ／ソースであ り、それは差動増幅器の出力として機能する。しかしながら、コレクタ／ドレイ ンを流れる電流はエミッタ／ソースの電流に実質的に等しい。コレクタ／ドレイ ンを電流ミラーに接続することにより、他の電源電位となる一定で温度に依存し ない電流を得ることができるようになる。他の代替解は、差動増幅器が出力トラ ンジスタを具え、この出力トランジスタは、第２電源端子に接続された第１主電 極、差動増幅器の出力を形成する第２主電極、及び、出力トランジスタのレプリ カの制御電極に接続されるように配置された制御電極を有し、前記レプリカは、 出力トランジスタの第１主電極と同様に第２電源端子に接続された第１主電極を 有することを特徴とする。この実施例においては、出力トランジスタのコレクタ ／ドレインが差動増幅器の出力を形成する。エミッタ／ソースは必要に応じて直 列抵抗器を介して第２電源端子に接続される。出力トランジスタの等大或いは等 大でないレプリカを設けることにより、やはり、多数の一定で温度に依存しない 電流を生成し、これが第２電源端子の電位になる。 しかしながら、部品の適切な選択により、更に負のＴＣを持つ合計電流を得る こともできる。この合計電流は抵抗器を通り抜けることができ、エミッタフォロ ワとして配置されたバッファトランジスタでバッファされ、多数の電流源トラン ジスタのベースを順に駆動する。この目的に適した実施例は、差動増幅器の出力 が第４抵抗器を介して前記第１及び第２共通端子の１つに接続され、更に、バッ ファトランジスタを具え、このバッファトランジスタは、差動増幅器の出力に接 続されたベース及び零入力電流源を介して第１電源端子に接続され且つ出力端子 に接続されたエミッタを有し、出力端子は少なくとも１つの電流源トランジスタ に接続され、トランジスタは、出力端子に接続されたベース、第１電源端子に接 続されたエミッタ及び定電流を供給するコレクタを有することを特徴とする。第 ４抵抗器を通る合計電流の負のＴＣは、第３抵抗器の両端の電圧の正のＴＣを補 償する。バッファトランジスタのベースの電圧は、第１電源端子の電圧から計算 される電圧であり、２つの接合電圧即ち第２及び第３半導体接合電圧と第３及び 第４抵抗器の両端の電圧との和である。しかしながら、後者の電圧は小さく、即 ち両者合わせてほぼ２５０mVである。これは、駆動されるべき電流源トランジス タのエミッタの電圧もまたほぼ２５０mVであることを意味し、第１電源端子の電 圧から隔たっている。電流源トランジスタのコレクタのスイングは、従って相対 的に低電源電圧に対して大きい。 ３Ｖ電源の場合でも動作し少ない構成部品で済む実施例は、第１半導体接合が 第１トランジスタのベース−エミッタ接合であり、第１トランジスタは、ベース 、第１接続端子に接続されたコレクタ及び第１抵抗器に接続されたエミッタを有 し、第２半導体接合はダイオード接続の第２トランジスタのベース−エミッタ接 合であり、第２トランジスタは、第１トランジスタのベースに接続されたベース 及び第２接続端子に接続されたコレクタを有することを特徴とし、更に、差動増 幅器が第５抵抗器及び第３トランジスタを具え、第３トランジスタは、それぞれ 第１接続端子及び第１電源端子に接続されたベース及びエミッタ、及び第５抵抗 器を介して第２電源端子に接続されたコレクタを有し、差動増幅器の出力が、第 ３トランジスタのコレクタによって形成されることを特徴とする。 この実施例は更に改善することができ、この場合、第４抵抗器が第５抵抗器の 分割点に接続されることを特徴とする。これは電源電圧の変化に対して新たな補 償を行う。第２抵抗器の、可能ならば第４抵抗器との両端の電圧の増加が、分割 点と第３トランジスタのコレクタとの間の抵抗器の両端の電圧の逆方向の増加に よって補償される。 バッファトランジスタの零入力電流源は、更に、零入力電流源が第４トランジ スタを具え、第４トランジスタは、第２トランジスタのベースに、第１電源端子 に及びバッファトランジスタのエミッタに、それぞれ接続されたベース、エミッ タ及びコレクタを有することを特徴とする。バッファトランジスタを通る零入力 電流は従って第２トランジスタを通る電流に従う。 本発明のこれらの及び他の観点は、次に図面を用いて記述され説明される。 図１は本発明による基準電圧源の一般的な回路図、 図２は本発明による基準電圧源の一般的な回路図、 図３は本発明による基準電圧源の実施例を示す図、 図４は本発明による基準電圧源の実施例を示す図、 図５は本発明による基準電圧源の実施例を示す図、 図６は本発明による基準電圧源の実施例を示す図、 図７は本発明による基準電圧源の実施例の詳細を示す図、 図８は本発明による基準電圧源の実施例の詳細を示す図、 図９は本発明による基準電圧源の実施例の詳細を示す図、 図１０は本発明による基準電圧源の実施例を示す図、 図１１は本発明による基準電圧源の実施例を示す図、 図１２は本発明による基準電圧源の実施例を示す図である。 これらの図面で同様のエレメントには同一の参照記号が付されている。 図１は本発明による基準電圧源の一般的な回路図である。図には、第１共通端 子２、第２共通端子４、第１接続端子６及び第２接続端子８が示されている。第 １半導体接合10及び第１抵抗器12が第１接続端子６と第２共通端子４との間に直 列に接続される。第２半導体接合14が第２接続端子８と第２共通端子４との間に 接続される。第２抵抗器16が第２接続端子８と第１共通端子２との間に接続され る。第３半導体接合18が第１接続端子６と第１共通端子２との間に接続される。 更に、差動増幅器20が示され、これは、非反転入力22及び反転入力24を具え、こ れらの入力の１つが第１接続端子６に接続され、他の入力が第２接続端子８に接 続され、非反転出力26及び反転出力28を具え、これらの出力の１つが第１共通端 子２に接続され、他の出力が第２共通端子４に接続される。第１電流Ｉ1が、第 １共通端子２から第２接続端子８を経て第２共通端子４に流れる。第２電流Ｉ2 が、第１共通端子２から第１接続端子６を経て第２共通端子４に流れる。合計電 流Ｉ1＋Ｉ2が差動増幅器20の非反転出力26によって第１共通端子２に供給され、 反転出力28によって第２共通端子４から流れ出る。非反転入力22及び反転入力24 への入力電流は無視してもよい。差動増幅器20は、第１接続端子６と第２接続 端子８との間の電圧差を極めて小さくする。従って第２抵抗器16の両端の電圧は 、第３半導体接合18の両端の接合電圧Ｖbe₃に等しい。第２抵抗器16を通る電流 Ｉ1は従って式 Ｉ1＝Ｖbe₃／Ｒ2 （１） に従う。ここでＲ2は第２抵抗器16の抵抗値である。電流Ｉ2は式 Ｉ2＝（ＶT／Ｒ1）ｌｎ〔（Ｉ1／Ｉ2）（Ａ1／Ａ2）〕 （２） に従う。ここでＶTは熱ポテンシャル（ｋＴ／ｑ）、Ｒ１は第１抵抗器12の抵抗 値、Ａ１は第１半導体接合10の面積、Ａ２は第２半導体接合14の面積である。式 （２）はそれ自体既知である。これの詳細については、例えば「精密基準電圧源 」（"A Precision Reference Voltage Source",IEEE Journal of Solid State C ircults,第SC-8巻第３号、1973年６月、第222-226頁）が参考になる。 式（１）は、負の温度係数（ＴＣ）の電流変換を持つ第１電流ミラーの効果を 表すものと見做すことができる。これはよく知られているように接合電圧Ｖbe₃ が負のＴＣを持つためである。ＶT＝ｋＴ／ｑは絶対温度に比例するので、比Ｉ2 ／Ｉ1は正のＴＣを持つ。温度が上昇すると、接合電圧Ｖbe₃従って第１電流Ｉ1 は減少する。しかしながら、第１電流Ｉ1の減少は、比Ｉ2／Ｉ1の正のＴＣによ る第２電流Ｉ2の増加によって補償される。従って、合計電流Ｉ1＋Ｉ2は実質的 に零のＴＣを持つことができる。従って、第１電流Ｉ1の減少を第２電流Ｉ2の増 加によって補償するためには、面積Ａ1が面積Ａ2のほぼ８倍の大きさを持たなけ ればならないことが分かる。図２に示すように、第３半導体接合18と直列に第３ 抵抗器30を配置することにより、第１電流ミラーの比較的大きい負のＴＣを減少 させることができる。正のＴＣの第２電流Ｉ2が第３抵抗器30を通って流れ、第 ３抵抗器30の両端に、これも正のＴＣを持つ大きな電圧降下を生成する。正のＴ Ｃの電圧降下は接合電圧Ｖbe₃の負のＴＣを減少させる。 図２に示した装置においては、共通端子２及び４の１つが固定された電圧に接 続されていてもその基本的な動作は変わらず、この場合これに加えて差動増幅器 20の関連する出力が省略される。図３乃至６は種々の変形を示している。図３で は、第２共通端子４がアースに接続されている筈の第１電源端子32に接続され、 非反転出力26が第１共通端子２に接続され、反転出力28が省略されている。図５ では、第２ではなく、第１共通端子２が第１電源端子32に接続されている。ここ では非反転出力26が第２共通端子４に接続され、非反転入力22及び反転入力24が 逆方向に接続される。 第１半導体接合10、第２半導体接合14及び第３半導体接合18はダイオードとし て表示されているが、これらはコレクタとベースが相互接続されたトランジスタ によって形成されてもよい。第１半導体接合10、第１抵抗器12及び第２半導体接 合14の効果は、変形によっても同様に得られる。図４は図３に対するそのような 変形を示す。図４においては、第１半導体接合10が第１トランジスタ34のベース −エミッタ接合であり、そのコレクタは第１接続端子６に接続され、そのエミッ タは第１抵抗器12に接続されている。また、第２半導体接合14はダイオード接続 の第２トランジスタ36のベース−エミッタ接合であり、そのベースは第１トラン ジスタ34のベースに接続され、そのコレクタは第２接続端子８に接続される。図 ６は図５の装置の同様の変形を示す。 実質的に零のＴＣを持つ合計電流Ｉ1＋Ｉ2が第１共通端子２及び第２共通端子 ４を通って流れる。図７は合計電流の利用方法の第１例を示す。図３又は４の装 置の第２共通端子４が、電流ミラー40の入力ブランチ38を介して第１電源端子32 に接続される。電流ミラー40は多数の電流源トランジスタ42を具え、それらのベ ース−エミッタ接合は、入力ブランチ38のダイオード接続されたトランジスタの ベース−エミッタ接合と並列に配置される。電流源トランジスタ42は、合計電流 Ｉ1＋Ｉ2と同一のＴＣを持つ電流を供給する。明らかに、図５及び６に示された 回路装置で、同様の電流ミラーによるカップリングアウト法を用いることができ る。 図８は他のカップリングアウト法を示す。差動増幅器20が、非反転出力26に接 続されたエミッタを有する出力トランジスタ44を具える。出力トランジスタ44の コレクタは、その他の点については図７の電流ミラー40と同様の電流ミラー48の 入力ブランチ46に接続される。出力トランジスタ44のエミッタ中の合計電流Ｉ1 ＋Ｉ2はほぼ完全にコレクタを通って流れ、電流ミラー48の電流源トランジスタ5 0は合計電流と同一のＴＣを持つ電流を供給する。出力トランジスタ44はＭＯＳ トランジスタであってもよい。図７の電流ミラー40及び図８の電流ミラー48のト ランジスタについても同様である。 図９は第３のカップリングアウト法を示す。差動増幅器20がやはり出力トラン ジスタ52を具えるが、ここではコレクタが非反転出力26に接続される。エミッタ は第２電源端子54に接続される。レプリカトランジスタ56のベース−エミッタ接 合は出力トランジスタ52のベース−エミッタ接合と並列に配置される。レプリカ トランジスタ56は、合計電流Ｉ1＋Ｉ2のＴＣと等しいＴＣを持つコレクタ電流を 供給する。この場合、出力トランジスタ52及びレプリカトランジスタ56もＭＯＳ トランジスタであってもよい。 これまで、目的は実質的に零のＴＣを持つ合計電流Ｉ1＋Ｉ2を得ることであっ た。第１電流Ｉ1の減少は、比Ｉ2／Ｉ1の正のＴＣにより第２電流Ｉ2の増加によ って補償される。従って、合計電流Ｉ1＋Ｉ2は実質的に零のＴＣを与えられる。 しかしながら、意識的に完全補償よりも低度の補償を実現することができる。こ の場合、合計電流は僅かに負のＴＣを持つ。図１０はこのような場合の回路装置 を示す。この回路装置は図３の変形を基にしているが、図４、５及び６に示され た変形についても同様に適用できる。差動増幅器20の非反転出力26が、ここでは 第４抵抗器58を介して第１共通端子２に接続される。更に、非反転出力26に接続 されたベース及び零入力電流源62を介して第１電源端子32に接続され且つ複数の 電流源トランジスタ66のベースに接続するための接続端子64に接続されたエミッ タを有するバッファトランジスタ60を具え、この電流源トランジスタ66のエミッ タは直列抵抗器68によって第１電源端子32に接続される。第１電源端子32から出 発すると、バッファトランジスタ60のベースの電圧は、ここで第２半導体接合14 の接合電圧Ｖbe₁₄、第３抵抗器30の両端の電圧降下Ｕｒ₃₀、第３半導体接合18の 接合電圧Ｖbe₁₈及び第４抵抗器58の両端の電圧降下Ｕｒ₅₈の和に等しいことが分 かる。しかしながら、バッファトランジスタ60のベースの電圧は、更に、直列抵 抗器68の両端の電圧Ｕｒ₆₈、電流源トランジスタ66の接合電圧Ｖbe₆₆及びバッフ ァトランジスタ60の接合電圧Ｖbe₆₆の和に等しいことが分かる。第１の近似とし ては、直列抵抗器68の両端の電圧Ｕｒ₆₈が第３抵抗器30の両端の電圧降下Ｕｒ₃₀ と第４抵抗器58の両端の電圧降下Ｕｒ₅₈との和に等しい。既に述べたように正の ＴＣを持つ電流１２は第３抵抗器30を通って流れる。負のＴＣを持つ合 計電流Ｉ1＋Ｉ2は第４抵抗器58を通って流れる。第３抵抗器30及び第４抵抗器58 の両端の合計電圧は、従って実質的に零のＴＣを持つことができる。この電圧は 、電流源トランジスタ66の直列抵抗器68の両端に現れ、これにより温度に対して 安定なコレクタ電流を供給する。 図１０の差動増幅器20は、図４に示した変形を基にすると極めて簡潔にするこ とができる。その結果を図１１に示す。ここでは差動増幅器20が第３トランジス タ70を具え、これは、それぞれ第１電源端子32、第１接続端子６及び非反転出力 26に接続されたエミッタ、ベース及びコレクタを有する。非反転出力26は第５抵 抗器72を介して第２電源端子54に接続される。第３トランジスタ70のベースが反 転入力として機能する。第３トランジスタ70のエミッタが非反転入力として機能 し、これは、第３トランジスタ70のベース−エミッタオフセット電圧を補償する ため、第２トランジスタ36のベース−エミッタ接合を介して第２接続端子８に接 続される。この回路装置はほぼ３Ｖという低電源電圧でも動作する。必要な合計 電圧は、２つの接合電圧即ちバッファトランジスタ60及び電流源トランジスタ66 の接合電圧と、自由に選択でき例えば２５０mVである直列抵抗器68の両端の電圧 と、第５抵抗器72の両端の電圧との和である。 図１２では第５抵抗器72が分割点74を持つ２つの部分からなり、分割点74に第 ４抵抗器58が接続される。第２電源端子と分割点との間の部分を72Aとし、他の 部分を72Bとする。これは電源電圧の変動に対する付加的な補償を実現する。電 源電圧の増加に基づく第２抵抗器16及び可能ならば第４抵抗器58の両端の電圧の 増加は、分割点74と非反転出力26との間の抵抗器の両端の電圧の逆方向の増加に よって補償される。図１１の零入力電流源62は、第４トランジスタ76を具え、こ れのベース、エミッタ及びコレクタは、それぞれ、第２トランジスタ36のベース 、第１電源端子32及びバッファトランジスタ60のエミッタに接続される。第１電 流Ｉ1が反射され、バッファトランジスタ60のための零入力電流源として用いら れる。 図１２には例として、摂氏２７°で電源電圧４Ｖの場合ついて、電流、電圧及 び抵抗値が記載されている。これらの値は次の通りである。 第２電源端子54の電圧：アースに対して４Ｖ 抵抗器72A：４０００Ω 抵抗器72Aの両端の電圧：２．０１Ｖ 抵抗器72Aを通る電流：４９８μＡ 抵抗器72B：１４５Ω 抵抗器72Bの両端の電圧：３０ｍＶ 抵抗器72Bを通る電流：２０７μＡ 抵抗器58：６８０Ω 抵抗器58の両端の電圧：１９７ｍＶ 抵抗器58を通る電流：２９１μＡ 抵抗器16：６２００Ω 抵抗器16の両端の電圧：９５３ｍＶ 抵抗器16を通る電流：１５５μＡ 抵抗器30：１５００Ω 抵抗器30の両端の電圧：２０４ｍＶ 抵抗器30を通る電流：１３６μＡ 抵抗器12：３３０Ω 抵抗器12の両端の電圧：４５ｍＶ 抵抗器68：６２５Ω 抵抗器68の両端の電圧：２６０ｍＶ 抵抗器68を通る電流：４１７μＡ トランジスタ60のベース電圧：アースに対して１．９６Ｖ トランジスタ60のエミッタ電流：４１９μＡ トランジスタ60のエミッタ電圧：アースに対して１．０８Ｖ トランジスタ34、36及び76のベース電圧：アースに対して８４１ｍＶ トランジスタ76のコレクタ電流：３１０μＡ トランジスタ34のコレクタ電流：１３４μＡ トランジスタ70のベース電圧：アースに対して８０１ｍＶ トランジスタ70のコレクタ電流：２０３μＡ トランジスタ34のエミッタ面積とトランジスタ36のエミッタ面積との比：４ ここに示された全ての回路装置においては、逆の伝導型のトランジスタを用い ることもできる。原理的に、ミラー40及び48はどのような既知の型であってもよ い。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．第１共通端子(2)、第２共通端子(4)、第１接続端子(6)及び第２接続端子(8) 、 第１共通端子(2)と第１接続端子(6)との間に接続されたインピーダンス(18) 、 第１接続端子(6)と第２共通端子(4)との間に直列に接続された第１半導体接 合(10)及び第１抵抗器(12)、 第１共通端子(2)と第２接続端子(8)との間に接続された第２抵抗器(16)、 第２接続端子(8)と第２共通端子(4)との間に接続された第２半導体接合(14) 、 出力(26)、反転入力(24)及び非反転入力(22)を具え、反転及び非反転入力の １つの入力が第１接続端子(6)に接続され、他の入力が第２接続端子(8)に接続さ れた差動増幅器(20) を具備し、 第１(2)及び第２(4)共通端子の１つが差動増幅器(20)の出力(26)に接続され 、他の１つが第１電源端子(32)に接続された 電流源を駆動するための基準電圧源において、 インピーダンス(18)が第３半導体接合(18)からなることを特徴とする基準電 圧源。 ２．第３半導体接合(18)と直列に第３抵抗器(30)が設けられることを特徴とする 請求項１に記載の基準電圧源。 ３．前記第１(2)及び第２(4)共通端子の他の１つが、電流ミラー(40)の入力ブラ ンチ(38)を介して第１電源端子(32)に接続されることを特徴とする請求項１又は ２に記載の基準電圧源。 ４．差動増幅器(20)が、制御電極、差動増幅器(20)の出力(26)を形成する第１主 電極、及び、電流ミラー(48)の入力ブランチ(46)に接続された第２主電極を有す る出力トランジスタ(44)を具えることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の 基準電圧源。 ５．差動増幅器(20)が出力トランジスタ(52)を具え、この出力トランジスタ(52) が、第２電源端子(54)に接続された第１主電極、差動増幅器(20)の出力(26)を形 成する第２主電極、及び、出力トランジスタ(52)のレプリカ(56)の制御電極に接 続されるように配置された制御電極を有し、前記レプリカ(56)が、出力トランジ スタ(52)の第１主電極と同様に第２電源端子(54)に接続された第１主電極を有す ることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の基準電圧源。 ６．差動増幅器(20)の出力(26)が第４抵抗器(58)を介して前記第１(2)及び第２( 4)共通端子の１つに接続され、更に、バッファトランジスタ(60)を具え、このバ ッファトランジスタ(60)が、差動増幅器(20)の出力(26)に接続されたベース及び 零入力電流源(62)を介して第１電源端子(32)に接続され且つ出力端子(64)に接続 されたエミッタを有し、出力端子(64)が少なくとも１つの電流源トランジスタ(6 6)に接続され、トランジスタ(66)が、出力端子(64)に接続されたベース、第１電 源端子(32)に接続されたエミッタ及び定電流を供給するコレクタを有することを 特徴とする請求項１又は２に記載の基準電圧源。 ７．第１半導体接合(10)が第１トランジスタ(34)のベース−エミッタ接合であり 、第１トランジスタ(34)が、ベース、第１接続端子(6)に接続されたコレクタ及 び第１抵抗器(12)に接続されたエミッタを有し、第２半導体接合(14)がダイオー ド接続の第２トランジスタ(36)のベース−エミッタ接合であり、第２トランジス タ(36)が、第１トランジスタ(34)のベースに接続されたベース及び第２接続端子 (8)に接続されたコレクタを有することを特徴とする請求項６に記載の基準電圧 源。 ８．差動増幅器(20)が第５抵抗器(72)及び第３トランジスタ(70)を具え、第３ト ランジスタ(70)が、それぞれ第１接続端子(6)及び第１電源端子(32)に接続され たベース及びエミッタ、及び第５抵抗器(72)を介して第２電源端子(54)に接続さ れたコレクタを有し、差動増幅器(20)の出力(26)が、第３トランジスタ(70)のコ レクタによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の基準電圧源。 ９．第４抵抗器(58)が第５抵抗器(72)の分割点(74)に接続されることを特徴とす る請求項８に記載の基準電圧源。 １０．零入力電流源(62)が第４トランジスタ(76)を具え、第４トランジスタ(76) が、第２トランジスタ(36)のベースに、第１電源端子(32)に及びバッファトラン ジスタ(60)のエミッタに、それぞれ接続されたベース、エミッタ及びコレクタを 有することを特徴とする請求項７、８又は９に記載の基準電圧源。