KR20000003932A - 온도 보상된 고정밀 전류원 - Google Patents

온도 보상된 고정밀 전류원 Download PDF

Info

Publication number
KR20000003932A
KR20000003932A KR1019980025240A KR19980025240A KR20000003932A KR 20000003932 A KR20000003932 A KR 20000003932A KR 1019980025240 A KR1019980025240 A KR 1019980025240A KR 19980025240 A KR19980025240 A KR 19980025240A KR 20000003932 A KR20000003932 A KR 20000003932A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
reflecting
generating
source
high precision
Prior art date
Application number
KR1019980025240A
Other languages
English (en)
Inventor
신윤태
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019980025240A priority Critical patent/KR20000003932A/ko
Priority to US09/342,092 priority patent/US6191646B1/en
Publication of KR20000003932A publication Critical patent/KR20000003932A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/267Current mirrors using both bipolar and field-effect technology
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/10Calibration or testing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

본 발명은 온도 변화에 영향을 받지 않으면서 일정한 전류를 공급할 수 있는 온도 보상된 고정밀 전류원을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 전원 전압에 연결되어 정상동작 시 바이어스 동작 또는 구동 동작을 수행하고, 파워-다운시 전류를 차단하는 제어 수단; 상기 제어 수단으로부터 출력되는 신호에 응답하여 절대 온도에 역비례하는 제1 전류를 발생하는 제1 전류 발생 수단; 상기 제1 전류를 반영하여 출력하는 제1 전류 반영 수단; 상기 제어 수단으로부터 출력되는 신호에 응답하여 절대 온도에 비례하는 제2 전류를 발생하는 제2 전류 발생 수단; 상기 제2 전류를 반영하여 출력하는 제2 전류 반영 수단; 상기 제1 및 제2 전류 반영 수단으로부터 출력되는 상기 제1 및 제2 전류를 합하여 제3 전류를 생성하는 전류 가산 수단; 및 상기 전류 가산 수단으로부터 상기 제3 전류를 반영하여 전류원의 최종 전류로 출력하는 제3 전류 반영 수단을 포함한다.

Description

온도 보상된 고정밀 전류원
본 발명은 온도의 변화에 대해 항상 일정한 전류를 발생하는 고정밀(high precision) 전류원 장치에 관한 것이다.
고정밀의 디지털-아날로그 변환기 또는 아날로그-디지털 변환기 등에 이용되어 온도의 변화에 따라 일정한 전류를 발생시켜 연산 증폭기를 바이어스(bias) 시키거나 이를 이용하여 전압 기준기를 설계하는데 이용된다.
도 1은 종래의 전류원을 도시한 것으로서, 도시한 전류원은 바이폴라 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor, Q1)의 VBE값을 이용하여 바이어스 전류(I=VBE1/R)를 생성하여 사용하였지만, 저항(R)의 온도 계수(temperature coefficient)가 온도 증가에 따라 정방향(positive)으로 증가하고, VBE1의 온도 계수는 이와 반대로 부(negative)방향으로 증가하므로 바이어스 전류 I는 강한 부방향의 바이어스 전류(이하, IPTAT(Inversely proportional to absolute temperature) 전류라 함)를 생성시키는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 열전압(Thermal voltage, VT)을 이용한 전류원을 도시한 것으로서, I=[VTln(NIE1/IE2)]/R의 전류를 공급한다. 여기서 N은 (바이폴라 트랜지스터 Q2의 에미터 면적)/(바이폴라 트랜지스터 Q1의 에미터 면적)이고, IE1과 IE2는 각각 Q1, Q2의 에미터 전류를 의미한다. 열전압(VT)은 온도 증가에 따라 정방향의 온도 계수를 가지되, 온도 증가에 따라 정방향으로 증가하는 저항(R)의 온도 계수보다 더욱 큰 온도 계수를 가지므로 결과적으로 온도가 증가함에 따라 정방향으로 증가하는 전류(이하, PTAT(proportional to absolute temperature)전류라 함)를 생성시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 온도 변화에 영향을 받지 않으면서 일정한 전류를 공급할 수 있는 온도 보상된 고정밀 전류원을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 전류원을 도시한 도면.
도 2는 종래의 열전압(Thermal voltage, VT)을 이용한 전류원을 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 전류원을 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 상기 도 3의 전류원을 트랜지스터 레벨로 구현한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 바이어스/스타트-업/파워-다운 제어부
2 : 제1 바이어스 및 전류 반영기
3 : PTAT 전류 발생기 4 : 제2 바이어스 및 전류 반영기
5 : IPTAT 전류 발생기 6 : 전류 덧셈기
7 : 제3 바이어스 및 전류 반영기
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 전원 전압에 연결되어 정상동작 시 바이어스 동작 또는 구동 동작을 수행하고, 파워-다운시 전류를 차단하는 제어 수단; 상기 제어 수단으로부터 출력되는 신호에 응답하여 절대 온도에 역비례하는 제1 전류를 발생하는 제1 전류 발생 수단; 상기 제1 전류를 반영하여 출력하는 제1 전류 반영 수단; 상기 제어 수단으로부터 출력되는 신호에 응답하여 절대 온도에 비례하는 제2 전류를 발생하는 제2 전류 발생 수단; 상기 제2 전류를 반영하여 출력하는 제2 전류 반영 수단; 상기 제1 및 제2 전류 반영 수단으로부터 출력되는 상기 제1 및 제2 전류를 합하여 제3 전류를 생성하는 전류 가산 수단; 및 상기 전류 가산 수단으로부터 상기 제3 전류를 반영하여 전류원의 최종 전류로 출력하는 제3 전류 반영 수단을 포함하여 이루어진다.
도 3은 본 발명의 전류원을 도시한 도면으로서, 도면에서 1은 바이어스/스타트-업(start-up)/파워-다운(power-down) 제어부, 2는 제1 바이어스 및 전류 반영기(current mirror), 3은 PTAT 전류 발생기, 4는 제2 바이어스 및 전류 반영기, 5는 IPTAT 전류 발생기, 6은 전류 덧셈기, 7은 제3 바이어스 및 전류 반영기를 각각 나타낸다.
바이어스/스타트-업/파워-다운 제어부(1)는 정상동작시 제1 바이어스 및 전류 반영기(2), 제2 바이어스 및 전류 반영기(4) 및 제3 바이어스 및 전류 반영기(7)를 바이어스 시키거나 스타트-업시키고(11), 파워-다운 시 제1 바이어스 및 전류 반영기(2)에 흐르는 출력 전류(I1, 21), 제2 바이어스 및 전류 반영기(4)에 흐르는 출력 전류(I2, 41) 및 제3 바이어스 및 전류 반영기(7)에 흐르는 출력 전류(71)를 각각 0으로 할 수 있도록 파워-다운시키는 역할(11)을 한다.
바이어스/스타트-업/파워-다운 제어부(1)로부터 정상 동작 신호가 출력(11)되는 경우 제1 바이어스 및 전류 반영기(2)의 출력 전류 I1(21)은 PTAT 전류 발생기(3)의 엔모스 트랜지스터(M1, M2)와 PNP 바이폴라 트랜지스터(Q1, Q2)로부터 아래 수학식 1에서와 같은 PTAT 전류로 생성된다.
-VBE1-VGS1+VGS2+I1R1+VBE2=0
VGS1=VGS2일 때
여기서 VGS1과 VGS2는 각각 엔모스 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스(Gate-Source)간 전압이고, VBE1과 VBE2는 각각 PNP 바이폴라 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스-에미터(Base-Emitter) 간 전압이고, IE1과 IE2는 PNP 바이폴라 트랜지스터(Q1, Q2) 각각의 에미터 전류이고, VT은 열전압이고, N은 상기 (Q2의 에미터 면적)/(Q1의 에미터 면적)로서 PTAT 전류 I1은 제1 바이어스 및 전류 반영기(2)로부터 전류가 반영되어 출력이 I1인 전류(21)를 내보낸다.
IPTAT 전류 발생기(5)에서는 엔모스 트랜지스터(M1, M3, M4)의 채널 폭과 길이가 동일하다고 가정하면, 저항 R2에 흐르는 전류 I3은 VBE1/R2이고, 엔모스 트랜지스터(M4)에 흐르는 전류는 VBE1/2R2이므로, 이 전류를 제2 바이어스 및 전류 반영기(4)로 전류를 반영시키면 출력 전류 I2(41)로 아래 수학식 2와 같은 IPTAT 전류가 나가게 된다.
I2=VBE1/2R2
다음으로, 전류 덧셈기(6)에서 두 전류 I1과 I2를 합한 전류 덧셈기의 출력 전류 I(61)는 아래 수학식 3과 같다.
결과적으로, 온도 변화에 대해 일정한 전류(61)를 발생시킬 수 있으므로, 이 전류를 제3 바이어스 및 전류 반영기(7)로 전류를 반영시켜 최종 출력 전류 I(71)를 만든다.
도 4는 도 3의 본 발명의 전류원을 트랜지스터 레벨로 구현한 도면으로, 먼저 바이어스/스타트-업/파워-다운 제어부(1)로부터 정상 동작신호가 출력(11)되면 엔모스 트랜지스터(M1, M2), PNP 바이폴라 트랜지스터(Q1, Q2)로 구성된 PTAT 전류 발생기(3)로부터 엔모스 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압이 VGS1=VGS2일 때, 상기의 수학식 1과 같은 PTAT 전류를 생성시킨다. 상기 PTAT 전류 I1은 상기 제1 바이어스 및 전류 반영기(2)로부터 피모스 트랜지스터(M7, M8)에 의해 전류가 반영되어 출력이 I1인 전류(21)를 내보낸다.
엔모스 트랜지스터(M3, M4), 저항(R2)으로 구성된 IPTAT 전류 발생기(5)에서는 상기 PTAT 전류 발생기(3)의 엔모스 트랜지스터(M1)와 IPTAT 전류 발생기(5)의 엔모스 트랜지스터(M3, M4)의 채널 폭과 길이가 동일하다고 하면, 저항(R2)에 흐르는 전류(I3)는 VBE1/R2이고, 엔모스 트랜지스터(M4)에 흐르는 전류는 VBE1/2R2이므로, 이 전류를 상기 제2 바이어스 및 전류 반영기(4)로 전류를 상기 피모스 트랜지스터(M11, M12)에 의해 반영시키면 출력 전류 I2(41)가 상기 수학식 2와 같은 IPTAT 전류를 내보내게 된다.
다음으로, 전류 덧셈기(6)에서 두 전류 I1과 I2를 합하면 전류 덧셈기의 출력 전류 I(61)는 상기 수학식 3이 되어 온도 변화에 대해 일정한 전류(61)를 발생시킬 수 있다. 그리고, 출력 전류(61, I)를 상기 제3 바이어스 및 전류반영기(7)의 피모스 트랜지스터(M19, M20, M21, M22)로 반영시켜 온도 변화에 대해 일정한 복수개의 출력 전류 I(71)를 만든다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은, 연산 증폭기(operational amplifier)를 사용하지 않고 전류를 생성함으로써 옵셋 전압(offset voltage)에 의해 전류 값이 변화되는 것을 줄일 수 있고, 또한 온도 변화에 대해 일정한 전류를 발생시킬 수 있으므로 고정밀 데이터 변환기에 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (7)

  1. 전원 전압에 연결되어 정상동작 시 바이어스 동작 또는 구동 동작을 수행하고, 파워-다운시 전류를 차단하는 제어 수단;
    상기 제어 수단으로부터 출력되는 신호에 응답하여 절대 온도에 역비례하는 제1 전류를 발생하는 제1 전류 발생 수단;
    상기 제1 전류를 반영하여 출력하는 제1 전류 반영 수단;
    상기 제어 수단으로부터 출력되는 신호에 응답하여 절대 온도에 비례하는 제2 전류를 발생하는 제2 전류 발생 수단;
    상기 제2 전류를 반영하여 출력하는 제2 전류 반영 수단;
    상기 제1 및 제2 전류 반영 수단으로부터 출력되는 상기 제1 및 제2 전류를 합하여 제3 전류를 생성하는 전류 가산 수단; 및
    상기 전류 가산 수단으로부터 상기 제3 전류를 반영하여 전류원의 최종 전류로 출력하는 제3 전류 반영 수단
    을 포함하여 이루어지는 고정밀 전류원.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전류 발생 수단은,
    상기 제1 전류 반영 수단 및 접지 전원 간에 직렬로 연결되되, 게이트가 상기 제1 전류 반영 수단에 연결되는 제1 모스트랜지스터 및 베이스와 컬렉터가 접지 전원에 연결되는 제1 바이폴라 트랜지스터; 및
    상기 제1 전류 반영 수단 및 접지 전원 간에 차례로 직렬 연결되되, 게이트가 상기 제1 전류 반영 수단에 연결되는 제2 모스트랜지스터, 제1 저항 및 베이스와 컬렉터가 접지 전원에 연결되는 제2 바이폴라 트랜지스터
    를 포함하는 고정밀 전류원.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 전류 발생 수단은,
    상기 제1 및 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간의 전압차를 상기 제1 저항으로 나누어 상기 제1 전류를 발생하는 것을 특징으로 하는 고정밀 전류원.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 전류 발생 수단은,
    상기 제2 전류 반영 수단 및 공통 소스단 사이에 병렬 연결되는 제3 모스트랜지스터 및 제4 모스트랜지스터; 및
    상기 공통 소스단과 접지 전원 간에 접속되는 제2 저항
    을 포함하는 고정밀 전류원.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 전류 발생 수단은,
    상기 제1 전류 발생 수단의 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간 전압을 상기 제2 저항으로 나누어 상기 제2 전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 고정밀 전류원.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 바이폴라 트랜지스터는,
    상기 제1 바이폴라 트랜지스터보다 N배 큰 에미터 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 고정밀 전류원.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 전류 반영 수단은,
    상기 제3 전류를 반영하여 복수개의 출력 전류를 출력할 수 있는 것을 특징으로 하는 고정밀 전류원.
KR1019980025240A 1998-06-30 1998-06-30 온도 보상된 고정밀 전류원 KR20000003932A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980025240A KR20000003932A (ko) 1998-06-30 1998-06-30 온도 보상된 고정밀 전류원
US09/342,092 US6191646B1 (en) 1998-06-30 1999-06-29 Temperature compensated high precision current source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980025240A KR20000003932A (ko) 1998-06-30 1998-06-30 온도 보상된 고정밀 전류원

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000003932A true KR20000003932A (ko) 2000-01-25

Family

ID=19541726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980025240A KR20000003932A (ko) 1998-06-30 1998-06-30 온도 보상된 고정밀 전류원

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6191646B1 (ko)
KR (1) KR20000003932A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102230360B1 (ko) 2020-10-05 2021-03-19 이선재 사골 자동추출기

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3450257B2 (ja) * 2000-02-28 2003-09-22 Nec化合物デバイス株式会社 アクティブ・バイアス回路
US6664843B2 (en) 2001-10-24 2003-12-16 Institute Of Microelectronics General-purpose temperature compensating current master-bias circuit
FR2832819B1 (fr) * 2001-11-26 2004-01-02 St Microelectronics Sa Source de courant compensee en temperature
DE102004002423B4 (de) * 2004-01-16 2015-12-03 Infineon Technologies Ag Bandabstand-Referenzschaltung
KR100588735B1 (ko) * 2004-05-06 2006-06-12 매그나칩 반도체 유한회사 온도의 변화에 관계없는 기준전압과 기준전류를 공급하는기준전압 및 전류 발생기
US20070237207A1 (en) 2004-06-09 2007-10-11 National Semiconductor Corporation Beta variation cancellation in temperature sensors
US7309157B1 (en) * 2004-09-28 2007-12-18 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for calibration of a temperature sensor
WO2008032606A1 (fr) * 2006-09-13 2008-03-20 Panasonic Corporation Circuit de courant de référence, circuit de tension de référence et circuit de mise en marche
US20080074173A1 (en) * 2006-09-25 2008-03-27 Avid Electronics Corp. Current source circuit having a dual loop that is insensitive to supply voltage
US7863883B2 (en) * 2008-04-18 2011-01-04 Nanya Technology Corp. Low-voltage current reference and method thereof
US9733662B2 (en) * 2011-07-27 2017-08-15 Nxp B.V. Fast start up, ultra-low power bias generator for fast wake up oscillators
US9817426B2 (en) * 2014-11-05 2017-11-14 Nxp B.V. Low quiescent current voltage regulator with high load-current capability
US10379566B2 (en) * 2015-11-11 2019-08-13 Apple Inc. Apparatus and method for high voltage bandgap type reference circuit with flexible output setting
TWI750357B (zh) * 2018-03-23 2021-12-21 力智電子股份有限公司 電流鏡校正電路及電流鏡校正方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05241672A (ja) * 1992-03-02 1993-09-21 Texas Instr Japan Ltd 定電圧回路および定電流回路
JPH07191771A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Hitachi Ltd 定電流発生回路及びそれを用いた装置
JPH08123568A (ja) * 1994-10-24 1996-05-17 Nec Corp 基準電流回路
KR970049215A (ko) * 1995-12-28 1997-07-29 김광호 온도 독립형 전류원

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4215282A (en) 1978-08-03 1980-07-29 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature compensated sense amplifier for PROMs and the like
US4525663A (en) 1982-08-03 1985-06-25 Burr-Brown Corporation Precision band-gap voltage reference circuit
US4604532A (en) 1983-01-03 1986-08-05 Analog Devices, Incorporated Temperature compensated logarithmic circuit
US4591743A (en) 1983-12-19 1986-05-27 National Semiconductor Corporation Temperature compensated current sensing circuit
US4966034A (en) 1988-04-28 1990-10-30 Schrader Automotive, Inc. On-board tire pressure indicating system performing temperature-compensated pressure measurement, and pressure measurement circuitry thereof
US5159357A (en) 1990-06-26 1992-10-27 Eastman Kodak Company Non-impact printer for recording in color
US5034626A (en) * 1990-09-17 1991-07-23 Motorola, Inc. BIMOS current bias with low temperature coefficient
US5481180A (en) 1991-09-30 1996-01-02 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. PTAT current source
US5373226A (en) 1991-11-15 1994-12-13 Nec Corporation Constant voltage circuit formed of FETs and reference voltage generating circuit to be used therefor
KR100316834B1 (ko) * 1993-12-27 2002-04-24 가나이 쓰도무 기준전류발생회로,정전류발생회로및그것을사용한장치
JPH08194040A (ja) 1995-01-18 1996-07-30 Mitsubishi Electric Corp 磁電変換装置
JP2836547B2 (ja) * 1995-10-31 1998-12-14 日本電気株式会社 基準電流回路
US5818294A (en) * 1996-07-18 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature insensitive current source

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05241672A (ja) * 1992-03-02 1993-09-21 Texas Instr Japan Ltd 定電圧回路および定電流回路
JPH07191771A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Hitachi Ltd 定電流発生回路及びそれを用いた装置
JPH08123568A (ja) * 1994-10-24 1996-05-17 Nec Corp 基準電流回路
KR970049215A (ko) * 1995-12-28 1997-07-29 김광호 온도 독립형 전류원

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102230360B1 (ko) 2020-10-05 2021-03-19 이선재 사골 자동추출기

Also Published As

Publication number Publication date
US6191646B1 (en) 2001-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20000003932A (ko) 온도 보상된 고정밀 전류원
US7755344B2 (en) Ultra low-voltage sub-bandgap voltage reference generator
US7071767B2 (en) Precise voltage/current reference circuit using current-mode technique in CMOS technology
US6384586B1 (en) Regulated low-voltage generation circuit
CN109976425B (zh) 一种低温度系数基准源电路
KR0157045B1 (ko) 밴드-갭 기준 전압 회로 및 기준 전압 공급 방법
KR100233761B1 (ko) 밴드 갭 기준 회로
WO2003050847A3 (en) Low power bandgap circuit
KR950021505A (ko) 기준전류발생회로, 정전류발생회로 및 그것을 사용한 장치
CN114115417B (zh) 带隙基准电路
KR102544302B1 (ko) 밴드갭 레퍼런스 회로
CN101013332A (zh) 一种超低电压参考源
JPH07104877A (ja) 禁止帯幅基準電圧源
US7161340B2 (en) Method and apparatus for generating N-order compensated temperature independent reference voltage
US4472648A (en) Transistor circuit for reducing gate leakage current in a JFET
JPH0650454B2 (ja) 電流安定化回路
US20050093530A1 (en) Reference voltage generator
US6380723B1 (en) Method and system for generating a low voltage reference
CA2025415A1 (en) Temperature compensated voltage regulator and reference circuit
US5977759A (en) Current mirror circuits for variable supply voltages
US20070069709A1 (en) Band gap reference voltage generator for low power
US6249175B1 (en) Self-biasing circuit
EP0080620A1 (en) Band gap voltage regulator circuit
CN115016581A (zh) 一种自带启动电路的带隙基准电路结构
KR100713773B1 (ko) 저전압 밴드갭 기준 발생기 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application