KR900013520A - BiCMOS기준 회로망 및 기준 전압 발생 방법 - Google Patents

BiCMOS기준 회로망 및 기준 전압 발생 방법 Download PDF

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브이.트랜 히에프
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엔. 라이스 머레트
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Abstract

내용 없음

Description

BiCMOS기준 회로망 및 기준 전압 발생 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 선택된 전압 VS. 칩간 거리와 함께 본 발명의 양호한 실시예를 도시한 도면,
제10도는 본 발명에 사용된 BiCMOS 밴드-갭 회로를 도시한 도면,
제12도는 본 발명의 기준 전류-전압 변환 회로를 도시한 도면.

Claims (15)

  1. 기준 전압을 발생시키로록 동작되는 전압 기준 회로, 상기 기준 전압으로부터 유도된 기준 전류를 발생시키기 위해 상기 전압 기준 회로에 관련하여 동작하는 기준 전류 발생기, 적절한 동작을 위해 소정의 기준 전압을 필요로 하는 최소한 한 서브-회로, 및 상기 기준 전류에 기초를 두고 상기 소정의 기준 전압을 상기 서브-회로에 제공하도록 동작하는 최소한 한 전압 발생 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  2. 제1항에 있어서, 기준 회로망에 접속된 최소한 한 전력 공급기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  3. 제1항에 있어서, 전력 공급기용 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전압 기준 회로가 제1단자의 바이어스가 제2단자를 통해 흐르는 기준 전류를 제어하는 최소한 제1 및 제2단자를 포함하는 제1디바이스, 상기 제2단자를 통해 흐르는 자체 기준 전류에 의해 미러하기 위한 상기 제1디바이스의 상기 제2단자에 접속된 전류 미러, 및 미러 전류에 의해 결정된 바이어스를 상기 제1단자에 제공하기 위해 상기 전류 미러에 접속된 밴드-갭 서브-회로를 포함하는 밴드-갭 변화 회로인 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전류 미러가 상기 제1디바이스로부터 선정된 전류를 수신하고, 제1디바이스의 상기 제2단자, 및 상기 밴드-갭 서브-회로에 접속되는 다이오드 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  6. 제5항에 있어서, 다이오드 디바이스가 다이오드 구성시에 접속된 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  7. 제1항에 이써서, 최소한 한 전압 발생 회로가 전류-전압 변환 회로에 결합된 전류 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전압 변환 회로가 기준 전압 출력을 공급하는 제2트랜지스터에 접속된 제1트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전류 미러가 전계 효과 트랜지스터에 접속된 2개의 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  11. 제7항에 있어서, 상기 전류-전압 변환 회로가 연산 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  12. 제11항에 있어서, 상기 연산 증폭기가 BiCMOS연산 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  13. 제11항에 있어서, 상기 연산 증폭기가 차동 증폭기, 및 상기 차동 증기에 접속되고, 상기 차동 증폭기용 부하로서 작용하는 동작시의 전계 효과 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전계효과 전류원이 상기 기준 전류 발생기로부터 상기 기준 전류를 미러하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 기준 회로망.
  15. 적절한 동작을 위해 소정의 기준 전압을 필요로 하는 회로용 기준 전압을 발생시키는 방법에 있어서, 글로벌 기준 전압을 발생시키는 스텝, 상기 글로벌 기준 전압으로부터 유도된 기준 전류를 발생시키는 스텝, 및 상기 기준 전류에서 유도된 상기 소정의 기준 전압을 상기 회로에 제공하는 스텝, 및 상기 기준 전류에서 유도된 상기 소정의 기준 전압을 상기 회로에 제공하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900001795A 1989-02-14 1990-02-14 BiCMOS기준 회로망 및 기준 전압 발생 방법 KR900013520A (ko)

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