KR910020738A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예인 전압변환회로를 가진 반도체 장치의 블럭도, 제3도는 본 발명의 실시예인 전압변환회로를 가진 반도체장치의 블럭도, 제5도는 본 발명의 실시예인 전압변환회로를 가진 반도체 장치의 블럭도.

Claims (19)

  1. 반도체장치내에서, 그 장치의 외부전원전압과 다른 내부전압을 발생하여, 그 장치내의 적어도 일부의 회로를 동작시키는 전압변환회로에 있어서, 상기 장치의 접지전압을 기준으로 안정화된 제1의 전압을 발생하는 수단과, 상기 외부전원 저나압을 기준으로 안정화한 제2의 전압을 발생하는 수단과, 그 제1, 2의 전압의 한쪽을 선택하는 선택수단과를 구비하는 것을 특징으로 하는 전압 변환 회로.
  2. 상기 제1의 전압과 상기 제2의 전압과의 한쪽 또는 양쪽을 트리밍하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 청구범위 제1항 기재의 전압 변환회로.
  3. 상기 선택수단은, 상기 제1의 전압과 상기 제2의 전압과의 절대치의 큰쪽의 전압을 선택하는 수단인 것을 특징으로 하는 청구범위 제2항 기재의 전압 변환회로.
  4. 외부에서 공급되는 외부전원전압의 값이 제1의 영역에 있을 때, 상기 외부전원전압을 강압하여 통상동작에 필요한 소정의 내부 전원전압을 형성하여, 상기 외부전원전압의 값이 제2의 영역에 있을때, 상기 내부전원전압의 값을 상기 외부전원전압에 따라 변환시키는 전압변환회로를 구비하여, 상기 전압변환 회로와 상기 외부전원전압이 상기 제2의 영역에 있을때의 상기 외부전원전압의 값을 트리밍하는 수단을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  5. 상기 내부전원전압의 값은, 상기 외부전원전압의 값이 제1의 영역에 있을 때, 소정의 값에 거의 고정되어, 상기 외부전원전압의 값이 제2의 영역에 있을 때, 상기 외부 전원전압에 응하여 변화되도록 한 특허청구의 범위 제4항 기재의 반도체집적회로장치.
  6. 상기 전압변환회로는 상기 외부전원전압이 제1의 영역에 있을때의 상기 내부전원전압의 값을 트리밍하는 수단을 더 포함하도록 한 특허청구의 범위 제5항 기재의 반도체집적회로장치.
  7. 상기 전압변환회로는, 제1의 참조전위를 받아서 제1의 기준전위를 형성하는 제1의 기준전위 발생회로와, 제2의 참조전위를 받아서 제2의 기준전위를 형성하는 제2의 기준전위 발생회로와, 상기 외부전원전압이 제1의 영역에 있을때, 상기제1의 기준전위를 전달하여 제2의영역에 있을 상기 제2의 기준전위를 전달하는 기준전위 절환회로와, 상기 기준전위 절환회로를 통하여 전달되는 제1또는 제2의 기준전위를 받아서 상기 내부전원전압을 형성하는 내부전원전압발생회로와를 포함 하도록 한 특허청구범위 제6항 기재의 반도체 집적회로 장치.
  8. 상기 제1및 제2의 기준전위 발생회로의 각각은, 그의 제1의 입력단자에 상기 제1또는 제2의 참조전위를 받는 연산증폭회로와, 그의 게이트에 상기 연산증폭회로의 출력신호를 받는 제어 MOSFET와, 상기 제1 또는 제2의 기준전위를 소정의 귀환율로 상기 연상증폭회로의 제2의 입력단자에 전달하는 귀환회로를 포함하는 것으로써, 상기 내부전원전압의 값은, 상기 귀환율을 선택적으로 절환함으로서 트리밍 되도록한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항 기재의 반도체 집적회로 장치.
  9. 상기 귀환율은 휴즈수단이 소정의 조합으로 절단됨으로써 선택적으로 절환되도록 한것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제8항 기재의 반도체 집적회로장치.
  10. 상기 전압변환회로는, 상기 휴즈수단의 절단상태를 의사적으로 만들어 내기 위한 의사절단수단을 구비하도록 한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제5항 기재의 반도체집적회로장치.
  11. 상기 의사절단수단은, 상기 휴즈수단과 직열형태로 설치되어 소정의 시험제어신호에 따라 선택적으로 오프상태로 되는 MOFET를 포함하도록 한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제10항 기재의 반도체 집적회로장치.
  12. 상기 외부전원전압이 제1의 영역에 있을때의 상기 내부전원전압의 값은, 소정의 시험동작시에 있어서, 선택적으로 상기 외부전원전압에 비례하여 변화되도록 한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제11항 기재의 반도체집적회로장치.
  13. 상기 시험동작은, 상기 반도체 집적회로장치의 동작마진을 판정하기 위한 것인것을 특징으로 하는 특허청구의범위 제12항 기재의 반도체집적회로장치.
  14. 상기 내부전원전압의 값을 소정의 외부단자에 공급하는 수단을 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제4항 기재의 반도체 집적회로장치.
  15. 상기 외부단자는, 상기 반도체 집적회로장치가 통상의 동작 모드로 될때, 다른 소정의 목적에 사용되는 것을 특허청구의 범위 제14항 기재의 반도체 집적회로 장치.
  16. 상기 반도체 집적회로장치는, 다이나믹형 RAM인것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제15항 기재의 반도체 집적회로장치.
  17. 선택적으로 절단되는 휴즈수단과, 상기 휴즈수단의 절단상태를 의사적으로 만들어 내지 위한 의사절단수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  18. 상기 의사 절단수단은, 상기 휴즈수단과, 직열상태로 설치되어 소정의 시험 제어신호에 따라 선택적으로 오프 상태로 되는 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제17항 기재의 반도체 집적회로장치.
  19. 상기 반도체 집적회로장치는, 외부로부터 공급되는 외부전원전압을 기초로 소정의 내부전원전압을 형성하는 전압변환회로를 구비하는 것으로, 상기 휴즈수단은, 상기 내부전원전압의 값을 트리밍하기 위한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제16항 기재의 반도체 집적회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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