KR970017589A - 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970017589A
KR970017589A KR1019950029238A KR19950029238A KR970017589A KR 970017589 A KR970017589 A KR 970017589A KR 1019950029238 A KR1019950029238 A KR 1019950029238A KR 19950029238 A KR19950029238 A KR 19950029238A KR 970017589 A KR970017589 A KR 970017589A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
supply voltage
internal power
chip
voltage
Prior art date
Application number
KR1019950029238A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0167680B1 (ko
Inventor
임성민
이철규
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950029238A priority Critical patent/KR0167680B1/ko
Publication of KR970017589A publication Critical patent/KR970017589A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0167680B1 publication Critical patent/KR0167680B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 반도체 메모리 장치의 내부전일전압 발생회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 칩이 액티브 모드일때 동작하는 제1내부전원전압 발생회로와는 별개로 제2내부전원전압 발생회로를 높은 전원전압에서 동작하여 소정의 표적 내부전원전압을 칩내에 공급하는 제3내부전원전압 발생회로와 스탠바이모드의 낮은 전원전압영역에서 동작하여 외부전원전압을 칩내의 파워로 공급하는 제6내부전원전압 발생회로로 구성하여 스탠바이 전류의 증가없이 낮은 전원전압 마진확보등의 칩의 안정된 동작을 얻고자하는 내부전원전압 발생회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 칩 내부에 인가되는 외부전원전압을 칩의 액티브 모드나 스탠바이 모드에 관계없이 내부전원전압으로 공급하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로에 있어서, 상기 칩이 액티브 모트일때 동작하여 칩 내부의 전원공급장치로 사용하며 인가전압이 소정레벨 이상일때 상기 인가전압을 소정레벨 감소시켜 내부전원전압을 공급하는 제1수단과 상기 인가전압이 소정레벨 이하일때 상기 인가전압을 직접 상기 칩 내부로 공급하는 제2수단으로 구성된 다수개의 제1내부전원전압 발생회로와, 상기 칩이 스탠바이 모드일때 동작하여 전원공급장치로 사용하여 상기 인가전압이 소정레벨 이상일때 상기 인가전압을 소정레벨 감소시켜 내부전원전압을 공급하는 제3수단과 상기 인가전압이 소정레벨 이하일때 동작하여 상기 인가전압을 칩 내부에 직접 공급하는 제4수단으로 구성된 다수개의 제2내부전원전압 발생회로를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 내부전원전압 발생회로의 구성을 보여주는 블럭도,
제4도는 본 발명에 따른 외부전원전압이 저전원전압일때의 동작타이밍도,
제7A도는 본 발명에 따른 로우어드레스스트로우브 버퍼회로의 구체적인 회로도.

Claims (4)

  1. 칩 내부에 인가되는 외부전원전압을 칩의 액티브 모드나 스탠바이 모드에 관계없이 내부전원전압으로 공급하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로에 있어서, 상기 칩이 액티브 모드일때 동작하여 칩 내부의 전원공급장치로 사용하며 인가전압이 소정레벨 이상일때 상기 인가전압을 소정레벨 감소시켜 내부전원전압을 공급하는 제1수단과 상기 인가전압이 소정레벨 이하일때 상기 인가전압을 직접 상기 칩 내부로 공급하는 제2수단으로 구성된 다수개의 제1내부전원전압 발생회로와, 상기 칩이 스탠바이 모드인때 동작하여 전원공급 장치로 사용하여 상기 인가전압이 소정레벨 이상일때 상기 인가전압을 소정레벨 감소시켜 내부전원전압을 공급하는 제3수단과 상기 인가전압이 소정레벨 이하일때 동작하여 상기 인가전압을 칩 내부에 직접 공급하는 제4수단으로 구성된 다수개의 제2내부전원전압 발생회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원 전압 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1내부전원전압 발생회로와 제2내부전원전압 발생회로의 제2수단 및 제4수단이, 각각의 칩이 액티브 모드나 스탠바이 모드 상태임을 알리는 소정의 신호와 외부전원전압이 소정의 레벨보다 낮음을 알리는 소정의 신호를 논리곱한 소정의 노드가 게이트가 되는 제1엔모오스트랜지스터와, 상기 제1엔모오스트랜지스터의 드레인이 게이트에 접속되고 외부전원전압이 소오스에 공급되며 상기 칩내의 파워라인이 드레인에 접속되어 외부전원전압이 상기 칩내부의 내부전원전압으로 공급하는 피모오스트랜지스터와, 소정의 제어신호가 게이트에 인가되며 일측이 상기 내부전원전압단자에 접속되고 타측이 직렬로 접속된 두개의 다이오드 접속 제3, 제4엔모오스트랜지스터를 사이에 둔 접지전압단자에 접속되어 출력단이 상기 피모오스트랜지스터와 제2엔모오스트랜지스터로 구성된 인버터로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 피모오스트랜지스터의 게이트가 상기 칩의 액티브 모드에 의해 선충전됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 다수개의 상기 제2내부전원전압 발생회로 중 하나의 제2내부전원전압 발생회로의 제4수단이 인가전압이 일정레벨 이하임을 알리는 소정의 신호를 입력으로 하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950029238A 1995-09-06 1995-09-06 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로 KR0167680B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950029238A KR0167680B1 (ko) 1995-09-06 1995-09-06 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950029238A KR0167680B1 (ko) 1995-09-06 1995-09-06 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970017589A true KR970017589A (ko) 1997-04-30
KR0167680B1 KR0167680B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19426294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950029238A KR0167680B1 (ko) 1995-09-06 1995-09-06 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0167680B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990038290A (ko) * 1997-11-04 1999-06-05 구자홍 플라즈마 표시장치의 유전층 구조
KR100408724B1 (ko) * 2000-12-19 2003-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생장치
KR100452327B1 (ko) * 2002-07-08 2004-10-12 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생회로
KR100456597B1 (ko) * 2002-07-16 2004-11-09 삼성전자주식회사 외부 전압 레벨에 따라 내부 전압을 선택적으로 발생하는반도체 메모리 장치 및 그 내부 전압 발생 회로
KR100506108B1 (ko) * 2001-09-21 2005-08-05 가부시끼가이샤 도시바 반도체 집적 회로 및 반도체 메모리

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7685445B2 (en) 2006-06-29 2010-03-23 Intel Corporation Per die voltage programming for energy efficient integrated circuit (IC) operation

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990038290A (ko) * 1997-11-04 1999-06-05 구자홍 플라즈마 표시장치의 유전층 구조
KR100408724B1 (ko) * 2000-12-19 2003-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생장치
KR100506108B1 (ko) * 2001-09-21 2005-08-05 가부시끼가이샤 도시바 반도체 집적 회로 및 반도체 메모리
KR100452327B1 (ko) * 2002-07-08 2004-10-12 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생회로
KR100456597B1 (ko) * 2002-07-16 2004-11-09 삼성전자주식회사 외부 전압 레벨에 따라 내부 전압을 선택적으로 발생하는반도체 메모리 장치 및 그 내부 전압 발생 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR0167680B1 (ko) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940018864A (ko) 반도체 장치
KR960030231A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 구동회로
KR940010318A (ko) 내부강압회로
KR920022293A (ko) 비정기적인 리프레쉬 동작을 실행하는 반도체 메모리 장치
KR970013732A (ko) 멀티파워를 사용하는 데이타 출력버퍼
KR960042726A (ko) 외부제어신호에 적응 동작하는 승압회로를 갖는 반도체 메모리 장치
KR970012788A (ko) 반도체 기억장치
KR970017589A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로
KR970029739A (ko) 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치
KR970051107A (ko) 내부전원전압 공급장치
KR930003150A (ko) 데이터 보유 모드에서의 리프레시 단축회로를 갖춘 반도체 메모리 장치
KR970023357A (ko) 메모리의 기판전압 공급 제어회로
KR970063246A (ko) 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치
KR960043522A (ko) 전원변동에 안정된 반도체 메모리 장치
KR970008190A (ko) 반도체장치의 모드 설정회로
KR950007445B1 (ko) 반도체 메모리의 기준전압 발생기
KR970008159A (ko) 반도체 메모리장치 및 구동전압 공급방법
KR900019026A (ko) 반도체 장치의 기준전압 발생회로
KR970003193A (ko) 외부 전원 전압 레벨 감지기에서의 기준 전압 발생 회로
KR970029746A (ko) 듀얼 백 바이어스 공급 장치
KR960002353A (ko) 반도체 소자의 비트라인 프리차지 전압 발생회로
KR980004936A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전압 발생기
KR960035656A (ko) 비접속 핀을 이용한 전압 강하 변환기
KR970051078A (ko) 반도체 메모리 장치내의 외부입력신호 검출회로
KR960005608A (ko) 메모리 소자의 셀프 리프레쉬 발생용 링 오실레이터

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060830

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee