KR960002353A - 반도체 소자의 비트라인 프리차지 전압 발생회로 - Google Patents

반도체 소자의 비트라인 프리차지 전압 발생회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전원이 인가된 초기의 소자 특성을 향상시키기 위하여, 전원이 인가된 초기에는 출력단으로 접지 전압보다 더 낮은 전위를 기판전압을 전달하여 비트라인을 저전위 상태로 프리차지시키는 기판전압 전달부와, 비트라인의 전위에 의해 디램 셀에 로우 상태가 저장되면 다시 비트라인을 반전압 상태로 프리차지시킬 수 있도록 하는 반전압 출력부를 사용하여 구현한 비트라인 프리차지 전압 발생회로에 관한 기술이다.

Description

반도체 소자의 비트라인 프리차지 전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 비트라인 프리차지 전압 발생회로의 실시예도,

Claims (1)

  1. 엔모스(NMOS)형 셀 트랜지스터를 포함하는 디램 소자에 있어서, 출력단(vblp)에 반전압(vcc/w)을 전달하기 위한 반전압 출력부와, 출력단에 기판전압(vbb)을 전달하기 위한 기판전압 전달부와, 디램에 전원이 인가된 후의 일정시간 동안에는 출력단에 기판전압을 전달하고 일정시간이 경과된 이후에는 반전압을 전달할 수 있도록 상기 반전압 출력부 및 기판전압 전달부의 동작을 제어하는 펄스신호를 출력하는 펄스신호 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 비트라임 프리차지 전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940012565A 1994-06-03 1994-06-03 반도체 소자의 비트라인 프리차지 전압 발생회로 KR970003713B1 (ko)

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