KR970012728A - 분리된 다수의 내부 전원전압을 사용하는 디램 및 감지증폭기 어레이 - Google Patents

분리된 다수의 내부 전원전압을 사용하는 디램 및 감지증폭기 어레이 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리에서 셀의 데이타를 감지 증폭하는 감지 증폭기를 갖는 디램(DRAM)에 관한 것으로, 특히 감지증폭기에 사용되는 공급전압을 외부 공급전압원 및 내부 공급전압원으로부터 분리하여 사용하는 디램 및 감지증폭기 어레이에 관한 것이다.
본 발명의 디램은 데이타를 저장하는 셀 캐패시터와, 벌크 전압으로 접지 전압이 인가되며 상기 셀 캐패시터를 비트라인에 선택적으로 접속시키기 위한 셀 트랜지스터를 구비한 메모리 셀과, 상기 메모리 셀로부터 비트라인에 실린 데이타를 감지 증폭하기 위한 감지증폭기와, 상기 감지증폭기를 구동 제어하기 위하여 고전압을 감지 증폭기에 공급하기 위한 고전압 공급수단과, 상기 고전압 공급수단으로부터 감지 증폭기로 공급되는 고전압을 절환하기 위한 제1절환수단과, 상기 감지증폭기를 구동 제어하기 위하여 저전압을 감지 증폭기에 공급하기 위한 저전압 공급수단과, 상기 저전압 공급수단으로부터 감지 증폭기로 공급되는 저전압을 절환하기 위한 제2절환수단을 포함한다.

Description

분리된 다수의 내부 전원전압을 사용하는 디램 및 감지증폭기 어레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일실시예에 따른 감지 증폭기 어레이의 배치도,
제5A도는 본 발명의 일실시예에 따른 절환수단의 회로도,
제5B도는 제5A도에서 이용되는 제어신호의 타이밍도.
제6A도는 본 발명의 일실시예에 따른 감지 증폭기를 구동하기 위한 피형 모스트랜지스터의 회로도,
제6B도는 제6A도에 사용되는 제어신호의 타이밍도.

Claims (10)

  1. 데이타를 저장하는 셀 캐패시터와, 벌크 전압으로 접지 전압이 인가되면 상기 셀 캐패시터를 비트라인에 선택적으로 접속시키기 위한 셀 트랜지스터를 구비한 메모리 셀과, 상기 메모리 셀로부터 비트라인에 실린데이타를 감지 증폭하기 위한 감지증폭기와, 상기 감지증폭기를 구동 제어하기 위하여 고전압을 감지 증폭기에 공급하기 위한 고전압 공급수단과, 상기 고전압 공급수단으로부터 감지 증폭기로 공급되는 고전압을 절환하기 위한 제1절환수단과, 상기 감지증폭기를 구동 제어하기 위하여 저전압을 감지 증폭기에 공급하기 위한 저전압 공급수단과, 상기 저전압 공급수단으로부터 감지 증폭기로 공급되는 저전압을 절환하기 위한 제2절환수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 디램.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고전압 공급수단은 제1전원 공급부로부터 공급된 외부 공급전압과 제2전원 전압공급부로부터 공급된 접지 공급전압 조절하여 내부 고전압을 생성하기 위한 제1내부 전압생성기를 포함하는 것을 특징으로 하는 디램.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저전압 공급수단은 제1전원 공급부로부터 공급된 외부 공급전압과 제2전원 전압공급부로부터 공급된 접지 공급전압을 조절하여 내부 저전압을 생성하기 위한 제2내부 전압생성기를 포함하는 것을 특징으로 하는 디램.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고전압 공급수단을 사용하지 않고 제1전원 공급부로부터 공급된 외부 공급전압을 대신 사용하는 것을 특징으로 하는 디램.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고전압 공급수단을 사용하지 않고 내부 전압 공급부를 대신 사용하는 것을 특징으로 하는 디램.
  6. 제1항에 있어서, 벌크 전압으로 네가티브 전압을 사용하는 것을 특징으로 하는 디램.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저전압 공급수단에서 출력되는 저전압의 전압레벨이 온도에 비례하는 것을 특징으로 하는 디램.
  8. 제1항에 있어서, 외부 공급전압 및 접지전압을 파워라인으로 사용하는 제1 및 제2인버터와, 각각의 인버터에 의하여 생성된 제1 및 제2제어수단으로 조정되는 제1절환용 피모스형 트랜지스터 및 제2절환용 엔모스형 트랜지스터와, 감지증폭기 어레이의 피모스 소스노드와 엔모스 소스노드를 프리차지하는 프라차지회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디램.
  9. 대기 상태에는 제1피모스형 스위치가 동작하고 제2피모스형 스위치는 오프되어 감지증폭기 어레이의 피모스형 트랜지스터가 형성된 엔형 웰 전압이 외부 공급전압이 되고, 대기상태에서 활성화상태로 전환되면 상기 대기상태와는 반대로 제1피모스평 스위치가 오프되고 제2피모스형 스위치는 턴 온되어 감지증폭기 어레이의 피모스형 트랜지스터가 형성된 엔형 웰의 캐패시터에 저장된 포지티브 전하에 의하여 감지증폭기 어레이의 피모스형 트랜지스터이 소스노드를 일시적으로 고전압 보다 높은 전압으로 과구동하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기 어레이.
  10. 대기 상태에서는 제2엔모스형 스위치가 동작하고 제1엔모스형 스위치는 오프되어 감지증폭기 어레이의 엔모스형 트랜지스터가 형성된 피형 엘 전압이 감지증폭기의 저전압 보다 낮은 전압이 되고, 대기상태에서 활성화상태로 전환되며 상기 대기상태와는 반대로 제2엔모스형 스위치가 오프되고 제1엔모스형 스위치는 턴온되어 감지증폭기 어레이의 엠모스형 트랜지스터가 형성된 피형 웰의 캐패시터에 저장된 네가티브 전하에 의하여 감지증폭기 어레이의 엔모스형 트랜지스터의 소스노드를 일시적으로 저전압 보다 낮은 전압으로 과구동하는 것을 특징으로 하는 감지증폭기 어레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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