KR940026964A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR940026964A
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유키노리 고다마
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세키자와 다다시
후지쓰 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 메모리 장치는 메모리 셀 어레이(2), 메모리 셀 어레이에 어드레스 신호를 공급하기 위한 어드레스 부(3-6), 메모리 셀 어레이로부터 데이타를 판독하고 이 메모리 셀 어레이에 데이타를 기입하기 위한 판독/기입 부(7-12) 및 외부 클록 신호로부터 내부 클록 신호를 발생시키기 위한 내부 클록 신호 발생 회로를 구비한다. 내부 클록 신호는 외부 클록 신호의 주파수와 무관한 일정 지속 기간의 활성 레벨부가 있는 사이클을 갖고 어드레스부 및/또는 판독/기입부의 소정 구성부에 타이밍 신호로서 출력된다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 동기식 DRAM 장치의 블록도.

Claims (10)

  1. 메모리 셀 어레이(2)와; 어드레스 신호를 상기 메모리 셀 어레이에 공급하기 위한 어드레스 수단(3-6)과; 메모리 셀 어레이로부터 데이타를 판독하고 메모리 셀 어레이에 데이타를 기입하기 위한 판독/기입 수단(7-12)을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 외부 클록 신호의 주파수와는 무관한 일정 지속 기간의 활성 레벨부가 있는 사이클을 갖고 어드레스 수단 및/또는 판독/기입 수단의 소정의 구성부에 타이밍 신호로서 출력되는 내부 클록 신호를, 외부 클록 신호로부터 발생하기 위한 내부 클록 신호 발생 수단(62)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내부 클록 신호 발생 수단은 외부 클록 신호에 의해 한정되는 반도체 메모리 장치의 최대 동작 주파수와 동일한 주파수를 갖는 내부 클록 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부 클록 신호 발생 수단은 외부 클록 신호에 의해 한정된 반도체 메모리 장치의 최대 동작 주파수에 가까운 주파수를 갖는 내부 클록 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 내부 클록 신호의 일정 지속 기간의 활성 레벨부를 갖는 사이클은 반도체 메모리 장치의 최대 동작 주파수를 한정하는 외부 클록 신호의 사이클로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 내부 클록 신호의 일정 지속 기간의 활성 레벨부를 갖는 사이클은 반도체 메모리 장치의 최대 동작 주파수를 한정하는 외부 클록 신호의 사이클보다 약간 긴 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 내부 클록 신호의 주파수는 반도체 메모리 장치의 최대 동작 주파수 보다 낮은 외부 클록 신호의 주파수보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 소정의 구성부는 상기 소정 구성부를 전원 시스템에 접속하기 위한 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 메모리 셀 어레이는 커패시터를 각각 갖는 메모리 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 소정의 구성부는 메모리 셀 어레이에 제공된 비트선에 접속된 데이타 버스에 접속되는 데이타 버스 증폭기를 포함하고, 상기 데이타 버스는 외부 접속을 위해 반도체 메모리 장치의 데이타 출력 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 소정의 구성부는 메모리 셀 어레이의 컬럼을 선택하는 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940009698A 1993-05-19 1994-05-03 반도체 메모리 장치 KR0134747B1 (ko)

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JP5116845A JPH06334054A (ja) 1993-05-19 1993-05-19 マイクロ波半導体回路装置
JP93-116845 1993-05-19
JP93-116815 1993-05-19

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KR0134747B1 KR0134747B1 (ko) 1998-04-30

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JP5402887B2 (ja) * 2010-09-03 2014-01-29 三菱電機株式会社 高周波増幅器
JP2013098339A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 高周波回路装置
US9602068B2 (en) 2013-08-29 2017-03-21 Mitsubishi Electric Corporation High-frequency power amplifier

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KR0134747B1 (ko) 1998-04-30
JPH06334054A (ja) 1994-12-02

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