KR940020551A

KR940020551A - 내장 강압 전압 발생기용 저 전력 소모 전압 감시 회로를 가진 반도체 집적회로(Semiconductor integrated circuit device having low power consumption voltage monitoring circuit for built-in step-down voltage generator)

Info

Publication number: KR940020551A
Application number: KR1019940003542A
Authority: KR
Inventors: 야스지 고시카와
Original assignee: 세끼모또 다다히로; 니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤(NEC Corporation)
Priority date: 1993-02-26
Filing date: 1994-02-26
Publication date: 1994-09-16
Also published as: JPH06251584A; US5428299A; EP0613071A3; EP0613071A2; DE69416174T2; KR0138882B1; EP0613071B1; DE69416174D1; JP3071600B2

Abstract

본 발명의 반도체 집적 회로 장치는 그 회로 부품에 내부 강압(Vint) 및 외부 전압을 선택적으로 분배하도록 상기 외부 전압에서 상기 내부 강압(Vint)을 발생하며, 상기 회로 내부의 강압 전압 발생기(26)는 표준 데이터 액세스 모드 및 번인 테스트 동작을 위해 제어 신호(Sdc)로서 선택적으로 인에이블되는 2개의 내부 전압 발생 회로를 가진다. 또한 상기 회로의 사전 감시 회로(24)는 상기 외부 전압(Vext)이 번인 테스트 동작을 위해 가속 전압 범위에 근접할 때 상기 제어신호(Sdc)를 발생시키도록 전류 미러 회로(25a)를 활성화시킴으로써, 상기 표준 데이터 액세스 모드에서 대시 전류를 감소시킨다.

Description

내장 감압 전압 발생기용 저 전력 소모 전압 감시 회로를 가진 반도체 집적회로(Semiconductor integrated circuit device having low power consumption voltage monitoring circuit for built-in step-down voltage generator)

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제5도는 본 발명에 의한 반도체 메모리 소자의 구성을 도시한 회로도.

Claims

표준 전압 범위에서 가변하는 외부 전압(Vext)을 공급받는 표준 동작 모드 및 상기 표준 전압 범위에 초과하는 가속 전압 범위에서 상기 외부 전압(Vext)을 공급받는 검사 모드로 선택적으로 되는 반도체 집적 회로 장치이며, a) 최소한의 내부 전압(Vint)을 공급받아 소정의 임무를 달성하는 주기능 블록(22), b) 상기 외부 전압(Vext)이 상기 표준 전압 범위에 도달한 후 실질적으로 일정하게 유지되는 기준 전압 신호(VR)를 발생하도록 상기 회부 전압(Vext)을 공급받는 기준 전압 발생기(23), c) 상기 외부 전압(Vext)의 레벨을 나타내는 입력 전압 신호(Sin)와 상기 기준 전압 신호(VR)를 비교하도록 동작하며, 상기 입력 전압 신호(Sin)가 상기 외부 전압(Vext)이 상기 가속 전압 범위에 도달한 것을 나타낼 때 인액티브 레벨에서 액티브 레벨로 제어 신호(Sdc)를 시프팅하는 전압 감시 회로(25) 및 d) 상기 제어 신호(Sdc)가 상기 인액티브 레벨에 있는 동안 상기 내부 전압(Vint)을 실질적으로 일정하게 유지하도록 동작하며, 상기 외부 전압(Vext)과 더불어 상기 내부 전압(Vint)을 증가시키도록 상기 액티브 레벨의 제어신호(Sdc)에 응답하는 강압 전압 발생 회로(26)를 구비한 반도체 집적 회로 장치에 있어서, e) 상기 외부 전압(Vext)가 상기 기준 전압 신호(VR)을 비교하도록 동작하며, 상기 회부 전압(Vext)가 상기 표준 전압 범위와 상기 가속 전압 범위 사이의 소정 레벨(Vpd)을 초과하는지 여부를 사전 감시하는 사전 감시 회로(24)를 포함하며, 상기 사전 감시 회로는 상기 외부 전압(Vext)이 상기 소정 전압 레벨(Vpd)을 초과하기 이전에 인에이블신호(EBL1)를 인액티브 레벨로 유지하며, 상기 외부 전압(Vext)이 상기 소정 전압 레벨(Vpd)을 초과할때 상기 인에이블신호(EBL1)를 액티브 레벨로 변경시키며, 상기 전압 감시 회로는 상기 인에이블 신호(EBL1)가 인액티브 레벨에 있을 때 전류 소모없이 상기 제어 신호(Sdc)를 상기 인액티브 레벨로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
제1항에 있어서, 상기 전압 감시 회로(25)는 외부 전압원(VEXT)와 정전압원 사이에 결합되며, 상기 입력 전압 신호(Sin)와 상기 기준 전압 신호(VR)를 비교하도록 상기 액티브 레벨의 인에이블 신호(EBL1)로 인에이블 되는 전류 미러 회로(25a)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
제2항에 있어서, 상기 전류 미러 회로(25a)는, 제1채널 전도형(p)의 제1부하 트랜지스터(Qp16)와 상기 외부 전압원과 공통 노드(N12)사이에 결합된 상기 제1채널 전도형과 반대인 제2채널 전도형(N)의 제2부하 트랜지스터(Qn18)로된 직렬 결합을 포함하는데, 상기 제2부하 트랜지스터는 상기 기준 전압 신호(VR)에 의해 게이트되며; 상기 제1채널 전도형의 제3부하 트랜지스터(Qp17)상기 외부 전압원과 상기 공통 노드 사이에 결합된 제2채널 전도형의 제4부하 트랜지스터(Qn19)로된 직렬 결합을 포함하며, 상기 제1 및 제3부하 트랜지스터(Qp16,Qp17)는 제1부하 트랜지스터(Qp16) 및 상기 제2부하 트랜지스터(Qn18)사이의 제어 노드에서의 전압 레벨에 의해 제어되며, 상기 제4부하 트랜지스터(Qn19)는 상기 입력 전압 신호(Sin)에 의해 게이트되며, 상기 공통 노드(N12)와 상기 정전압된 사이에 결합되며, 상기 인에이블 신호(EBL1)로서 온 상태와 오프 상태로 스위치되는 상기 제2채널 전도형의 스위칭 트랜지스터(Qn20)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
제2항에 있어서, 상기 전압 감시 회로는 상기 외부 전압원(VEXT)과 상기 정전압원 사이에 결합되며, 상기 입력 전압 신호(Sin)를 발생하도록 상기 액티브 레벨의 인에이블 신호(EBL1)로서 인에이블되는 분압기(25b) 및, 상기 외부 전압원(VEXT)과 상기 전류 미러 회로(25a)의 출력 노드 사이에 결합되며, 상기 인에이블 신호(EBL1)가 상기 인액티브 레벨에 있을 때 상기 전압 감시 회로(25)로 하여금 상기 인액티브 레벨의 제어 신호(Sdc)를 발생케하는 풀-업 트랜지스터(Qp14)를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
제4항에 있어서, 상기 전압 감시 회로는, 상기 제어 신호(Sdc)가 상기 액티브 레벨로 변할 때 상기 액티브 레벨의 인에이블 신호(EBL1)를 래치시키도록 동작하며, 상기 외부 전압의 전압 레벨과 무관하게 상기 액티브 레벨의 인에이블 신호(EBL2)를 연속적으로 공급하는 래치 수단(35f/35g)을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
제1항에 있어서, 상기 사전 감시 회로(24)는 부하 트랜지스터(Qp12), 상기 기준 전압 신호(VR)에 의해 게이트되는 스위칭 트랜지스터(Qp13) 및 상기 외부 전압원(VEXT)과 상기 정전압원 사이에 결합된 부하 소자(R4)로 이루어진 직렬 결합, 및 상기 스위칭 트랜지스터(Qp13)와 부하 소자(R4)사이의 노드와 결합되어 상기 인에이블 산호(EBL1)를 발생하는 논리 회로(24a/24b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임