KR980004970A - 내부 전원 전위 공급 회로 - Google Patents

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Abstract

반도체 소자에 외부 전원 장치에 의해 전원이 공급될때, 이 외부 전원 로부터 내부의 로드에서 필요한 전위를 고정밀도로 공급하기 위한 내부 전원 전위 공급회로가 개시된다. 외부 전원 전위(VCE)는 PMOS 트랜지스터(Q1)의 소스로 접속되며, 이의 드레인을 통해서 내부 전원 전위(VCI)가 로드(11)에 공급되고, 게이트는 비교기(1)로부터의 제어 신호(S1)을 수신한다. 비교기(1)는 기준 전위(Vref) 및 분배된 내부 전원 전위(DCI)의 비교 결과에 근거하여 제어 신호(S1)을 출력한다. PMOS 트랜지스터(Q1)의 드레인은 저항(R1)의 제1단부로 접속되고, 전류원(2)이 저항(R1)의 제2단부인 노드(N1)에 인가된 전압이 비교기(1)의 정의 입력단자로 인가되는 분배된 내부 전원 전위(DCI)이다.

Description

내부 전원 전위 공급 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 내부 전원 전위공급회로의 기본적인 구성을 도시한 회로도이다.
제2도는 제1도의 내부 전원 전위공급회로의 동작을 도시한 그래프이다.
제3도는 바람직한 제1실시예의 제1동작 모드를 도시한 회로도이다.
제5도는 제4도의 제어회로의 특징한 형태를 도시한 회로도이다.
제6도는 제5도의 회로의 동작을 도시한 그래프이다.

Claims (5)

  1. 사전결정된 로드에 내부 전원 전위를 공급하는 내부 전원 전위 공급 회로에 있어서, 외부 전원 전위를 수신하는 제1단부와 제어 신호에 응답하여 상기 사전결정된 로드에 상기 내부 전원 전위를 인가하는 제2단부를 갖는 내부 전원 전위 인가 수단과; 상기 내부 전원 전위 인가 수단의 제2단부에 접속된 제1단부를 갖는 저항소자와; 상기 저항 소자의 제2단부와 고정 전위 사이에 사전결정된 전류를 공급하는 전류 공급 수단과; 상기 저항 소자의 제2단부로 부터의 분할된 내부 전원 전위와 기준 전위를 수신하여 이들간의 비교 결과에 기초해 상기 제어 신호르 출력하는 비교기 회로를 포함하는 내부 전원 전위 공급 회로.
  2. 사전결정된 로드에 내부 전원 전위를 공급하는 내부 전원 전위 공급 회로에 있어서, 외부 전원 전위를 수신하는 제1단부와 제어 신호에 응답하여 상기 사전결정된 로드에 상기 내부 전원 전위를 인가하는 제2단부를 구비한 제1내부 전원 전위 인가 수단과; 상기 내부 전원 전위와 기준 전위를 수신하여 이들간의 비교 결과에 기초해 상기 제어 신호를 출력하는 비교기 회로와; 상기 외부 전원 전위를 수신하여 상기 외부 전원 전위에 응답하여 액티브 또는 인액티브 상태를 표시하는 외부 전원 전위 결정 신호를 출력하는 외부 전원 전위 결정 수단과; 상기 외부 전원 전위 결정 신호를 수신하여 그 신호가 액티브 상태를 표시할 때 상기 내부 전원 전위로서 상기 외부 전원 전위를 상기 사전결정된 로드에 강제로 인가하는 제2내부 전원 전위 인가 수단을 포함하는 내부 전원 전위 공급 회로.
  3. 사전결정된 로드에 내부 전원 전위를 공급하는 내부 전원 전위를 공급 회로에 있어서, 제1외부 전원 전위를 수신하는 제1단부와 제어 신호에 응답하여 상기 사전결정된 로드에 상기 내부 전원 전위를 인가하는 제2단부를 구비한 내부 전원 전위 인가 수단과; 상기 내부 전원 전위 및 기준 전위를 수신하여 이들간의 비교 결과에 기초해 상기 제어 신호를 출력하되, 상기 제1외부 전원 전위로부터 제2외부 전원 전위의 차를 또한 수신하여 상기 제2외부 전원 전위를 구동 전원 전위로부터 사용하는 비교기 회로를 포함하는 내부 전원 전위 공급 회로.
  4. 사전결정된 로드에 내부 전원 전위를 공급하는 내부 전원 전위 공급 회로에 있어서, 제1내부 전원 전위 공급 수단과; 제2내부 전원 공급 수단을 포함하되, 상기 제1내부 전원 전위 공급 수단은 외부 전원 전위를 수신하는 제1단부와 제1제어 신호에 응답하여 제1내부 전원 전위를 제공하는 제2단부를 갖는 제1내부 전원 전위 인가 수단과, 상기 제1내부 전원 전위 인가 수단의 제2단부에 접속된 제1단부를 갖는 제1저항 소자와, 상기 제1저항 소자의 제2단부와 고정 전위간에 제1전류를 공급하는 제1전류 공급 수단과, 상기 제1저항 소자의 제2단부로부터 제공된 제1분할된 내부 전원 전위와 제1기준 전위를 수신하되, 액티브 또는 인액티브 상태를 표시하는 회로 제어 신호에 응답하여 액티브 또는 인액티브되며, 액티브인 때 상기 제1분할된 내부 전원 전위와 상기 제1기준 전위간의 비교 결과에 기초해 상기 제1제어 신호를 출력하는 제1비교기 회로와, 상기 제1내부 전원 전위 인가 수단의 제2단부로부터 상기 고정 전위로 연장되는 전류 경로상에 위치하여 비도통되었을 때 상기 전류 경로를 차단하되, 액티브 또는 인액티브 상태를 표시하는 상기 회로 제어 신호에 응답하여 도통 또는 비도통되는 스위칭 수단을 구비하며, 상기 제2내부 전원 전위 공급 수단은 상기 외부 전원 전위를 수신하는 제1단부와 제2제어 신호에 응답하여 제2내부 전원 전위를 제공하는 제2단부를 갖는 제2내부 전원 전위 인가 수단과, 상기 제2내부 전원 전위 인가 수단의 제2단부에 접속된 제1단부를 갖는 제2저항 소자와, 상기 제2저항 소자의 제2단부와 상기 고정 전위 사이에 제2전류를 공급하는 제2전류 공급 수단과, 상기 제2저항 소자의 제2 단부로부터 제공된 제2분할된 내부 전원 전위와 제2기준 전위를 수신하여 이들간의 비교 결과에 기초해 상기 제2제어신호를 출력하는 제2비교기 회로를 구비하되. 상기 제1내부 전원 전위와 상기 제2내부 전원 전위가 합성되어상기 사전결정된 로드 내부 전원 전위를 제공하는 내부 전원 전위 공급 회로.
  5. 적어도 하나의 로드에 내부 전원 전위를 공급하는 내부 전원 전위 공급 회로에 있어서, 외부 전원 전위를 수신하는 제1단부와 제어 신호를 응답하여 상기 적어도 하나의 로드에 내부 전원 전위를 인가하는 제2단부를 갖는 내부 전원 전위 인가 수단과; 상기 내부 전원 전위 인가 수단으로부터 공급된 내부 전원 전위와 연관된 연관 내부 전원 전위와 상기 적어도 하나의 로드와 연관된 연관 로드 전위를 수신하여 이들중 고정 전위로부터의 전위차가 더 작은 전위를 비교 전위로서 출력하는 비교 전위 선택 수단과; 상기 비교 전위와 기준 전위를 수신하여 이들간의 비교 결과에 기초해 상기 제어 신호를 출력하는 비교기 회로를 포함하는 내부 전원 전위 공급 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200045196A (ko) * 2018-10-22 2020-05-04 현대모비스 주식회사 이온마이그레이션 검출 장치 및 방법

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000228084A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Mitsubishi Electric Corp 電圧発生回路
DE19920465C1 (de) * 1999-05-04 2000-11-02 Siemens Ag Verfahren zur Open-Load-Diagnose einer Schaltstufe
JP4537964B2 (ja) * 1999-12-10 2010-09-08 株式会社東芝 半導体集積回路
JP3943790B2 (ja) * 2000-02-24 2007-07-11 株式会社東芝 負電位検知回路及びこの負電位検知回路を備えた半導体記憶装置
US6876248B2 (en) * 2002-02-14 2005-04-05 Rambus Inc. Signaling accommodation
US6897713B1 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 Rambus Inc. Method and apparatus for distributed voltage compensation with a voltage driver that is responsive to feedback
WO2003083595A1 (de) * 2002-04-03 2003-10-09 Infineon Technologies Ag Spannungsregleranordnung
JP2004028885A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Fujitsu Ltd 半導体装置、半導体パッケージ及び半導体装置の試験方法
ITMI20030075A1 (it) * 2003-01-20 2004-07-21 Simicroelectronics S R L Amplificatore di rilevamneto parallelo con specchiamento della corrente da misurare su ogni ramo di riferimento.
US7236049B2 (en) * 2003-03-20 2007-06-26 Nxp B.V. Circuit arrangement and transistor control method
US8315588B2 (en) * 2004-04-30 2012-11-20 Lsi Corporation Resistive voltage-down regulator for integrated circuit receivers
US7236894B2 (en) * 2004-12-23 2007-06-26 Rambus Inc. Circuits, systems and methods for dynamic reference voltage calibration
JP4770281B2 (ja) * 2005-06-17 2011-09-14 ソニー株式会社 基準電圧供給回路および電子機器
JP4108695B2 (ja) * 2005-07-15 2008-06-25 三菱電機株式会社 車載電子制御装置
JP4636249B2 (ja) * 2005-07-19 2011-02-23 ミツミ電機株式会社 電流共振型dc/dcコンバータおよびそのゼロ電流スイッチング実現方法
JP2007028830A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Mitsumi Electric Co Ltd スイッチング電源およびその制御方法
KR100715147B1 (ko) * 2005-10-06 2007-05-10 삼성전자주식회사 전류소모를 감소시키는 내부전원전압 발생회로를 가지는멀티칩 반도체 메모리 장치
CN100392549C (zh) * 2006-01-05 2008-06-04 大连大学 可外接负载电源的电流源控制器
JP4804975B2 (ja) 2006-03-22 2011-11-02 エルピーダメモリ株式会社 基準電位発生回路及びそれを備えた半導体記憶装置
US7768757B2 (en) * 2006-04-12 2010-08-03 Gm Global Technology Operations, Inc. Circuit diagnostics switch system
JP4717692B2 (ja) * 2006-04-14 2011-07-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リミッタ回路
JP2008052546A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Seiko Instruments Inc 定電圧回路及びそれを用いた水晶発振回路
US7760003B2 (en) * 2006-10-17 2010-07-20 Mediatek Inc. Controllable resistive circuit for providing a continuous variable resistance
TWI323564B (en) * 2006-11-22 2010-04-11 Realtek Semiconductor Corp Initial configuration device of an integrated circuit and initializing method thereof
US7701259B2 (en) * 2006-12-06 2010-04-20 Broadcom Corporation Method and system for wide range amplitude detection
JP4858140B2 (ja) * 2006-12-12 2012-01-18 ソニー株式会社 バス用出力回路
JP2009070239A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Oki Electric Ind Co Ltd 電圧供給回路
US8289674B2 (en) * 2009-03-17 2012-10-16 Cavendish Kinetics, Ltd. Moving a free-standing structure between high and low adhesion states
JP4791560B2 (ja) * 2009-04-13 2011-10-12 力晶科技股▲ふん▼有限公司 昇圧回路の制御回路
US8259427B2 (en) * 2009-09-04 2012-09-04 Freescale Semiconductor, Inc. Power transistor circuit
JP5649857B2 (ja) * 2010-06-21 2015-01-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 レギュレータ回路
US8982527B2 (en) * 2010-09-28 2015-03-17 Nxp B.V. System and method for driving a relay circuit
EP2437134B1 (en) * 2010-10-01 2013-07-31 STMicroelectronics (Rousset) SAS Low electromagnetic emission driver
JP2012243022A (ja) 2011-05-18 2012-12-10 Toshiba Corp 半導体装置及びこれを備えたメモリシステム
US9183873B2 (en) * 2011-09-26 2015-11-10 Texas Instruments Incorporated Laser diode driver damping circuit
JP5518134B2 (ja) * 2012-07-02 2014-06-11 力晶科技股▲ふん▼有限公司 内部電圧トリミング回路及び方法、並びに半導体回路装置
US9411349B2 (en) * 2013-11-14 2016-08-09 Litelfuse, Inc. Overcurrent detection of load circuits with temperature compensation
US9715245B2 (en) * 2015-01-20 2017-07-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Circuit for generating an output voltage and method for setting an output voltage of a low dropout regulator
KR101643522B1 (ko) * 2016-02-15 2016-07-27 김기주 두 개의 전위감지핀의 전위차를 이용한 양돈용 자동 물공급장치
KR102398570B1 (ko) * 2017-12-14 2022-05-17 에스케이하이닉스 주식회사 레귤레이터, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4038568A (en) * 1976-02-23 1977-07-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Pulse peak sample and hold circuit
US4313067A (en) * 1979-07-16 1982-01-26 Miles Laboratories, Inc. Sensor-integrator system
EP0031678B1 (en) * 1979-12-19 1986-06-11 Seiko Epson Corporation A voltage regulator for a liquid crystal display
US4451703A (en) * 1981-12-30 1984-05-29 Stromberg-Carlson Corporation All electronic interface for telephony system
JPH0789433B2 (ja) * 1985-11-22 1995-09-27 株式会社日立製作所 ダイナミツク型ram
JP2883625B2 (ja) * 1989-03-30 1999-04-19 株式会社東芝 Mos型充電回路
JPH03164814A (ja) * 1989-11-22 1991-07-16 Hitachi Ltd 半導体装置
GB9007793D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C Dram cell plate and precharge voltage generator
KR100209449B1 (ko) * 1990-05-21 1999-07-15 가나이 쓰토무 반도체 집적회로 장치
US5107199A (en) * 1990-12-24 1992-04-21 Xerox Corporation Temperature compensated resistive circuit
JPH04291608A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Fujitsu Ltd 電源回路
JP3247402B2 (ja) * 1991-07-25 2002-01-15 株式会社東芝 半導体装置及び不揮発性半導体記憶装置
US5253205A (en) * 1991-09-05 1993-10-12 Nippon Steel Semiconductor Corporation Bit line and cell plate clamp circuit for a DRAM
JPH05224621A (ja) * 1992-02-14 1993-09-03 Toshiba Corp 液晶パネル駆動電源用半導体装置
JP2831914B2 (ja) * 1992-09-30 1998-12-02 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP2925422B2 (ja) * 1993-03-12 1999-07-28 株式会社東芝 半導体集積回路
JP2531104B2 (ja) * 1993-08-02 1996-09-04 日本電気株式会社 基準電位発生回路
KR0131746B1 (ko) * 1993-12-01 1998-04-14 김주용 내부 강압전원 회로
US5534818A (en) * 1993-12-30 1996-07-09 Vtc Inc. Preamplifier noise filtering circuit
EP0661716B1 (en) * 1993-12-31 1999-07-21 STMicroelectronics S.r.l. Voltage regulator for non-volatile semiconductor memory devices
US5917705A (en) * 1994-04-27 1999-06-29 Siemens Aktiengesellschaft Chip card
US5508962A (en) * 1994-06-29 1996-04-16 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for an active field plate bias generator
JP2679644B2 (ja) * 1994-10-03 1997-11-19 日本電気株式会社 Ntl論理回路用電源回路
US5495184A (en) * 1995-01-12 1996-02-27 Vlsi Technology, Inc. High-speed low-power CMOS PECL I/O transmitter
US5500824A (en) * 1995-01-18 1996-03-19 Micron Technology, Inc. Adjustable cell plate generator
ES2194091T3 (es) * 1996-12-05 2003-11-16 St Microelectronics Srl Circuito de control de un transistor de potencia para un regulador de voltaje.
US6025277A (en) * 1997-05-07 2000-02-15 United Microelectronics Corp. Method and structure for preventing bonding pad peel back

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200045196A (ko) * 2018-10-22 2020-05-04 현대모비스 주식회사 이온마이그레이션 검출 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100300249B1 (ko) 2001-11-30
US20010011921A1 (en) 2001-08-09
US6441669B2 (en) 2002-08-27
KR980004941A (ko) 1998-03-30
US6229383B1 (en) 2001-05-08
KR100253779B1 (ko) 2000-04-15
JPH1027026A (ja) 1998-01-27
JP3712083B2 (ja) 2005-11-02
US6831502B1 (en) 2004-12-14

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