KR960706173A - 비휘발성 반도체 메모리에 대한 감지 증폭기(Sense amplifier for non-volatile semiconductor memory) - Google Patents

비휘발성 반도체 메모리에 대한 감지 증폭기(Sense amplifier for non-volatile semiconductor memory)

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KR960706173A
KR960706173A KR1019960702535A KR19960702535A KR960706173A KR 960706173 A KR960706173 A KR 960706173A KR 1019960702535 A KR1019960702535 A KR 1019960702535A KR 19960702535 A KR19960702535 A KR 19960702535A KR 960706173 A KR960706173 A KR 960706173A
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요트.게.아. 롤페즈
필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

비휘발성 반도체 메모리는 기준 셀의 논리상태와 메모리 셀의 논리상태를 비교하기 위해 감지 증폭기를 이용한다. 상기 메모리 셀과 상기 기준 셀에 대해 전류를 흐르게 하는 부하는 커런트 미러를 형성하며, 커런트 미러의 증폭 인자는 전원 전압의 크기에 지배적으로 따른다. 이 구성은 고 전원 전압에서의 감도보다 저 전원 전압에서 증폭기의 감도를 높게 한다.

Description

비휘발성 반도체 메모리에 대한 감지 증폭기(Sense amplifier non-volatile semiconductor memory)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따라 스케일러블 부하 비율 감지 구조를 이용하는 감지 증폭기의 일반적인 형태의 개략적인 회로도, 제5도는 단지 개략적으로 도시한 메모리 회로와 연결된 제4도에서 도시한 감지 증폭기의 개략적인 회로도.

Claims (6)

  1. 두개의 논리상태에서 한 특정상태를 취하는 메모리 셀(40); 상기 셀의 특정 논리 상태를 정하는 감지수단(20,14,41,48)을 구비하는 전자회로에 있어서, 상기 전자회로는 고 전원전압에서의 감도보다 전 전원전압에서의 감도를 높히기 위하여, 상기 회로에 인가되는 전원 전압에 따라 상기 감지 수단의 감도를 제어하도록 동작하는 바이어스 수단(24,25)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감지 수단은 감지 전압(AMPIN 1)을 제공하기 위해 상기 메모리 셀에 대해 감지 전류(Isense)을 흐르도록 하는 감지 부하(20); 기준 전류(Iref)로부터 기준 전압(AMPIN2)을 제공하는 기준 수단(14,41); 상기 기준 전압에 대해 상기 감지 전압을 비교하여 상기 특정 논리 상태를 나타내는 출력신호를 제공하는 상기 기준수단과 상기 메모리 셀에 연결된 입력을 가지는 비교기(48); 를 구비하며 상기 바이어스 수단은 상기 감지 전류에 대한 상기 기준 전류의 비율을 콘트롤하기 위한 적어도 상기 기준 수단 또는 상기 감지 부하에 대한 콘트롤 신호를 제공하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 전자회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기준 수단은 특정 논리 상태를 가지는 기준 셀(41); 상기 기준 전류를 제공하며, 상기 기준전압을 가지는 기준 노드를 통해 상기 기준 셀과 연결된 기준 부하(14)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기준 부하와 감지 부하는 입력 브렌티와 출력 브랜치를 각각 형성하고, 그것의 커런트 미러는 상기 입력 브렌치와 상기 출력 브렌치 사이에 전류 증폭 인자를 가지며, 상기 바이어스 수단은 상기 전원전압에 따라서 상기 인자를 콘트롤 하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 전자회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기준 부하는 병렬로 배열된 제1의 복수 트랜지스너(15)를 구비하고, 상기 기준노드와, 또 다른 것에 연결딘 콘트롤 전극을 가지며; 상기 감지 부하는 제1트랜지스터(22)와 상기 메모리 셀과 병렬로 연결된 전도 채널을 가지는 적어도 제2트랜지스터(21)를 구비하고, 상기 기준노드와 또 다른 것에 연결된 콘트롤 전극을 가지며; 상기 감지 부하는 상기 제2트랜지스터의 전도 채널과 상기 메모리 셀 사이의 전도 채널을 가지는 제3트랜지스터(24)를 구비하고, 상기 바이어스 수단과 연결된 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 전자회로.
  6. 두개의 논리 상태에서 한 특정 상태를 취하는 메모리 셀(40); 상기 메모리 셀을 통해 감지 전압(AMPIN 1)을 발생시키는 감지 전류(Isense)를 제공하는 감지부하(20); 특정 논리 상태를 가지는 기준 셀(41); 상기 기준 셀을 통해 기준 전압을 발생시키는 기준전류(Iref)를 제공하는 기준 부하(14); 및 상기 기준 전압을 수신하는 상기 메모리 셀과 상기 기준 셀에 연결된 차동 증폭기(48)를 구비하는 전자회로에 있어서, 상기 회로에 인가된 전원 전압에 따라서 상기 감지 전류에 대한 상기 기준 전류의 비율을 제어하도록 동작하는 수단(24,25)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960702535A 1994-09-16 1995-08-28 비휘발성반도체메모리에대한감지증폭기 KR100373196B1 (ko)

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