KR920008767A - 비휘발성 반도체 메모리 디바이스 - Google Patents

비휘발성 반도체 메모리 디바이스 Download PDF

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KR920008767A
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기요까즈 하시모또
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세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

비휘발성 반도체 메모리 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 디지트 라인상의 전압 레벨로 환산한 메모리 셀 및 감지 증폭기 유니트의 전류 구동 특성을 도시하는 그래프,
제3도는 디지트 라인상의 전압 레벨로 환산한 감지 증폭기 유니트의 출력 노드에서의 전압 레벨을 도시하는 그래프,
제5도는 본 발명에 따르는 전기적으로 소거 가능하고 프로그램 가능한 리드 온리 메모리 다비이스 장치를 도시하는 회로도.

Claims (1)

  1. a)전류통과 양을 변화시키도록 제1및 제2상태를 선택적으로 각각 엔터링하는 복수의 메모리 셀(MC11 내지 MCmn)과, b)상기 복수의 메모리 셀중 하나를 선택하는 선택수단(WL1 내지 WLm/13)과, c)상기 출력 노드에 전압 레벨의 제1소스(Vcc)로부터 공급된 전류의 양을 제어하는 전류 공급회로(14e/14f), 상기 입력노드와 출력 도느(N12)간의 전류 통로를 제어하는 상기 복수의 메모리 셀중 상기 하나의 상태에 따라 온 및 오프 상태 사이로 시프트된 게이트 수단(14c/14d), 상기 복수의 메모리 셀중 상기 하나와 결합된 입력노드(N11)를 갖고, 상기 제1및 제2상태중 하나를 가리키는 출력 전압 레벨을 발생하는 감지 증폭기 유니트(14)와, d)출력 노드에서 기준 전압 레벨(Vref)을 발생시키는 레퍼런스 유니트(16)와, e)상기 제1및 제2상태중 상기 하나를 가리키는 출력전압 신호를 발생시키는 상기 기준 전압 레벨과 출력 전압 레벨을 비교하도록 동작하고, 상기 레퍼런스 유니트의 상기 출력 노드와 결합된 제2입력 노드와 상기 감지 증폭기 유니트의 상기 출력노드와 결합된 제1입력 노드를 갖는 비교기 수단(15/17)을 포함하는 단일 반도체 칩(11)상에 제조된 비휘발성 반도체 메모리 디바이스에 있어서, 상기 감지 증폭기 유니트는 또 전압 레벨의 상기 제1소스와 같은 설정된 전압 레벨에 상기 출력 노드갈 다다를때까지 상기 출력 노드에 전류를 지속적으로 보충하는 메이크-업 회로(14b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019910017926A 1990-10-11 1991-10-11 비휘발성 반도체 메모리 장치 KR950006213B1 (ko)

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