KR910005463A - 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로 - Google Patents

정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR910005463A
KR910005463A KR1019900012240A KR900012240A KR910005463A KR 910005463 A KR910005463 A KR 910005463A KR 1019900012240 A KR1019900012240 A KR 1019900012240A KR 900012240 A KR900012240 A KR 900012240A KR 910005463 A KR910005463 A KR 910005463A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
information
integrated circuit
capacitor
nonvolatile memory
word line
Prior art date
Application number
KR1019900012240A
Other languages
English (en)
Inventor
케이이치 가와나
Original Assignee
나미자키 시노부
가와사끼 세이데쯔 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나미자키 시노부, 가와사끼 세이데쯔 가부시끼가이샤 filed Critical 나미자키 시노부
Publication of KR910005463A publication Critical patent/KR910005463A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C14/00—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/1201—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising I/O circuitry
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/24—Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/1202—Word line control
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C2029/5002—Characteristic

Abstract

내용 없음

Description

정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 제1실시예에 관한 PLD의 메모리셀의 구성을 나타내는 회로도,
제2도는, 본 발명의 제2실시예에 관한 PLD의 메모리셀의 구성을 나타내는 회로도.

Claims (9)

  1. 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리셀을 포함하는 직접 회로로서 : 원하는 정보를 저장하기 위한 불휘발성 메모리소자를 포함하는 메모리 셀과; 워드라인과; 상기 워드라인의 전위에 의하여 스위치온 및 오프되는 스위칭 요소와; 상기 메모리소자의 출력단자에 접속되는 콘덴서; 및 상기 메모리소자가 상기 콘덴서에 전하를 축적하기 위하여 작동하지 않을때, 상기 스위칭 요소를 스위치 온하고, 상기 정보를 일시 유지하며, 상기 정보를 판독해내는 수단으로 구성되는 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀은 상호간에 게이트를 공유하는 1쌍의 부유게이트 트랜지스터로 구성되는 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀은 하나의 부유게이트 트랜지스터로 구성되는 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 워드라인은, 정보가 콘덴서에 일시유지되고, 그로부터 판독됨에 따라 상기 스위칭 요소를 스위치온하기 위한 검색 워드라인이며, 정보가 통상적으로 기록 또는 판독됨에 따라 상기 불휘발성 메모리소자를 제어하기 위한 원래의 기능 워드라인에 부가하여 독립적으로 마련되는 것인 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 메모리소자는, 상기 원래의 기능 워드라인상에 신호에 의하여 일시적으로 어떠한 정보를 유지하는 동안 그의 작동이 중단되는 집적회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 요소는, 상기 콘덴서로의 어떠한 정보를 일시적으로 유지 및 판독할 때 비트라인과 상기 콘덴서를 상호 전기적으로 접속하기 위한 선택 트랜지스터를 포함하여 구성되는 직접회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 콘덴서는 잡음억제 콘덴서로서도 기능하는 집적회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 정보를 일시적으로 유지 및 판독하는 수단은, 상기 콘덴서와 직렬로 접속되는 저항을 포함하는 집적회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 저항은, 불휘발성 메모리소자에 전원저압을 인가하기 위한 저항으로서도 기능하는 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012240A 1989-08-09 1990-08-09 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로 KR910005463A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-206396 1989-08-09
JP1206396A JP2726503B2 (ja) 1989-08-09 1989-08-09 集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910005463A true KR910005463A (ko) 1991-03-30

Family

ID=16522663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900012240A KR910005463A (ko) 1989-08-09 1990-08-09 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5126969A (ko)
EP (1) EP0412781B1 (ko)
JP (1) JP2726503B2 (ko)
KR (1) KR910005463A (ko)
CA (1) CA2022864A1 (ko)
DE (1) DE69017303T2 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04289593A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Fujitsu Ltd 不揮発性半導体記憶装置
DE4493150T1 (de) * 1993-05-11 1995-07-20 Nippon Kokan Kk Nichtflüchtige Speichervorrichtung, nichtflüchtige Speicherzelle und Verfahren zum Einstellen des Schwellenwertes der nichtflüchtigen Speicherzelle und jedes der vielen Transistoren
JPH0778484A (ja) * 1993-07-13 1995-03-20 Nkk Corp 記憶素子、不揮発性メモリ、不揮発性記憶装置及びそれを用いた情報記憶方法
US5623444A (en) * 1994-08-25 1997-04-22 Nippon Kokan Kk Electrically-erasable ROM with pulse-driven memory cell transistors
US5602779A (en) * 1994-11-11 1997-02-11 Nkk Corporation Nonvolatile multivalue memory
US5661686A (en) * 1994-11-11 1997-08-26 Nkk Corporation Nonvolatile semiconductor memory
US5808338A (en) * 1994-11-11 1998-09-15 Nkk Corporation Nonvolatile semiconductor memory
JPH08329691A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Nkk Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH0945090A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Nkk Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH0945094A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Nkk Corp 不揮発性半導体記憶装置
US6266272B1 (en) * 1999-07-30 2001-07-24 International Business Machines Corporation Partially non-volatile dynamic random access memory formed by a plurality of single transistor cells used as DRAM cells and EPROM cells
US7016219B1 (en) * 2003-12-16 2006-03-21 Xilinx, Inc. Single transistor non-volatile memory system, design, and operation
TWI652683B (zh) * 2017-10-13 2019-03-01 力旺電子股份有限公司 用於記憶體的電壓驅動器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2442131B2 (de) * 1974-09-03 1976-07-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Dynamisches ein-transistor-speicherelement
FR2300391A1 (fr) * 1976-02-06 1976-09-03 Honeywell Inc Memoire remanente a acces selectif
US4112510A (en) * 1977-05-25 1978-09-05 Roger Thomas Baker Dynamic memory cell with automatic refreshing
US4715014A (en) * 1985-10-29 1987-12-22 Texas Instruments Incorporated Modified three transistor EEPROM cell
JPS62154786A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
JPS62229870A (ja) * 1986-01-22 1987-10-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US4788663A (en) * 1987-04-24 1988-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device with a lightly-doped drain structure
US4809225A (en) * 1987-07-02 1989-02-28 Ramtron Corporation Memory cell with volatile and non-volatile portions having ferroelectric capacitors
US4885719A (en) * 1987-08-19 1989-12-05 Ict International Cmos Technology, Inc. Improved logic cell array using CMOS E2 PROM cells
US4829203A (en) * 1988-04-20 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Integrated programmable bit circuit with minimal power requirement

Also Published As

Publication number Publication date
US5126969A (en) 1992-06-30
DE69017303D1 (de) 1995-04-06
DE69017303T2 (de) 1995-06-29
EP0412781B1 (en) 1995-03-01
JPH0370211A (ja) 1991-03-26
CA2022864A1 (en) 1991-02-10
EP0412781A1 (en) 1991-02-13
JP2726503B2 (ja) 1998-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960704321A (ko) 비-소멸성 강유전체 메모리(non-volatile memory)
KR910005463A (ko) 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로
KR920008767A (ko) 비휘발성 반도체 메모리 디바이스
KR960042757A (ko) 불휘발성 반도체 메모리의 데이터 독출 회로
KR900019038A (ko) 다이나믹형 랜덤억세스메모리
US4536859A (en) Cross-coupled inverters static random access memory
KR970012696A (ko) 강유전체 메모리 장치
KR960012004A (ko) 강유전체메모리장치
KR900011012A (ko) 반도체 메모리 집적회로
KR850007156A (ko) 다이나믹형 랜덤억세스 메모리
KR860003551A (ko) 기 억 회 로
KR870010549A (ko) 반도체 기억장치
KR850002636A (ko) 전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리
KR870002589A (ko) 센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치
KR920022301A (ko) 반도체 기억장치
KR910006994A (ko) 센스 앰프회로
KR910006997A (ko) 기생용량에 의해 야기된 오동작을 방지하기 위한 eprom의 디코더 회로
KR960042732A (ko) 반도체 메모리 셀
KR870009398A (ko) 반도체 기억장치
KR960026881A (ko) 스태틱 랜덤 액세스 메모리
JPS5855597B2 (ja) 双安定半導体メモリセル
KR950007452B1 (ko) 프리세트 회로
KR930015015A (ko) 강유전성 캐패시터를 갖는 메모리 셀
JPS5577088A (en) Nonvolatile semiconductor memory unit
KR937000950A (ko) 비 휘발성 반도체 메모리 셀 필드가 있는 반도체 메모리

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application