KR850002636A - 전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리 - Google Patents

전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리 Download PDF

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KR850002636A
KR850002636A KR1019840005460A KR840005460A KR850002636A KR 850002636 A KR850002636 A KR 850002636A KR 1019840005460 A KR1019840005460 A KR 1019840005460A KR 840005460 A KR840005460 A KR 840005460A KR 850002636 A KR850002636 A KR 850002636A
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마사가즈 아오기 (외 5)
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미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예를 도시한 회로불록도면, 제6도는 본 발명의 실시예를 도시한 부분회로도, 제10도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 부분회로도.

Claims (6)

  1. 반도체중의 전하캐리어를 정보원으로서 기억하는 다수개의 셀으로 되는 어레이와, 각 셀의 위치를 지저아는 어드레스 지정기구와, 상기 셀에 접속해서 정보원으로 하는 전하캐리어를 전송하는 데이터선과, 데이터선에 접속한 정보의 기억기구와 호출기구와를 각각 적어도 구비하고, 상기 호출기구가 데이터선에 접속하는 리셋트 게이트 전하전송부, 전하전송부 출력단의 프리챠아지 게이트, 신호증폭기(센스앰프)로 되고, 해당 전하전송부가 적어도 2개의 전하전송 게이트와 그들의 중간에 마련된 구동게이트로 구성되고, 상기 기억기구가 상기 기억셀어레이와 상기 전하전송부의 사이에 배치되고, 상기 리셋트 게이트 트랜지스터의 다른 한쪽의 단자가, 데이터선측의 전하전송 게이트에 인가하는 전압의 최고치에서 해당 전하전송 게이트의 스렛쉬 홀드전압을 뺀 수치로부터, 전자를 정보원으로 할 때에는, 낮은전압, 정공을 정보원으로 할 때는, 높은 전압을 각각 주어지는 수단에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치에 있어서, 센스앰프로서, 전압을 검출하는 앰프로 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치에 있어서, 데이터선 용량 CD, 전하구동 게이트용량 C1에 대해, 센스앰프 입력단용량 C1가
    CD＞C1≥C1
    인 관계에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 반도체중의 전하캐리어을 정보원으로 하여 기억하는 다수개의 셀로 되는 어레이오, 각 셀의 위치를 지정하는 어드레스 지정기구와, 상기 셀에 접속해서 정보원으로 되는 전하캐리어를 전송하는 데이터선과, 데이터선에 접속한 정보의 기억기구와 호출기구를 각각 적어도 구비하고, 상기 기억기구가 데이터선에 접속하는 리셋트 게이트, 전하전송부, 전하전송부 출력단의 프리챠아지 게이트, 실호증폭기(센스앰프)로 되고, 해당 전하전송부가 적어도 2개의 전하전송 게이트와 그들의 중간에 마련된 구동게이트로 구성되고, 데이터 선측의 전하전송 게이트의 스렛쉬 홀드전압을 VTh1, 구동게이트의 스렛쉬 홀드전압을 VThT2, 센스앰프측의 전하전송 게이트의 스렛쉬 홀드전압을 VThT3으로 하였을 때에, 전자를 정보원으로 되는 전하캐리어로서 전송할 때에는
    VThT1＞VThT3＞VThT2(1a)
    정공을 정보원으로 되는 전하캐리어로서 전송할 때에는,
    VThT1＜VThT3＜VThT2(1b)
    로 되도록 각 게이트의 스렛쉬 홀드전압을 선택한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항 기재의 반도체 장치에 있어서, 구동게이트를 디프리션형으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치에 있어서, 전하전송부로의 인가펄스의 하이레벨을 VøH, 로우레벨을 VøL로 하였을 때, 전자를 해당전하 게이트로서 전송할 때에는,
    VøH-VThT1＞VøL-VThT3(2a)
    정공을 해당전하 캐리어로서 전송할 때에는,
    VøH-VThT1＜VøL-VThT3(2b)
    로 되도록 스렛쉬 홀드전압을 선택한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840005460A 1983-09-07 1984-09-06 전하 전송형 전압증폭기를 갖는 반도체 메모리 KR930007280B1 (ko)

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JP58-163215 1983-09-07
JP58-163218 1983-09-07
JP58163216A JP2539348B2 (ja) 1983-09-07 1983-09-07 半導体装置
JP58-163216 1983-09-07
JP58163215A JPS6055592A (ja) 1983-09-07 1983-09-07 半導体装置

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KR850002636A true KR850002636A (ko) 1985-05-15
KR930007280B1 KR930007280B1 (ko) 1993-08-04

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KR1019840005460A KR930007280B1 (ko) 1983-09-07 1984-09-06 전하 전송형 전압증폭기를 갖는 반도체 메모리

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EP (1) EP0139196B1 (ko)
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EP0139196A2 (en) 1985-05-02
EP0139196B1 (en) 1989-12-06
US4636985A (en) 1987-01-13
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