KR920008753A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 개념도로써 메모리블럭의 구성을 도시한 도면,
제3도는 데이타선을 사용한 본 발명의 실시예를 도시한 도면,
제4도는 데이타선을 사용한 다른 실시예를 도시한 도면.

Claims (38)

  1. 다수의 워드선, 상기 워드선과 교차하는 다수의 데이타선, 상기 다수의 워드선에 의해 선택되는 스위치 및 상기 스위치에 의해 신호의 수수를 제어하는 다수의 메모리셀을 갖는 반도체기억장치에 있어서, 적어도 2개의 메모리셀이 스위치가 직렬로 되도록 접속되고, 어떤 메모리셀에 포함되는 정보 기억수단의 신호가 다른 메모리셀내의 스위치를 거쳐서 데이타선에 전기적으로 리드되는 반도체기억장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 서로 접속된 적어도 2개의 메모리셀을 메모리블럭으로 하고 상기 메모리블럭을 여러개 가지며 상기 여려개의 메모리블럭을 상기 데이타선에 접속한 반도체 기억장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기다수의 메모리블럭을 신호전달수단을 거쳐서 데이타선에 접속하고, 상기 신호전달수단은 리드시에 메모리블럭에서 본 임피던스가 높은 상태에서 동작하며, 라이트시에는 메모리블럭과 데이타선의 접속수단으로써 작용하는 반도체 기억장치.
  4. 특허청구의 범위 제2항에 있어서,, 다수의 상기 메모리블럭이 접속된 상기 데이타선을 다수개 갖는 반도체기억장치.
  5. 워드선에 의해 선택되는 다수의 스위치, 상기 스위치에 의해 신호의 수수를 제어하는 정보기억수단으로 이루어지는 다수의 메모리셀, 상기 다수의 스위치가 직렬로 접속된 메모리블럭, 상기 워드선과 교차하도록 배치된 다수의 데이타선 및 상기 다수의 데이타선과 병행으로 배치된 공통데이타선을 가지며, 상기 다수의 데이타선의 각각에 다수의 상기 메모리블럭이 접속되고, 또 다수의 데이타선을 제어신호에 의해 선택가능한 신호전달수단에 의해 상기 공동데이타선에 접속한 반도체기억장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 다수의 데이타선이 접속된 상기 공통 데이타선을 다수개 갖는 반도체기억장치.
  7. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 신호전달수단은 리드시에 데이타선에서 본 임피던스가 높은 상태에서 신호를 전달하고, 라이트시에는 접속수단으로써 동작하는 반도체기억장치.
  8. 특허청구의 범위 제2항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 메모리블럭에서 리드된 신호를 검출하기 위한 신호검출 수단을 포함하며, 상기 신호검출수단은 상기 데이타선에 접속되는 반도체기억장치.
  9. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 메모리블럭에서 리드된 신호를 검출하기 위한 신호 검출수단을 포함하며, 상기 신호검출수단은 상기 공통데이타선에 접속되는 반도체기억장치.
  10. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 신호검출수단에 의해 검출한 정보를 일시적으로 저장해두는 정보일시 기억수단을 포함하는 반도체기억장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 정보일시기억수단의 기억용량은 메모리블럭의 기억 용량과같은 반도체기억장치.
  12. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 정보일시기억수단의 기억용량은 메모리블럭의 기억 용량보다 정보 기억수단 1개분만큼 작은 반도체기억장치.
  13. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 어떤 메모리블럭에서 리드한 정보를 상기 신호검출수단으로 검출하고 그 검출결과를 같은 데이타선에 접속되어 있는 다른 메모리블럭으로 라이트하는 것에 의해 리드 또는 라이트동작을 실행하는 반도체기억장치.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 데이타 선에 기억용량에서 필요한 갯수보다도 데이타선당 1개 여분으로 상기 메모리블럭을 마련한 반도체기억장치.
  15. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 다수의 메모리블럭과 반도체기억장치의 외부에서 입력되는 어드레스의 대응관계를 기억하는 수단 및 그것에 따라서 메모리블럭을선택하는 수단을 포함하는 반도체기억장치.
  16. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 데이타선은 쌍선으로 이루어지며, 그 데이타선쌍에 차동신호검출수단을 접속한 반도체기억장치.
  17. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 공통데이타선은 쌍선으로 이루어지며, 그 공통데이타선쌍에 차동신호검출수단을 접속한 반도체기억장치.
  18. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 다수의 데이타선에 공통으로 마련된 더미데이타선, 상기 다수의 데이타선및 상기 더미데이타선의 각각에 접속된 다수의 데이타선 및 상기 다수의 데이타선에 마련된 신호변환수단에 대응해서 마련된 다수의 차동신호검출수단을 포함하며, 상기 각 차동신호검출수단에 상기 각 데이타선에 마련된 신호변환수단의 출력과 상기 더미데이타선에 마련된 신호변환수단의 출력이 입력되는 반도체기억장치.
  19. 특허청구의 범위 제18항에 있어서, 상기 신호변환수단은 전압전류 변환회로로 구성된 신호전달수단과 전류전압변환회로로써 동작하는 부하회로로 이루어지는 반도체기억장치.
  20. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 다수의 공통데이타선에 마련된 다수의 차동신호검출수단과 상기 다수의 공통데이타선에 공통으로 마련된 공통더미데이타선으로써, 다수의 더미데이타선이 제어신호에 의해 선택가능한 신호전달수단에 의해 접속된 공통더미데이타선을 가지며, 상기 각 공통데이타선에 마련된 차동신호검출수단에 상기 각 공통데이타선과 상기 공통더미데이타선이 접속되는 반도체기억장치.
  21. 특허청구의 범위 제18항 내지 제20항중 어느 한 항에 있어서, 상기 더미데이타선에는 상기 메모리블럭과 동일한 구성인 더미블럭이 접속되는 반도체기억장치.
  22. 특허청구의 범위 제21항에 있어서, 상기 더미데이타선에 접속되는 더미블럭의 갯수는상기 각 데이타선에 접속되는 메모리블럭의 갯수와 같으며, 상기 메모리블럭과 상기 더미블럭은 동일한 신호가 인가되는 워드선에 접속되어 있는 반도체기억장치.
  23. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 신호변환수단은 다수의 데이타선에 공통으로, 또 다수의 더미데이타선에 공통으로 마련되고, 상기 신호변환수단과 상기 다수의 데이타선 또는 다수의 더미데이타선의 각각 접속하기 위한 스위치수단을 포함하는 반도체기억장치.
  24. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 신호전달수단은 다수의 데이타선에 공통으로, 또 다수의 더미데이타선에 공통으로 마련되고, 상기 신호전달 수단과 상기 다수의 데이타선 또는 다수의 더미데이타선의 각각과 접속하기 위한 스위치수단을 포함하는 반도체기억장치.
  25. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 메모리블럭은 1개의 스위치를 1개의 트랜지스터로, 1개의 정보기억수단을 1개의 캐패시터로 구성한 반도체기억장치.
  26. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 메모리블럭은 2개의 트랜지스터가 불순물첨가영역을 공유하도록 다수의 트랜지스터를 질력로 접속해서 구성한 반도체기억장치.
  27. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 캐패시터는 상기 트랜지스터의 한쪽의 불순물첨가 영역에 접속하고 있고, 상기 트랜지스터 및 데이타선의 위까지 연장하고 있는 전국, 그 위에 마련된 절연막 및 또 그위에 마련된 도전성전극에 의해 형성되는 반도체기억장치.
  28. 반도체기판, 상기 기판상에 마련된 제1, 제2, 제3의 불순몰영역, 상기 기판상에 마련된 게이트절연막, 상기 게이트절연막상에 마련된 제1, 제2의 게이트전극 신호를 축적하는 제1, 제2의 용량전극, 상기 용량전극상에 마련된 용량절연막 및 상기 용량절연막상에 마련된 공통전극을 포함하며, 상기 제2의 게이트전극은 상기 제2, 제3의 불순물 영역을 소오스 또는 드레인으로써 전계효과 트랜지스터를 형성하도록 마련되고, 상기 제1, 제2의 게이트전극은 상기 제2의 불순물영역을 공유하며,상기 제2와 제3의 불순물영역에 상기 제1, 제2의 용량전극이 전기적으로 접속되는 것에 의해 적어도 2개의 직렬로 접속된 메모리셀을 형성하는 반도체기억장치.
  29. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 용량전극은 상기 불순물영역에서 상기 게이트전극 마련되는 상에 반도체기억장치.
  30. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 용량전극은 왕관형으로 형성되는 반도체기억장치.
  31. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 게이트전극은 워드선을 구성하는 반도체기억장치.
  32. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 다수의 데이타선을 가지고, 상기 데이타선은 상기 제1의 불순물영역에 전기적으로 접속되며 또한상기 공통 전극은 상기 데이타선상에 마련되는 반도체기억장치.
  33. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 데이타선에 접속되는 정보기억수단의 수는 상기 데이타선의 1개 접속구멍에 따라 6개인 반도체기억장치.
  34. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 데이타선에 접속되는 정보기억수단의 수는 상기 데이타선의 1개 접속구멍에 따라 4개인 반도체기억장치.
  35. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 데이타선에 접속되는 정보기억수단의 수는 상기 데이타선의 1개 접속구멍에 따라 6개인 반도체기억장치.
  36. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체기억장치의 신호의 수수는 데이타전송신호에 의해서 실해되는 반도체기억장치.
  37. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 음성입력수단, 상기 음성입력수단의 출력신호를 증폭하는 증폭기, 상기 증폭기의 출력신호가 입력되는 아날로그/디지탈변환기, 상기 아날로그/디지탈변환기의 출력신호가 입력되는 반도체메모리, 상기 반도체메모리의 출력신호가 입력되는 디지털/아날로그변환기, 상기 디지탈/아날로그 변환기의 출력신호를 증폭하는 증폭기 및 상기 증폭기의 출력신호가 입력되는 음성출력수단을 포함하는 음성기록재생장치의 구성요소인 반도체기억장치.
  38. 반도체기판, 상기 반도체기판의 주표면에 형성된 제1의 불순물영역과 제2의 불순물영역, 상기 제1의 불순물영역과 상기 제2의 불순물영역을 소오스 또는 드레인으로 하는 제1의 전개효과 트랜지스터, 상기 반도체기판에 형성된 제3의 불순물영역과 상기 제2의 불순물영역을 소오스 또는 드레인으로 한 제2의 전계효과 트랜지스터, 상기 제2의 불순물 영역에 전기적으로 접속된 제1의 용량전극, 상기 제1의 용량전극에 용량절연막을 거쳐서 대향하는 대향전극 및 상기 제3의 불순물 영역에 전기적으로 접속된 제2의 용량전극 포함하며 상기 제1의 불순물영역을 거쳐서 상기 제1의 축적용량에 신호가 입력되고 상기 제2의 축적용량은 상기 제2의 불순물영역을 거쳐서 신혹 입력되는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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