KR860004410A - 반도체 메모리 - Google Patents

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KR860004410A
KR860004410A KR1019850008797A KR850008797A KR860004410A KR 860004410 A KR860004410 A KR 860004410A KR 1019850008797 A KR1019850008797 A KR 1019850008797A KR 850008797 A KR850008797 A KR 850008797A KR 860004410 A KR860004410 A KR 860004410A
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mosfet
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KR1019850008797A
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야스노리(외 2) 야마구지
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 1실시예를 도시한 회로도.
제2도는, 그 동작을 설명하기 위한 타이밍도면.
제3도는 본 발명의 다른 1실시예의 회로도.

Claims (18)

  1. 반도체 메모리는, 기준전위 형성회로, 상기 기준전위 형성회로에 의해서, 기준전위가 주어지는 제1데이터선, 상기 제1데이터선 대(對)로 되고, 또한 상기 기준전위 형성회도에 의해서, 기준전위가 주어지는 제2데이터선, 워드선, 상기 워드선에 공급되는 선택신호와 동기된 구동신호가 공급되는 더미워드선, 상기 워드선에 결합된 어드레스 선택용 MOSFET와 정보기억용 용량소자를 갖고 그것이 선택되었을 때에 상기 제1데이터선의 전위를 상기 제2데이터선에 있어서의, 기준전위보다도 높은 레벨이 낮은 레벨로 설정하는 다아나믹형 메모리셀, 상기 메모리셀에 의해서, 상기 제1데이터선과 상기 더미워드선과의 사이에 마련되고, 상기 어드레스 선택용 MOSFET의 게이트 용량을 거쳐서 상기 제1데이터선에 주어지는 노이즈에 의해서 주어지는 상기 제1, 제2데이터선 사이의 노이즈가 감소되도록 상기 구동신호에 응답하여 상기 제2 또는 제1데이터선에 노이즈를 부여하는 더미용량 소자으로 된다.
  2. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량 소자는 MOS 용량소자로 된다.
  3. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 MOS 용량소자는 그 게이트 전극이 상기 더미워드선에 결합되고, 그 전류 전송전극이 상기 제2 또는 제1데이터선에 결합된 MOSFET로 된다.
  4. 특허청구의 범위 제3항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 MOS 용량소자로서의, MOSFET는 데플렛션모오드로 되어 있다.
  5. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량소자는 상기 더미워드선과, 상기 제2데이터선과의 사이에 마련되어 있고, 상기 더미 워드선을 위한 선택신호의 하이레벨로의 변화와 동기하여 하이레벨로 된다.
  6. 특허청구의 범위 제5항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 기준전위 형성호로는, 상기 제1, 제2데이터선의 서로를 쇼오트하는 것에 의해서, 상기 기준전위를 형성하는 스위치소자로 된다.
  7. 특허청구의 범위 제6항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 제1 및 제2데이터선은 서로가 실질적으로 같은 데이터선 용량을 가지며, 상기 더미용량소자는 상기 어드레스선택 MOSFET의 "on" 상태에 있어서의 게이트 용량보다도 적은 용량을 갖는다.
  8. 특허청구의 범위 제6항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량소자는 그 게이트 전극이, 상기 더미워드선에 결합되고, 그 전류전송 전극이 상기 제2데이터선에 결합된 MOSFET로 된다.
  9. 특허청구의 범위 제8항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량 소자로서의 MOSFET는 데플렛션 모오드로되고, 그 게이트 용량이 상기 어드레스선택 MOSFET의 "on" 상태의 게이트 용량보다도 적게 되어 있다.
  10. 특허청구의 범위 제8항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량 소자로서의 MOSFET는, 데플렛션 모오드로 되고, 그 게이트 전극의 면적이 상기 어드레스 선택용 MOSFET의 그것보다도 적게 되어 있다.
  11. 특허청구의 범위 제10항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량 소자로서의 MOSFET의 게이트 전극의 면적은 상기 어드레스 선택용 MOSFET의 1/2로 되어 있다.
  12. 특허청구의 범위 제10항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 제1 및 제2데이터선은 1개의 메모리 어레이에 있어서의 데이터선을 구성하고 있다.
  13. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량 소자는, 상기 더미워드선과, 상기 제1데이터선과의 사이에 마련되어 있고, 상기 구동신호는 상기 선택신호의 하이레벨로의 변화에 동기해서, 로우레벨로 된다.
  14. 특허청구의 범위 제13항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 기준전위 형성회로는 상기 제1 및 제2데이터선의 서로를 쇼오트하는 것에 의해서, 상기 기준전위를 형성하는 스위치소자로 된다.
  15. 특허청구의 범위 제13항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 제1 및 제2데이터선은 서로가 실질적으로 같은 데이터선 용량을 가지며, 상기 더미 용량소자는, 상기 어드레스 선택용 MOSFET의 "on" 상태에 있어서의 게이트 용량보다도 적은 용량을 갖는다.
  16. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량소자는 그 게이트 전극이 상기 더미 워드선에 결합되고, 그 전류 전송전극이 상기 제1데이터선에 결합된 MOSFET로 된다.
  17. 특허청구의 범위 제16항의 반도체 메모리에 있어서, 상기 더미용량 소자로서의 MOSFET는 데플렛션 모오드로 되고, 그 게이트 용량 상기 어드레스 선택용 MOSFET의 그것보다도 적게되어 있다.
  18. 반도체 메모리는, 각각 어드레스 선택용 MOSFET와, 정보기억용 용량소자로 된 다수개의 다이나믹형 메모리셀이 결합되고, 서로가 대로되는 제1, 제2데이터선, 다수개의 다이나믹형 메모리셀에 결합된 다수개의 워드선, 상기 제1, 제2데이터에 기준전위를 부여하는 기준전위 형성회로, 제1 및 제2더미워드선, 상기 제1데이터선과, 제1더미 워드선과의 사이에 마련된 제1더미 용량소자, 상기 제2데이터선과, 상기 제2더미워드선과의 사이에 마련된 제2더미 용량소자, 상기 제1 및 제2데이터선에 결합된 다수개의 메모리셀의 1개를 선택하기 위한 워드선 구동회로, 상기 워드선 구동회로의 동작에 등기해서, 상기 제1 또는 제2더미 워드선에 구동신호를 부여하는 더미워드 구동회로 및 상기 제1 및 제2데이터선 사이에 주어지는 신호레벨차를 증폭하는 센스앰프로 된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850008797A 1984-11-26 1985-11-25 반도체 메모리 KR860004410A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59-248105 1984-11-26
JP59248105A JPS61126690A (ja) 1984-11-26 1984-11-26 半導体メモリ

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KR860004410A true KR860004410A (ko) 1986-06-20

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ID=17173295

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KR1019850008797A KR860004410A (ko) 1984-11-26 1985-11-25 반도체 메모리

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US4943949A (en) 1990-07-24
JPS61126690A (ja) 1986-06-14

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