KR870003508A - 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리 장치 - Google Patents

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KR870003508A
KR870003508A KR1019860007336A KR860007336A KR870003508A KR 870003508 A KR870003508 A KR 870003508A KR 1019860007336 A KR1019860007336 A KR 1019860007336A KR 860007336 A KR860007336 A KR 860007336A KR 870003508 A KR870003508 A KR 870003508A
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사또루 야마구찌
구니히꼬 와다
노리아끼 사또
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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    • G11C17/04—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using capacitive elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract

내용 없음

Description

프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 BIC PROM에 대한 실시예의 메모리 셀을 나타내는 횡단면도.
제6도는 본 발명에 따른 BIC PROM의 메모리 셀동가 회로도.
제9도는 제6도에서 보인 BIC PROM의 비선택 메모리 셀의 절연층과 공핍층의 용량 표시도.
제11도는 본 발명에 따른 BIC PROM의 회로 구성에 대한 실시예를 나타내는 시스템 블록선도.

Claims (9)

  1. 프로그래머를 반도체 리드 온의 메모리 장치에 있어서, 각 워드선과 각 비트선에 연결되고 행렬 형태로 배열된 다수의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀 어레이,
    게이트가 워드선에 연결된 트랜지스터와, 한 단자가 비트선에 연결되고 다른 단자는 캐패시터가 상기 트랜지스터를 통하여 접지되도록 상기 트랜지스터에 연결되며 절연층을 가진 캐패시터를 각각 포함하는 상기 메모리 셀 어레이 내의 상기 다수의 메모리 셀과,
    선택된 메모리 셀 어레이에 연결된 특정 워드선과 특정 비트선이 구동될 때, 선택된 메모리 셀의 캐패시터의 절연층만을 파괴시켜 캐패시터를 도전상태로 하게 하는 상기 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 각 메모리 셀의 상기 트랜지스터가 금속 절연 반도체 전계효과 트랜지스터 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  3. 청구범위 제2항에 있어서,
    각 메모리 셀의 상기 트랜지스터가 N채널 금속 절연 반도체 전개효과 트랜지스터이고, 상기 N채널 금속 절연 반도체 전계효과 트랜지스터가 상기 캐패시터의 상기 다른 단자에 연결된 드레인과 접지된 소오스를 가지는 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  4. 청구범위 제1항에 있어서,
    각각의 셀의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 표면부에 형성된 첫번째와 두번째 불순물 영역, 상기 반도체 기판상에 형성되고 상기 첫번째와 두번째 불순물영역 위에 각각 형성된 첫번째와 두번째 접촉 홀을 가지는 첫번째 절연층 상기 반도체 기판상에 형성된 게이트층, 상기 첫번째 절연층의 상기 첫번째 접촉홀 위에 형성된 두번째 절연층, 상기 첫번째 절연층의 상기 두번째 접촉홀 위에 형성된 첫번째 배선층과 상기 두번째 절연층, 접지된 상기 첫번째 배선층, 비트선에 연결된 상기 두번째 배선층, 워드선에 연결된 상기 게이트층, 상기 캐패시터의 절연층을 구성하는 상기 두번째 절연층 위에 형성된 두번째 배선층을 포함하는 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  5. 청구범위 제4항에 있어서,
    상기 반도체 기판이 P형 실리콘으로 만들어지고, 상기 첫번째 불순물 영역이 트랜지스터의 드레인을 구성하는 n+형 불순물 영역이며, 상기 두번째 불순물 영역이 트랜지스터의 소오스를 구성하는 n+형 분순물 영역인 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  6. 청구범위 제4항에 있어서,
    비선택된 메모리 셀의 트랜지스터에 있는 상기 첫번째 불순물 영역이 공핍층을 형성함으로써 역 바이어스되고, 상기 공핍층은 상기 두번째 절연층의 용량보다 더 적은 용량을 가지는 프로그래머블 반도체 리드온리 메모리장치.
  7. 청구범위 제1항에 있어서,
    상기 선택된 메모리 셀의 트랜지스터가 ON되도록 상기 선택된 메모리 셀에 연결된 특정 워드선만이 구동되고, 상기 비선택된 메모리 셀이 OFF되도록 비선택된 메모리 셀에 연결된 워드선이 구동되지 아니하는 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  8. 청구범위 제1항에 있어서,
    상기 메모리 셀 어레이의 상기 다수 메모리 셀 모두의 캐패시터가 쓰기 주기의 첫번째 반주기 동안에 방전되고, 상기 선택된 메모리 셀의 트랜지스터만이 상기 쓰기 주기의 두번째 반주기 동안에 ON되는 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
  9. 청구범위 제8항에 있어서,
    더우기 어드레스 신호가 공급된 어드레스 레지스터, 상기 선택된 메모리 셀에 연결된 상기 특정 워드선을 구동함으로써 상기 메모리 셀 어레이 내에 상기 선택된 메모리 셀의 로우 어드레스를 표시하기 위하여 상기 어드레스 레지스터의 출력이 공급된 로우디코우더, 상기 선택된 메모리 셀에 연결된 상기 특정 비트선을 구동함으로써 상기 메모리 셀 어레이 내에서 상기 선택된 메모리 셀의 칼럼 어드레스를 표시하기 위하여 상기 어드레스 레지스터의 출력이 공급된 칼럼 디코우더와, 상기 메모리 셀 어레이로부터 읽어낸 데이타를 수신하기 위하여 그리고 상기 메모리 셀 어레이에 쓰여질 데이타를 공급하기 위한 읽기/쓰기 회로를 포함하며, 상기 읽기/쓰기 회로는 상기 칼럼 디코우더를 제어하기 위한 쓰기 회로를 포함하고 모든 워드선은 각 쓰기 주기의 처음 반주기 동안에 구동되며, 각 쓰기 주기의 처음 반주기에는 아무런 비트선도 구동되지 않고 각 쓰기 주기의 두번째 반주기에는 상기 선택된 메모리 셀에 연결된 상기 특정 비트선만이 구동되도록 상기 쓰기 회로가 상기 칼럼 디코우더를 제어하는 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860007336A 1985-09-04 1986-09-02 프로그래머블 반도체 리드 온리 메모리 장치 KR900006155B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60195167A JPS6254899A (ja) 1985-09-04 1985-09-04 プログラマブルリ−ドオンリメモリおよびその書込方法
JP195167 1985-09-04
JP60268547A JPS62128557A (ja) 1985-11-29 1985-11-29 半導体記憶装置とその書込み方法
JP268547 1985-11-29

Publications (2)

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KR870003508A true KR870003508A (ko) 1987-04-17
KR900006155B1 KR900006155B1 (ko) 1990-08-24

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EP (1) EP0213638B1 (ko)
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