KR910010524A - 불휘발성 반도체기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 불휘발성 반도체기억장치의 1실시예를 표시하는 회로도,
제5도는 본 실시예의 동작 파형도.
Claims (1)
- 반도체메모리셀을 복수의 행 및 복수의 열로 배열한 메모리 매트릭스와, 상기 매트릭스의 행방향으로 연장하고 상기 복수의 행에 배열된 반도체 메모리셀의 컨트를 케이트에 접속된 복수의 워드선과, 상기 복수의 워드선을 통하여 상기 반도체메모리셀의 어느행에 행선택 신호를 출력하는 행 디코더와, 상기 메모리 매트릭스의 열방향으로 연장하고, 상기 복수의 열에 배열된 반도체메모리셀이 소스에 접속된 복수의 비트선과, 상기 복수의 비트선을 통하여 상기 반도체 메모리소자의 어느열에 열 선택신호를 출력하는 열 디코더와, 상기 복수의 반도체 메모리 매트릭스의 드레인과 접속된 데이터선과, 상기 데이터선을 통하여 상기 반도체 메모리셀의 드레인에 정전압을 인가하는 정전압 인가수단과, 상기 데이터선을 정전압에 유지하는데 요하는 전류를 검출하는 전류검출수단을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28660089A JP2790495B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP1-286600 | 1989-11-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910010524A true KR910010524A (ko) | 1991-06-29 |
KR0184635B1 KR0184635B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=17706513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900017114A KR0184635B1 (ko) | 1989-11-02 | 1990-10-25 | 불휘발성 반도체기억장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5117392A (ko) |
EP (1) | EP0426417B1 (ko) |
JP (1) | JP2790495B2 (ko) |
KR (1) | KR0184635B1 (ko) |
DE (1) | DE69024332T2 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2573416B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1997-01-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US5859455A (en) * | 1992-12-31 | 1999-01-12 | Yu; Shih-Chiang | Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel |
GB2321737A (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-05 | Motorola Inc | Circuit and method of measuring the negative threshold voltage of a non-volatile memory cell |
US6137720A (en) * | 1997-11-26 | 2000-10-24 | Cypress Semiconductor Corporation | Semiconductor reference voltage generator having a non-volatile memory structure |
JPH11203881A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | データ読み出し回路 |
JP2005038909A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Fujio Masuoka | 不揮発性メモリ素子の駆動方法、半導体記憶装置及びそれを備えてなる液晶表示装置 |
DE102006023934B3 (de) | 2006-05-19 | 2007-11-15 | Atmel Germany Gmbh | Speichervorrichtung mit einer nicht-flüchtigen Speichermatrix |
KR100822560B1 (ko) | 2006-09-04 | 2008-04-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 메모리의 전류 측정 회로 |
JP2009295221A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP5117950B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-01-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | データ読出回路及び半導体記憶装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4366555A (en) * | 1980-08-01 | 1982-12-28 | National Semiconductor Corporation | Electrically erasable programmable read only memory |
JPH01130398A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 読出し専用メモリ回路 |
JPH0727718B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | センス回路 |
JP2513795B2 (ja) * | 1988-07-22 | 1996-07-03 | 沖電気工業株式会社 | Mos型半導体記憶装置 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28660089A patent/JP2790495B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-25 KR KR1019900017114A patent/KR0184635B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-10-30 DE DE69024332T patent/DE69024332T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-30 EP EP90311852A patent/EP0426417B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-02 US US07/608,226 patent/US5117392A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2790495B2 (ja) | 1998-08-27 |
DE69024332T2 (de) | 1996-08-14 |
EP0426417A2 (en) | 1991-05-08 |
KR0184635B1 (ko) | 1999-04-15 |
EP0426417A3 (en) | 1992-04-22 |
JPH03147596A (ja) | 1991-06-24 |
EP0426417B1 (en) | 1995-12-20 |
US5117392A (en) | 1992-05-26 |
DE69024332D1 (de) | 1996-02-01 |
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