KR910010524A - 불휘발성 반도체기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체기억장치 Download PDF

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KR910010524A
KR910010524A KR1019900017114A KR900017114A KR910010524A KR 910010524 A KR910010524 A KR 910010524A KR 1019900017114 A KR1019900017114 A KR 1019900017114A KR 900017114 A KR900017114 A KR 900017114A KR 910010524 A KR910010524 A KR 910010524A
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하라다 데루히로
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고스기 노부미쓰
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 불휘발성 반도체기억장치의 1실시예를 표시하는 회로도,
제5도는 본 실시예의 동작 파형도.

Claims (1)

  1. 반도체메모리셀을 복수의 행 및 복수의 열로 배열한 메모리 매트릭스와, 상기 매트릭스의 행방향으로 연장하고 상기 복수의 행에 배열된 반도체 메모리셀의 컨트를 케이트에 접속된 복수의 워드선과, 상기 복수의 워드선을 통하여 상기 반도체메모리셀의 어느행에 행선택 신호를 출력하는 행 디코더와, 상기 메모리 매트릭스의 열방향으로 연장하고, 상기 복수의 열에 배열된 반도체메모리셀이 소스에 접속된 복수의 비트선과, 상기 복수의 비트선을 통하여 상기 반도체 메모리소자의 어느열에 열 선택신호를 출력하는 열 디코더와, 상기 복수의 반도체 메모리 매트릭스의 드레인과 접속된 데이터선과, 상기 데이터선을 통하여 상기 반도체 메모리셀의 드레인에 정전압을 인가하는 정전압 인가수단과, 상기 데이터선을 정전압에 유지하는데 요하는 전류를 검출하는 전류검출수단을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900017114A 1989-11-02 1990-10-25 불휘발성 반도체기억장치 KR0184635B1 (ko)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2573416B2 (ja) * 1990-11-28 1997-01-22 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5859455A (en) * 1992-12-31 1999-01-12 Yu; Shih-Chiang Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel
GB2321737A (en) * 1997-01-30 1998-08-05 Motorola Inc Circuit and method of measuring the negative threshold voltage of a non-volatile memory cell
US6137720A (en) * 1997-11-26 2000-10-24 Cypress Semiconductor Corporation Semiconductor reference voltage generator having a non-volatile memory structure
JPH11203881A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp データ読み出し回路
JP2005038909A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Fujio Masuoka 不揮発性メモリ素子の駆動方法、半導体記憶装置及びそれを備えてなる液晶表示装置
DE102006023934B3 (de) 2006-05-19 2007-11-15 Atmel Germany Gmbh Speichervorrichtung mit einer nicht-flüchtigen Speichermatrix
KR100822560B1 (ko) 2006-09-04 2008-04-16 주식회사 하이닉스반도체 낸드 플래시 메모리의 전류 측정 회로
JP2009295221A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP5117950B2 (ja) * 2008-07-18 2013-01-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 データ読出回路及び半導体記憶装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4366555A (en) * 1980-08-01 1982-12-28 National Semiconductor Corporation Electrically erasable programmable read only memory
JPH01130398A (ja) * 1987-11-17 1989-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 読出し専用メモリ回路
JPH0727718B2 (ja) * 1988-02-19 1995-03-29 日本電気株式会社 センス回路
JP2513795B2 (ja) * 1988-07-22 1996-07-03 沖電気工業株式会社 Mos型半導体記憶装置

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