KR970029874A - 불휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드회로 - Google Patents

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야; 불 휘발성 반도체 메모리에 데이타 리드회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제; 반도체 메모리 장치의 리드동작을 페이지 버퍼없이도 안정하게 보장할 수 있는 데이터 리드 회로를 제공함에 의해 칩의 사이즈를 줄인다.
3. 발명의 해결방법의 요지; 메모리 트랜지스터들이 행 방향의 워드라인과 열방향의 비트라인에 매트릭스형태로 배열되어 형성된 메모리 셀 어레이를 가지는 불 휘발성 반도체 메모리장치는 상기 비트라인의 양단에 각기 접속되어 상기 비트라인의 방전 및 제1기준전압에 응답하여 비트라인의 바이어스 레벨 설정을 담당하는 비트라인 방전 및 바이어스 설정부와, 상기 바이어스 설정부에 연결되며 제2기준전압에 응답하여 상기 비트라인을 프리 차아지하는 비트라인 프리차아지부와, 상기 프리차아지부의 출력단에 연결되며 칼럼 디코딩 신호에 응답하여 감지노드상에 선택된 메모리 셀의 문턱전압에 따른 상기 비트라인상의 전압을 패싱하는 칼럼 패스부와, 상기 감지노드를 프리차아지하는 데이타 라인 프리차아지부와, 상기 감지노드상의 전압을 센싱하여 선택된 메모리 셀의 데이터를 래치없이 리드하는 센스앰프를 포함하는 리드수단을 가진다.
4. 발명의 중요한 용도; 반도체 메모리의 개선된 리드 회로로서 적합하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리의 데이터 리드 회로.
제4도는 제3도에 따른 리드동작에서의 타이밍도.

Claims (5)

  1. 다수 메모리 트랜지스터들이 하나의 낸드셀 스트링을 구성하며, 상기 메모리 트랜지스터들이 행 방향의 워드라인과 열방향의 비트라인에 매트릭스형태로 배열되어 형성된 메모리 셀 어레이를 가지는 불 휘발성 반도체 메모리장치에 있어서; 상기 비트라인의 양단에 각기 접속되어 상기 비트라인의 방전 및 제1 기준전압에 응답하여 비트라인의 바이어스 레벨 설정을 담당하는 비트라인 방전 및 바이어스 설정부와, 상기 바이어스 설정부에 연결되며 제2 기준전압에 응답하여 상기 비트라인을 프리 차아지하는 비트라인 프리차아지부와, 상기 프리차아지부의 출력단에 연결되며 칼럼 디코딩 신호에 응답하여 감지노드상에 선택된 메모리 셀의 문턱전압에 따른 상기 비트라인상의 전압을 패싱하는 칼럼 패스부와, 감지노드를 프리차아지하는 데이터 라인 프리차아지부와, 상기 감지노드상의 전압을 센싱하여 선택된 메모리 셀의 데이터를 래치없이 리드하는 센스엠프를 포함하는 리드수단을 가짐을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비트라인 방전 및 바이어스 설정부는 엔형 모오스 트랜지스터들로 구성됨을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 비트라인 프리차아지부는 피형 모오스 트랜지스터들로 구성됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 데이터 라인 프리차아지부는 단일의 피형 모오스 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리 장치.
  5. 불 휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 리드방법에 있어서, 선택된 비트라인의 방전이후에 바이어스 레벨을 선정하고, 비트라인을 프리 차아지하여 감지노드상에 선택된 메모리 셀의 문턱전압에 따른 상기 비트라인상의 전압을 래치동작 없이 바로 센싱하는 것을 특징으로 하는 데이터 리드방법.
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