KR910013285A - 불휘발성 반도체메모리 - Google Patents

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KR910013285A
KR910013285A KR1019900021421A KR900021421A KR910013285A KR 910013285 A KR910013285 A KR 910013285A KR 1019900021421 A KR1019900021421 A KR 1019900021421A KR 900021421 A KR900021421 A KR 900021421A KR 910013285 A KR910013285 A KR 910013285A
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KR
South Korea
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memory
cells
nonvolatile semiconductor
dummy
cell
Prior art date
Application number
KR1019900021421A
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English (en)
Inventor
마코토 이토
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

불휘발성 반도체메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 불휘발성 반도체메모리의 개략적인 회로구성을 도시한 블럭도,
제2도는 상기 실시예의 회로를 상세히 나타낸 회로도.

Claims (4)

  1. 복수개의 불휘발성 메모리셀 및 이들 메모리셀과는 전기적 특성이 다른 더미셀이 동일 비트선에 접속된 선충전 및 방전방식의 제1메모리어레이(10)와, 이 제1메모리어레이와 동일한 구성인 제2메모리어레이(13), 상기 제1, 제2메모리어레이내의 메모리셀을 선택함과 더불어 제1메모리어레이내의 메모리셀을 선택할 때에는 제2메모리 어레이내의 더미셀을 선택하고 제2메모리어레이내의 메모리 셀을 선택할 때에는 제1메모리어레이내의 더미셀을 선택하는 선택 수단(16∼18), 상기 선택수단에 의해 선택된 메모리셀 및 더미셀로부터 독출전위를 비교하여 메모리셀의 기억데이터를 출력하는 데이터검출수단(19)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이터검출수단(19)을 상기 제1, 제2메모리 어레이의 사이에 배치한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 데이터검출수단이 상기 제1, 제2메모리어레이의 선충전기간에 출력상태가 초기설정되고, 방전기간에 상기 선택수단에 의해 선택된 메모리셀 및 더미셀로부터의 독출전위의 비교를 행하는 CMOS형 플립플롭회로로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2메모리어레이내의 더미셀의 기화학적 크기가 메모리셀과는 다르게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900021421A 1989-12-22 1990-12-22 불휘발성 반도체메모리 KR910013285A (ko)

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