KR920003314A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예의 요부 회로도.
Claims (1)
- 복수의 제1셀(C11, C12, C21, C22,-)을 구비하고 어드레스신호에 의해 상기 제1셀중 임의의 셀이 선택되는 제1셀군(CG)과, 복수의 제2셀(Cx11, Cx12, Cx21, Cx22,-)을 구비하고 상기 어드레스신호에 의해 상기 제2셀중 임의의 셀이 선택되는 제2셀군(CxG), 선택된 상기 제1셀중의 데이터를 제1센스출력으로서 출력하는 제1센스증폭기(SA1), 선택된 상기 제2셀중의 데이터를 제2센스출력으로서 출력하는 제2센스증폭기(SA2), 상기 제1 및 제2센스출력을 인가받아서 그들중 어느것인가에 따른 신호를 선택출력으로서 출력하는 선택회로(OB, OSW), 상기 선택출력을 인가받아서 그에 따른 데이터출력을 출력하는 출력회로(Q17, Q18)를 구비하여 구성되고, 상기 선택회로는 특정 어드레스신호에 기초하여 상기 제1 및 제2센스 출력중 어느것인가에 따른 신호를 선택출력으로서 출력할 것인지를 결정하는 스위칭수단(OSW)을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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