KR880000960A - 반도체 메모리 - Google Patents

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KR880000960A
KR880000960A KR870005926A KR870005926A KR880000960A KR 880000960 A KR880000960 A KR 880000960A KR 870005926 A KR870005926 A KR 870005926A KR 870005926 A KR870005926 A KR 870005926A KR 880000960 A KR880000960 A KR 880000960A
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KR
South Korea
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parity check
parity
semiconductor memory
outputting
stored data
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KR870005926A
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히노고 구로사와
가즈야 이도우
히사시 나가무라
마사미지 이시하라
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1012—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using codes or arrangements adapted for a specific type of error
    • G06F11/1032—Simple parity

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 적용된 스테이틱형 RAM을 포함하는 메모리 시스템의 1실시예를 도시한 접속도. 제2도는 제1도의 스테이틱형 RAM의 1실시예를 도시한 블럭도. 제3도는 제2도의 스테이틱형 RAM의 패리티 검사회로의 1실시예를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 기억 데이타의 각각은, 패리티 비트를 포함하는 여러개 비트를 가지며, 이 여러개 비트 단위에서 기억 데이타를 한번에 적어도 1개의 기억 데이타를 출력하는 메모리 어레이와, 상기 메모리 어레이에서 출력되는 기억 데이타의 패리티 검사를 행하고, 한번에 적어도 1개의 기억 데이타에 대해서 패리티 검사를 행하는 제 1 의 패리티 검사 회로와, 상기 패리티 검사의 결과를 출력하기 위한 의부단자를 포함하는 반도체 메모리.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 반도체 메모리는 또, 상기 메모리 어레이에 상기 여러개 비트 단위에서 라이트 되고, 1개의 입력 데이타는 상기 기억 데이타와 마찬가지로 패리티 비트를 포함하는 여러개 비트를 갖는 입력 데이타의 패리티 검사를 행하고, 제1의 패리티 검사 회로와 마찬가지로 한번에 적어도 1개의 입력 데이타에 대해서 패리티 검사를 행하는 제2의 패리티 검사 회로를 포함하는 반도체 메모리.
  3. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 제1의 패리티 검사 회로는, 상기 제2의 패리티 검사 회로로서 겸용되는 반도체 메모리.
  4. 특허 청구의 범위 제3항에 있어서, 패리티 에러가 발생한 경우, 상기 메모리 어레이에 대한 상기 입력 데이타의 라이트 동작을 금지하는 기능을 갖는 반도체 메모리.
  5. 특허 청구의 범위 4항에 있어서, 상기 패리티 비트는 상기 반도체 메모리의 외부에 마련되는 장치에 의해서 부가되는 반도체 메모리.
  6. 특허 청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 패리티 검사의 결과를 출력하기 위한 외부단자는, 상기 패리티 비트를 입출력하기 위한 외부단자와 겸용되고, 그 레벨은 패리티 검사의 결과가 정상일 경우에 패리티 검사의 레벨에 따라서 저레벨 또는 고레벨로 되고, 패리티 에러가 검출된 경우에 고임피던스 상태로 되는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870005926A 1986-06-13 1987-06-11 반도체 메모리 KR880000960A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61135915A JPS62293599A (ja) 1986-06-13 1986-06-13 半導体記憶装置
JP135915 1986-06-13

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KR880000960A true KR880000960A (ko) 1988-03-30

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KR870005926A KR880000960A (ko) 1986-06-13 1987-06-11 반도체 메모리

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US (1) US4928281A (ko)
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JPS62293599A (ja) 1987-12-21
US4928281A (en) 1990-05-22

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