KR890004326A - 반도체 메모리장치 - Google Patents

반도체 메모리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR890004326A
KR890004326A KR1019880010020A KR880010020A KR890004326A KR 890004326 A KR890004326 A KR 890004326A KR 1019880010020 A KR1019880010020 A KR 1019880010020A KR 880010020 A KR880010020 A KR 880010020A KR 890004326 A KR890004326 A KR 890004326A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line address
data line
word line
memory
address signal
Prior art date
Application number
KR1019880010020A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960011542B1 (ko
Inventor
도시오 사사끼
도시아끼 마스하라
오사무 미나또
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
나가이 아쯔시
히다찌마구세루 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼, 나가이 아쯔시, 히다찌마구세루 가부시기가이샤 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR890004326A publication Critical patent/KR890004326A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960011542B1 publication Critical patent/KR960011542B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/808—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout using a flexible replacement scheme

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 주요부를 설명하기 위한 블럭도. 제2도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 1실시예를 나타내는 블럭도. 제3도는 각각의 어드레스 변환부를 EPROM으로 구성한 경우의 제2도의 실시예를 나타낸 블럭도.

Claims (7)

  1. 다수의 메모리셀을 갖고, 상기 메모리셀 중의 하나는 워드선 어드레스신호와 데이타선 어드레스신호에 따라 선택되는 주 메모리(1), 주 메모리(1)상의 결함을 구제하기 위한 제1 및 제2의 예비 메모리(9,10) 제1의 출력부에서 제1의 예비 메모리(9)로 예비 워드선 어드레스 신호(114)를 보내고, 워드선 어드레스신호(111)에 관계있는 결함 메모리셀을 주 메모리(1)상에 존재하는 것을 나타내는 워드선 결함 검출신호(115)를 제2의 출력부에서 발생하기 위한 워드선 어드레스신호(111)이 입력된 워드선 어드레스 벼환부(7), 제1의 출력부에서 제2의 예비 메모리(10)으로 예비 데이타선 어드레스신호(116)을 보내고, 데이타선 어드레스신호(110)에 관계있는 결함 메모리셀이 주 메모리(1)상에 존재하는 것을 나타내는 데이타선 결함 검출신호(117)을 재2출력부에서 발생하기 위한 데이타선 어드레스신호(110)이 입력된 데이타선 어드레스 변환부(8)을 포함하는 반도체 메모리장치.
  2. 특허청구 범위 제1항에 있어서, 데이타선 어드레스신호(110)은 예비 워드선 어드레스신호(114)와 함께 제1의 예비 메모리(9)에 입력되고, 워드선 어드레스신호
    (111)은 예비 데이타선 어드레스신호(116)과 함께 제 2의 예비 메모리(10)에 입력되는 반도체 메모리장치.
  3. 특허청구 범위 제2항에 있어서, 제1의 예비 메모리(9)상의 예비 워드선을 선택하기 위한 예비 워드선 어드레스신호(114)와 워드선 결함 검출신호(115)는 원드선 어드레스신호(111)에 의해 결정되는 어드레스에서의 워드선 어드레스 변환부(7)에서 라이트되고, 제2의 예비 메모리(10)상의 예비 데이타선을 선택하기 위한 예비 데이타선 어드레스신호(116)과 데이타선 결람 검추신호(117)은 데이타선 어드레스신호(110)에 의해 결정되는 어드레스에서의 데이타선 어드레스 변환부(8)에서 라이트되는 반도체 메모리장치.
  4. 특허청구 범위 제3항에 있어서, 워드선 검출신호(115)가 워드선 어드레스 변환부(7)의 제2의 출력부에서 발생할 경우에 제1의 예비 메모리(9)의 다수의 예비 메로리셀 중의 적어도 하나는 예비 워드선 어드레스신호(114)와 데이타선 어드레스신호(110)에 따라 선택되어 주 메모리(1)상의 워드선에 관계있는 결함을 구제하고, 데이타선 결함 검출신호(117)이 데이타선 어드레스 변환부(8)의 제2의 추력부에서 발생할 경우에 제2의 예비 메모리(10)의 다수의 예비 메모리셀 중의 적어도 하나는 예비 데이타선 어드레스신호(116)과 워드선 어드레스신호(111)에 따라 선택되어 주 메모리(1)상의 데이타선에 관계있는 결함을 구제하는 반도체 메모리장치.
  5. 특허청구 범위 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 워드선 어드레스 변환부(7)과 데이타선 어드레스 변환부(8)의 각각은 멀티 비트 출력형의 반도체 메모리로 구성된 반도체 메모리장치.
  6. 제1의 예비 메모리(9)상의 예비 워드선을 선택하기 위한 예비 워드선 어드레스신호(114)와 워드선 결합 검출신호(115)는 워드선 어드레스신호(111)에 의해 결정된 다수의 어드레스에서의 워드선 어드레스 변환부(7)에서 라이트되고, 제2의 예비 메모리(10)상의 예비 워드선을 선택하기 위한 예비 데이타선 어드레스신호(116)과 데이타선 검출신호(117)은 데이타선 어드레스신호(110)에 의해 결정된 다수의 어드레스에서의 데이타선 어드레스 변환부(8)에서 라이트되는 스텝, 워드선 결함 검출신호(115)가 워드선 어드레스 변환부(7)의 제2출력부(7)에서 발생하는 경우에 주 메모리(1)상의 워드선에 관계있는 결함을 구제하기 위하여 예비 워드선 어드레스신호(114)와 데이타선 어드레스신호(110)에 따라 제1의 예비 메모리(9)의 다수의 예비 메모리중의 적어도 하나를 선택하고, 데이타선 결함 검출신호(117)이 데이타선 어드레스 변환부(8)의 제2의 출력부에서 발생하는 경우에 주 메모리(1)상의 데이타선에 관계있는 결함을 구제하기 위하여 예비 데이타선 어드레스신호(116)과 워드선 어드레스신호(111)에 따라 제2의 예비 메모리(10)의 다수의 예비 메모리중의 적어도 하나를 선택하는 스텝을 포함하는 특허청구의 범위 제2항의 반도체 메모리장치를 사용할 결함구제방법.
  7. 특허청구 범위 제6항에 있어서, 워드선 어드레스 변환부(7)과 데이타선 어드레스 변환부(8)의 각각은 멀티 비트 출력형의 반도체 메모리로 구성된 결함 구제방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880010020A 1987-08-31 1988-08-05 반도체 메모리 장치 KR960011542B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21538487 1987-08-31
JP62-215384 1987-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890004326A true KR890004326A (ko) 1989-04-21
KR960011542B1 KR960011542B1 (ko) 1996-08-23

Family

ID=16671408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880010020A KR960011542B1 (ko) 1987-08-31 1988-08-05 반도체 메모리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4937790A (ko)
KR (1) KR960011542B1 (ko)
DE (1) DE3827174A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3728521A1 (de) * 1987-08-26 1989-03-09 Siemens Ag Anordnung und verfahren zur feststellung und lokalisierung von fehlerhaften schaltkreisen eines speicherbausteins
US5070480A (en) * 1990-01-08 1991-12-03 Caywood John M Nonvolatile associative memory system
US5241507A (en) * 1991-05-03 1993-08-31 Hyundai Electronics America One transistor cell flash memory assay with over-erase protection
US6026505A (en) * 1991-10-16 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real time two dimensional redundancy allocation
GB9411274D0 (en) * 1994-06-04 1994-07-27 Deas Alexander R Memory system
GB2292236A (en) * 1995-04-04 1996-02-14 Memory Corp Plc Improved partial memory engine
US5737511A (en) * 1996-06-13 1998-04-07 United Microelectronics Corporation Method of reducing chip size by modifying main wordline repair structure
US6335878B1 (en) * 1998-07-28 2002-01-01 Hitachi, Ltd. Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same
DE59903253D1 (de) * 1998-04-17 2002-12-05 Infineon Technologies Ag Speicheranordnung mit redundanten speicherzellen und verfahren zum zugriff auf redundante speicherzellen
JP4439683B2 (ja) * 1999-06-03 2010-03-24 三星電子株式会社 リダンダンシ選択回路を備えたフラッシュメモリ装置及びテスト方法
KR100983070B1 (ko) * 2006-10-27 2010-09-20 후지쯔 가부시끼가이샤 어드레스선 고장 처리 장치, 어드레스선 고장 처리 방법, 어드레스선 고장 처리 명령을 기억하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 정보 처리 장치, 및 메모리 컨트롤러
JP2008181634A (ja) 2006-12-26 2008-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9229887B2 (en) * 2008-02-19 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Memory device with network on chip methods, apparatus, and systems
US8086913B2 (en) * 2008-09-11 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Methods, apparatus, and systems to repair memory
US9123552B2 (en) 2010-03-30 2015-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses enabling concurrent communication between an interface die and a plurality of dice stacks, interleaved conductive paths in stacked devices, and methods for forming and operating the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4745582A (en) * 1984-10-19 1988-05-17 Fujitsu Limited Bipolar-transistor type random access memory device having redundancy configuration
JPS6337899A (ja) * 1986-07-30 1988-02-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4937790A (en) 1990-06-26
DE3827174A1 (de) 1989-03-09
KR960011542B1 (ko) 1996-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890004326A (ko) 반도체 메모리장치
US5386386A (en) Redundancy circuit having a spare memory block replacing defective memory cells in different blocks
KR950025788A (ko) 용장성 메모리셀의 테스트 절차용으로 활용가능한 용장성 디코더를 구비한 반도체 메모리 장치
KR100284716B1 (ko) 반도체 기억 장치
KR900008526A (ko) 반도체 기억장치
EP0335125A2 (en) DRAM with redundancy and improved testability
JPS6042560B2 (ja) 半導体記憶装置
KR880010362A (ko) 어드레스 라인 오류 테스트 방법
KR970051441A (ko) 플래쉬 메모리 장치
JP3215566B2 (ja) 半導体記憶装置
KR850007159A (ko) 비트 에러 검출기능을 갖는 반도체 메모리장치
JP2515097B2 (ja) 半導体記憶装置
US5991903A (en) Parallel bit test circuit for testing a semiconductor device in parallel bits
KR970067382A (ko) 다이나믹 랜덤 억세스 메모리내의 패리티 검사 논리 회로를 위한 방법 및 장치
JPH0544760B2 (ko)
JPS62250599A (ja) 半導体メモリ装置
JPH0785693A (ja) 半導体記憶装置
JPH10172297A (ja) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の試験方法
JPH0263280B2 (ko)
KR100267203B1 (ko) 용장성 판정회로를 갖는 싱글-칩 메모리 시스템
JPH01133298A (ja) 半導体メモリ装置
JPS59113600A (ja) 高信頼記憶回路装置
KR900005445A (ko) 초고집적/대용량 메모리 집적회로에서 리던던시 스킴 방법 및 그 장치
KR970051446A (ko) 리던던시 로오 디코더 회로
JP2923272B2 (ja) 半導体メモリ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070808

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee