KR970051441A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리던던시 셀블럭을 메인셀 블록에 인접하도록 접속하고 메인셀 블록으로부터 로우 디코더에 의해 불량난 어드레스가 검출될 때 리던던시 셀블럭의 플래그(flag) 비트 데이터를 감지하여 로우 디코더로 디스에이블(disable) 시키고, 리던던시 로우 디코더 및 리던던시 컬럼 디코더를 인에이블(enable)시켜 리페어 하도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제2도의 메인 센스앰프의 상세 회로도.
제4도는 제2도의 리던던시 센스앰프의 상세 회로도.

Claims (5)

  1. 플래쉬 메모리 장치에 있어서, 메인셀 블록에 인접하여 접속되며 상기 메인셀 블록에서 불량난 어드레스가 발생될 때 이를 대신 하도록 하는 리던더시셀 블록과, 상기 메인셀 블록을 인에이블 시키도록 하는 로우 디코더와, 상기 메인셀 블록에서 불량난 어드레스가 발생될 때 상기 리던던시셀 블록을 인에이블 시키기 위한 리던던시 로우 디코더와, 상기 메인셀 블록의 불량여부를 나타내 주는 플래그 비트와, 상기 메인셀 블록의 데이터를 센싱하기 위해 컬럼 디코더 및 데이터 비트라인을 통해 상기 메인셀 블록에 접속되는 메인 센스앰프와, 상기 플래그 비트를 센싱해줄수 있는 플래그 센스앰프와, 상기 플래그 센스앰프는 플래그 비트와 접속할 수 있는 플래그 비트 전달게이트를 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플래그 비트 블록은 다수의 플래그 셀로 구성되고 상기 플래그셀은 메인셀에서 불량 유무를 기억할 수 있는 소자이면서 메인셀 가드링 안에 위치하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플래그 셀은 메인셀의 로우 혹은 컬럼과 직접 연결되어 상기 메인셀이 인에이블 되면 플래그 셀도 인에이블 되어 상기 플래그셀 데이터가 읽기 혹은 쓸때마다 항상 플래그 센스앰프를 통해 센싱되어 리던던시 로우 디코더나 리던던시 컬럼 디코더를 인에이블 시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플래그 센스앰프를 통해 전달된 상기 플래그 비트 데이터가 불량임을 나타내줄 때 메인 로우 디코더 혹은 컬럼디코더는 디스에이블 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 1항의 구성을 한 단위로하여 여러 개로 반복 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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