KR970051327A - 데이타 기억 영역의 속성 데이타를 기억하는 속성 데이타 영역과 데이타 기억 영역을 갖는 비휘발성메모리 - Google Patents

데이타 기억 영역의 속성 데이타를 기억하는 속성 데이타 영역과 데이타 기억 영역을 갖는 비휘발성메모리 Download PDF

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KR970051327A
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나오유키 오구라
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가네꼬 히사시
닛폰 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

메모리는 복수개의 워드라인 WL1-8 복수개의 비트라인 BL1-512과 BLal-32, 복수개의 메모리 쎌 C1-512과 Cal-32을 갖고, 메모리 셀 CL-512과 Cal-32의 각각은 상기 워드라인 WL1-8의 선택된 하나와 상기 비트라인 BL1-512과 BLal-32의 선택돈 하나 사이에 접속되며, 상기 복수개의 메모리 셀C1-512과 Cal-32은 제1그룹 메모리 셀 C1-512과 제2그룹 메모리 셀 Cal-32로 분할돈 상기 워드라인 WL1-8의 선택된 하나에 접속되며, 상기 제1그룹 메모리 셀 C1-512은 데이타 기억을 위해 제공도며 상기 제2그룹 메모리 셀 Cal-32은 상기 그룹 메모리 셀 C1-512의 속성 데이타를 기억하도록 제공된다.

Description

데이타 기억영역의 속성 데이타를 기억하는 속성 데이타 영역과 데이타 기억영역을 갖는 비휘발성 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따르는 비휘발성 반도체 기억장치의 블럭 다이어그램

Claims (14)

  1. 복수의 워드라인과, 복수의 비트라인과 각각 상기 비트라인의 선택된 하나와 상기 워드라인의 선택된 하나 사이에 접속된 복수의 메모리 셀을 포함하고 상기 복수의 메모리 셀은 제1그룹 메모리 쎌과 제2메모리 셀로 분할된 상기 워드라인의 선택된 하나의 접속되고 상기 제1그룹 메모리 셀은 데이타 기억을 위해 제공되고 상기 제2그룹 메모리 셀은 상기 제1그룹 메모리 셀의 속성 데이타 기억을 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1그룹 메모리 셀과 상기 제2그룹 메모리 셀은 같은 어드레스에 의해 액세스되는 것을 특징으로 하는 메모리
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1그룹 메모리 셀은 512비트인 상기 메모리 셀을 갖는 것을 특징으로 하는 메모리.
  4. 제1항에 있어서 상기 속성 데이타는 상기 제1그룹 메모리 셀의 재기록 수를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
  5. 제1항에 있어서, 상기 워드라인의 선택된 하나에 접속된 상기 메모리 셀의 에러를 검출 및 정정하도록 상기 복수의 워드라인에 접속된 에러 정정 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
  6. 제1항에 있어서 대응하는 상기 메모리 셀을 경유하여 상기 워드라인의 상기 선택된 하나에 접속된 상기 비트 라인의 에러를 검출 및 정정하도록 상기 복수의 워드라인에 접속된 에러 정정 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
  7. 제1항에 있어서, 소거 신호에 응답하여 상기 모든 메모리 셀의 내용을 소거하기 위한 소거 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
  8. 복수의 메모리 셀 블럭을 포함하는 메모리에 있어서 상기 메모리 셀 블럭의 각각은 복수의 워드라인과 복수의 비트라인과 각각 상기 비트라인의 선택된 하나와 상기 라인의 선택된 하나 사이에 접속된 복수의 메모리 셀을 포함하고 상기 복수의 메모리 셀은 제1그룹 메모리 셀과 제2그룹 메모리 셀로 분할된 상기 워드라인의 선택된 하나에 접속되고 상기 제1그룹 메모리 셀은 데이타 기억을 위해 제공되고 상기 제2그룹메모리 셀은 상기 제1그룹 메모리 셀의 속성 데이타 기억을 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 메모리
  9. 제8항에 있어서 상기 워드라인에 접속된 상기 제1그룹 메모리 셀과 상기 제2그룹 메모리 셀은 같은 어드레스에 의해 액세스 되는 것을 특징으로 하는 메모리
  10. 제8항에 있어서 상기 제1그룹 메모리 셀은 512비트인 상기 메모리 셀을 갖는 것을 특징으로 하는 메모리
  11. 제8항에 있어서 상기 속성 데이타는 상기 제1그룹 메모리 셀의 재기록 수를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
  12. 제8항에 있어서 상기 워드 라인의 선택된 하나에 접속된 상기 메모리 셀의 에러를 검출 및 정정하도록 상기 복수의 워드라인에 접속된 에러 정정회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
  13. 제8항에 있어서 대응하는 상기 메모리 셀을 경유하여 상기 워드라인의 상기 선택된 하나에 접속된 상기 비트라인의 에러를 검출 및 정정하도록 상기 복수의 워드라인에 접속된 에러 정정 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
  14. 제8항에 있어서, 소거 신호에 응답하여 어드레스 신호에 의해 선택된 상기 메모리 블럭의 선택된 하나의 상기 모든 메모리 셀의 내용을 소거하기 위한 소거 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960082417A 1995-12-27 1996-12-27 데이타 기억 영역의 속성 데이타를 기억하는 속성 데이타 영역과 데이타 기억 영역을 갖는 비휘발성 메모리 KR100273628B1 (ko)

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