KR970062918A - 메모리 장치 및 메모리 제어방법 - Google Patents

메모리 장치 및 메모리 제어방법 Download PDF

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Abstract

데이터가 선택적으로 저장되는 복수의 블럭으로 분할된 기억영역을 갖고 블럭단위로 데이터를 일괄소거하는 플래쉬 메모리와, 이 플래쉬 메모리의 복수의 블럭에 각각 대응하는 복수의 기억위치를 갖고 에디터가 저장되어 있지 않음을 나타내는 빈 정보를, 데이터가 저장되어 있지 않은 블럭에 대응하는 테이블 기억위치에 저장하는 테이블 메모리를 갖는 제어부에 의해 구성되는 메모리 장치.

Description

메모리 장치 및 메모리 제어방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 발명의 일실시예의 플래쉬 디스크 시스템의 블럭도이다.

Claims (13)

  1. 데이터가 선택적으로 저장되는 복수의 블럭으로 분할된 기억영역을 갖고, 블럭단위로 데이터를 일괄소거하는 반도체 메모리와, 상기 반도체 메모리의 상기 복수의 블럭에 각각 대응하는 복수의 기억위치를 갖고, 데이터가 저장되어 있지 않음을 나타내는 빈 정보를, 데이터가 저장되어 있지 않은 상기 블럭에 대응하는 상기 기억위치에 저장하는 테이블 메모리를 갖는 제어부에 의해 구성되는 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부가, 상기 테이블 메모리의 상기 기억위치를 상기 반도체 메모리내의 상기 블록에 각각 부여되고 있는 어드레스에 의해 지정하는 수단을 포함하는 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부가, 상기 테이블 메모리내의 상기 기억위치에 저장되어 있는 빈 정보를 소정의 순서로 검색하고, 상기 반도체 메모리내에서 빈 상태로 되어 있는 한개의 상기 블럭에 대응하는 상기 기억위치의 최초의 검출에 응답하여 상기 빈 정보의 검색을 정지하는 테이블 검색수단과, 상기 테이블 검색수단에 의해 검색된 상기 빈 정보 상태의 블럭을 저장하는 어드레스정보를 부여하는 포인터 수단을 갖는 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부가, 상기 포인터 수단으로부터의 상기 어드레스 정보에 의해 지정되는 상기 빈 상태의 블럭에 새로이 데이터가 기록될 때에, 그 블럭에 대응하는 상기 테이블 메모리내의 상기 기억위치에 저장되는 빈 정보를 변경하는 제1의 테이블 갱신 수단을 갖는 메모리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제어부가, 상기 반도체 메모리내의 상기 블럭의 어떤 데이터가 일괄소거되었을때에 소거블럭에 대응하는 상기 테이블 메모리내의 상기 기억위치에 저장되는 빈 정보를 변경하는 제2의 테이블 갱신수단을 갖는 메모리 장치.
  6. 각각이 선택적으로 저장되는 복수의 블럭으로 분할된 기억영역을 갖고, 블럭단위로 데이터를 일괄소거하는 복수의 메모리와, 상기 반도체 메모리에 공통적으로 이용되는 1개의 어드레스 카운터와, 제어로직회로, 상기 반도체 메모리에 각각 대응한 병렬적인 SRAM의 복수의 영역과, 복수의 빈 정보 레지스터와, 적어도 한개의 엔코더와, 복수의 포인터 레지스터로 구성되는 빈 블럭 테이블 관리부에 의해 구성되며, 상기 SRAM 영역의 각각이, 상기 반도체 메모리의 각각의 빈 블럭을 등록하는 빈 블럭 테이블을 형성하고, 상기 어드레스 카운터로부터의 기록 어드레스정보와, 상기 제어로직 회로로부터의 기록제어신호와, 상기 데이터 레지스터로부터의 빈 정보를 수신함으로써 상기 빈 정보를 상기 테이블에 기록하는 메모리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 SRAM 영역의 각각이, 상기 어드레스 카운터로부터의 판독 어드레스 정보와, 상기 제어로직 회로로부터의 판독 제어신호를 수신함으로써 상기 SRAM의 영역으로부터 동시에 판독되는 빈 정보를 2진 어드레스 코드로 변환하고, 상기 포인터 레지스터가 상기 어드레스 카운터로부터의 어드레스 정보와 상기 엔코더로부터의 2진 어드레스 코드를 합성하여 어드레스 정보를 생성하는 메모리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어로직 회로가, 상기 포인터 레지스터에 유지되어 있는 포인터의 상위 어드레스 데이터를 상기 어드레스 카운터에 로드하고, 이 어드레스 데이터로 상기 빈 로직 테이블로부터 1워드의 빈 정보를 판독하고, 판독된 1워드의 빈 정보의 하위 어드레스 데이터로 지시되는 1워드내의 기억위치에 저장되어 있는 빈 정보를 비어있지 않은 정보에 갱신하는 메모리 장치.
  9. 복수의 블럭으로 분할된 기억영역을 갖고, 블럭단위로 데이터를 일괄소거하는 반도체 메모리의 상기 복수의 블럭에 각각 대응하는 복수의 기억위치를 데이블메모리에 설치하여, 데이터가 저장되어 있음을 나타내는 빈 정보를 데이터가 저장되어 있지 않은 상기 블럭에 대응하는 상기 테이블 메모리의 상기 기억위치에 저장하고, 데이터 기록시에 상기 테이블의 빈 정보를 검색함으로써 빈 블럭을 검출하는 메모리 제어방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 테이블 메모리의 상기 기억위치를 상기 반도체 메모리내의 상기 블럭에 각각 할당되어 있는 어드레스에 의해 지정하는 메모리 제어방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 빈 정보의 검색이, 상기 테이블 메모리 내의 상기 기억위치에 저장되어 있는 빈정보를 소정의 순서로 검색하고, 상기 반도체 메모리내에서 빈상태로 되어 있는 한개의 상기 블럭에 대응하는상기 기억위치의 최초의 검출에 응답하여 상기 빈 정보의 검색을 정지하고, 검색된 상기 빈 상태의 블럭을 지정하는 어드레스 정보를 발생하는 메모리 제어방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 어드레스 정보에 의해 지정되는 상기 빈 상태의 블럭에 새로이 데이터가 기록되었을 때에, 그 블럭에 대응하는 상기 테이블 메모리내의 상기 기억위치에 저장되는 빈 정보를 갱신하는 메모리 제어방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 반도체 메모리내의 상기 블럭의 어떤 데이터가 일괄소거되었을 때에, 소거블럭에 대응하는 상기 테이블 메모리내의 상기 기억위치에 저장되는 빈 정보를 갱신하는 메모리 제어방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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