KR960029984A - 반도체 디스크 장치 - Google Patents

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KR960029984A
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Abstract

다수의 블록, 및 논리적 섹터 어드레스를 물리적-논리적 블록 수와 옵셋 값으로 변환하고, 물리적-논리적 블록 수에 근거하여 플래쉬 메모리내의 블록과 데이터 메모리 영역을 탐색하며, 그리고 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역 내에서 아무런 체인 데이터도 저장되어 있지 않을 때 데이터 메모리 영역의 내용을 판독하는 CPU로 구성된다. 블록은 물리적-논리적 블록 수 영역, 데이터를 저장하기 위한 다수의 데이터 메모리 영역, 해당하는 각 데이터 메모리 영역에 배치되고 데이터 메모리 영역이 데이터를 저장하고 있는지 여부를 지시하는 데이터 상태 플래그를 저장하는 데이터상태 플래그 메모리 영역, 및 해당 하는 각 데이터 메모리 영역에 배치되고 데이터의 목적지를 지시하는 체인 정보를 저장하는 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역으로 구성된다. 그러므로 메모리 관리를 위한 어드레스 변환 테이블이 없어도 되며, 따라서 데이터 영역이 확장된다.

Description

반도체 디스크 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예의 구성을 일반적으로 도시하고 있는 블록도, 제2도는 본 발명의 제1 실시예의 플래쉬 메모리의 내부 구성을 도시하고 있는 도면.

Claims (9)

  1. 비휘발성이며, 전기적으로 프로그램할 수 있고 소거할 수 있고, 블록으로 소거되는 플래쉬 메모리; 외부시스템과 데이터와 어드레스를 교환하기 위한 인터페이스 수단; 플래쉬 메모리와 인터페이스 수단 사이의 데이터 교환을 수행하기 위한 플래쉬 제어 버퍼 수단; 및 외부 시스템으로 들어오는 섹터 어드레스 정보를 논리적은 블록 수로 변환하고 논리적 인 블록 수에 따라서 플래쉬 메모리로 억세스 하기 위한 억세스 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리는 각각이 물리적-논리적 블록 수를 저장하기 위한 물리적-논리적 블록 수 메모리 영역과 데이터를 저장하기 위한 데이터 데이터 메모리 영역의 다수로 구성되는 다수의 블록으로 구성되고,상기 섹터 어드레스 정보는 논리적 섹터 어드레스이고, 그리고 상기 억세스 수단은 외부 시스템으로부터 들어오는 논리적인 섹터 어드레스를 물리적-논리적 블록 수와 그의 옵셋 값으로 변환하고 목표 데이터에 접근하기 위하여 동일한 물리적-논리적 블록 수를 갖는 블록을 탐색하는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 블록은 해당하는데 상기 데이터 메모리 영역의 각각에 배치되며 목적 데이터를 지시하는 체인 정보를 저장하기 위한 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역, 및 해당하는 각각의 상기 데이터 메모리 영역에 배치되며 상기 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역이 체인 정보를 저장하는지 또는 상기 데이터 메모리 영역이 데이터를 저장하는지 지시하는 데이터 상태 플래그를 저장하기 위한 데이터 상태 플래그 메모리 영역을 더 포함하고, 이로써 상기 억세스 수단은 물리적-논리적 블록 수, 데이터 상태 플래그 및 체인 정보에 근거하여 플래쉬 메모리 내의 데이터를 억세스하는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  4. 제3항에 있어서, 물리적-논리적 블록 수와 옵셋 값에 근거하는 플래쉬 메모리 내의 블록과 데이터 메모리영역을 발견한 후, 데이터 상태 플래그 메모리 영역내의 데이터 상태 플래그가 아무런 체인 정보도 저장되어 있지 않다고가리킬 때 상기 억세스 수단은 데이터 메모리 영역의 내용을 읽고, 체인 정보가 저장되어 있다고 데이터 상태 플래그가가리킬 때 상기 억세스 수단은 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역 내의 체인 정보에 근거하여 목적 데이터 메모리 영역의 내용을 읽는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  5. 제3항에 있어서, 물리적-논리적 블록 수와 옵셋 값에 근거하여 플래쉬 메모리 내의 블록과 데이터 메모리영역을 발견한 후 데이터 메모리 영역 내에 아무런 데이터도 저장되어 있지 않다고 데이터 상태 플래그 메모리 영역 내의데이터 상태 플래그가 가리킬 때 상기 억세스 수단은 데이터 상태 플래그가 데이터 메모리 영역 상에 데이터를 기록함으로써 점유된 상태를 가리키게 하며, 데이터 메모리 영역내에 데이터가 저장되어 있다고 데이터 상태 플래그가 가리킬 때는 상기 억세스 수단은 공백 상태의 데이터 메모리 영역을 탐색하고 데이터를 공백 상태의 데이터 메모리 영역 상에 기록하며 그 후에 방금 기록된 데이터 메모리 영역에 해당하는 데이터 상태 플래그가 점유된 상태를 표시하게 하고, 그리고동시에 데이터를 저장하고 있는 데이터 메모리 영역에 해당하는 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역 상에 체인 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  6. 제1항에 있어서, 물리적-논리적 블록 수를 물리적 블록 수로 변환하기 위한 어드레스 변환 테이블이 부가되며, 상기 플래쉬 메모리는 각각이 물리적-논리적 블록 수를 저장하기 위한 물리적-논리적 블록 수 메모리 영역과 데이터를 저장하기 위한 다수의 데이터 메모리 영역으로 구성되는 다수의 블럭으로 구성되고, 상기 섹터 어드레스 정보는 논리적 섹터 어드레스이며, 그리고 상기 억세스 수단은 외부로부터 들어오는 논리적인 섹터 어드레스를 물리적-논리적 블록수와 그의 옵셋 값으로 변환하고, 어드레스 변환 테이블을 참조하여 물리적-논리적 블록 수를 물리적 블록 수로 변환하며, 물리적 블록 수와 옵셋 값에 근거하여 목표 데이터에 억세스 하는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 블록은 해당하는 상기 데이터 메모리 영역의 각각에 배치되며 목적 데이터를 지시하는 체인 정보를 저장하기 위한 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역, 및 해당하는 각각의 상기 데이터 메모리 영역에 배치되며 상기 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역이 체인 정보를 저장하는지 또는 상기 데이터 메모리 영역이 데이터를 저장하는지 지시하는 데이터 상태 플래그를 저장하기 위한 데이터 상태 플래그 메모리 영역을 더 포함하고, 이로써 상기 억세스 수단은 물리적-논리적 블록 수, 데이터 상태 플래그 및 체인 정보에 근거하여 플래쉬 메모리 내의 데이터를 억세스 하는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  8. 제7항에 있어서, 물리적-논리적 블록 수와 옵셋 값에 근거하는 플래쉬 메모리 내의 블록과 데이터 메모리영역을 발견한 후, 데이터 상태 플래그 메모리 영역 내의 데이터 상태 플래그가 아무런 체인 정보도 저장되어 있지 않다고 가리킬 때 상기 억세스 수단은 데이터 메모리 영역의 내용을 읽고, 체인 정보가 저장되어 있다고 데이터 상태 플래그가 가리킬 때 상기 억세스 수단은 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역 내의 체인 정보에 근거하여 목적 데이터 메모리 영역의 내용을 읽는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
  9. 제7항에 있어서, 물리적-논리적 블록 수와 옵셋 값에 근거하여 플래쉬 메모리 내의 블록과 데이터 메모리 영역을 발견한 후, 데이터 메모리 영역 내에 아무런 데이터도 저장되어 있지 않다고 데이터 상태 플래그 메모리 영역 내의 데이터 상태 플래그가 가리킬 때 상기 억세스 수단은 데이터 상태 플래그가 데이터 메모리 영역 상에 데이터를 기록함으로써 점유된 상태를 가리키게 하며, 데이터 메모리 영역 내에 데이터가 저장되어 있다고 데이터 상태 플래그가 가리킬때는 상기 억세스 수단은 공백 상태의 데이터 메모리 영역을 탐색하고 데이터를 공백 상태의 데이터 메모리 영역 상에 기록하며 그 후에 방금 기록된 데이터 메모리 영역에 해당하는 데이터 상태 플래그가 점유된 상태를 표시하게 하고, 그리고 동시에 데이터를 저장하고 있는 데이터 메모리 영역에 해당하는 갱신 데이터 체인 정보 메모리 영역 상에 체인 정보를 기록하는 것을 특징으로 하는 반도체 디스크 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838614A (en) * 1995-07-31 1998-11-17 Lexar Microsystems, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US8171203B2 (en) 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US6978342B1 (en) 1995-07-31 2005-12-20 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5845313A (en) 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
JP3604466B2 (ja) * 1995-09-13 2004-12-22 株式会社ルネサステクノロジ フラッシュディスクカード
JPH09171486A (ja) * 1995-10-16 1997-06-30 Seiko Epson Corp Ｐｃカード
JPH09185551A (ja) * 1996-01-08 1997-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH09212411A (ja) * 1996-02-06 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd メモリシステム
JPH09244961A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Mitsubishi Electric Corp フラッシュａｔａ−ｐｃカード
JP3615299B2 (ja) * 1996-03-29 2005-02-02 三洋電機株式会社 書換え可能ｒｏｍの記憶方法及び記憶装置
US5860124A (en) * 1996-09-30 1999-01-12 Intel Corporation Method for performing a continuous over-write of a file in nonvolatile memory
JPH10124381A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5748537A (en) * 1997-02-13 1998-05-05 Garbers; Jeffrey Paul Method and apparatus for storing items in flash memory
JPH10260876A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Hitachi Ltd データベースのデータ構造及びデータベースのデータ処理方法
US6122195A (en) * 1997-03-31 2000-09-19 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory
JP3718578B2 (ja) * 1997-06-25 2005-11-24 ソニー株式会社 メモリ管理方法及びメモリ管理装置
US5956743A (en) * 1997-08-25 1999-09-21 Bit Microsystems, Inc. Transparent management at host interface of flash-memory overhead-bytes using flash-specific DMA having programmable processor-interrupt of high-level operations
US6000006A (en) * 1997-08-25 1999-12-07 Bit Microsystems, Inc. Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage
US5822251A (en) * 1997-08-25 1998-10-13 Bit Microsystems, Inc. Expandable flash-memory mass-storage using shared buddy lines and intermediate flash-bus between device-specific buffers and flash-intelligent DMA controllers
KR19990019377A (ko) * 1997-08-29 1999-03-15 윤종용 플래시 메모리 이용 보조기억장치 및 그 방법
JP2000122935A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 不揮発性メモリのアドレス変換装置
JP4141581B2 (ja) * 1999-04-05 2008-08-27 株式会社ルネサステクノロジ フラッシュメモリを搭載する記憶装置
FR2799046B1 (fr) * 1999-09-24 2004-02-27 Aton Systemes Sa Procede pour l'ecriture aleatoire de secteurs d'une taille inferieure a celle d'un bloc d'effacement dans une memoire effacable par bloc pour laquelle toute ecriture d'une donnee necessite l'effacement du bloc qui contient ladite donnee
DE60009031D1 (de) * 2000-03-28 2004-04-22 St Microelectronics Srl Verfahren zur logischen Aufteilung einer nichtflüchtigen Speichermatrix
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US6715036B1 (en) 2000-08-01 2004-03-30 International Business Machines Corporation Method, system, and data structures for transferring blocks of data from a storage device to a requesting application
KR100644602B1 (ko) * 2000-10-11 2006-11-10 삼성전자주식회사 플래시메모리를 위한 재사상 제어방법 및 그에 따른플래시 메모리의 구조
US6763424B2 (en) 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
US6938144B2 (en) 2001-03-22 2005-08-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Address conversion unit for memory device
JP2003076605A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Mitsubishi Electric Corp ブロック消去型不揮発メモリを搭載した半導体記憶装置とそのデータの書込み・読出し方法
GB0123421D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Power management system
GB0123410D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system for data storage and retrieval
GB0123415D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Method of writing data to non-volatile memory
GB0123416D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
JP2003196142A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Sony Corp ライトワンス型メモリ装置及びファイル管理方法
US6839826B2 (en) 2002-02-06 2005-01-04 Sandisk Corporation Memory device with pointer structure to map logical to physical addresses
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
US6901498B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-31 Sandisk Corporation Zone boundary adjustment for defects in non-volatile memories
US8504798B2 (en) * 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
US7139864B2 (en) * 2003-12-30 2006-11-21 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with block management system
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7370166B1 (en) 2004-04-30 2008-05-06 Lexar Media, Inc. Secure portable storage device
KR100568115B1 (ko) * 2004-06-30 2006-04-05 삼성전자주식회사 점진적 머지 방법 및 그것을 이용한 메모리 시스템
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
JP2006085380A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Toshiba Corp ファイルストレージデバイス、プログラム、及び不揮発性半導体メモリの書込方法
US7480766B2 (en) * 2005-08-03 2009-01-20 Sandisk Corporation Interfacing systems operating through a logical address space and on a direct data file basis
KR100843135B1 (ko) * 2006-11-20 2008-07-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 관리 방법 및 장치
KR101456593B1 (ko) 2007-06-22 2014-11-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
JP2009003880A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Toshiba Corp 不揮発性メモリの制御装置及びその制御方法及び記憶装置
US7962683B2 (en) * 2007-08-15 2011-06-14 Silicon Motion, Inc. Flash memory, and method for operating a flash memory
US8959307B1 (en) 2007-11-16 2015-02-17 Bitmicro Networks, Inc. Reduced latency memory read transactions in storage devices
US8838876B2 (en) 2008-10-13 2014-09-16 Micron Technology, Inc. Translation layer in a solid state storage device
US8665601B1 (en) 2009-09-04 2014-03-04 Bitmicro Networks, Inc. Solid state drive with improved enclosure assembly
US9135190B1 (en) 2009-09-04 2015-09-15 Bitmicro Networks, Inc. Multi-profile memory controller for computing devices
US8447908B2 (en) 2009-09-07 2013-05-21 Bitmicro Networks, Inc. Multilevel memory bus system for solid-state mass storage
US8560804B2 (en) * 2009-09-14 2013-10-15 Bitmicro Networks, Inc. Reducing erase cycles in an electronic storage device that uses at least one erase-limited memory device
EP2515237A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-24 Gemalto SA Portable secure device providing storage service
US9372755B1 (en) 2011-10-05 2016-06-21 Bitmicro Networks, Inc. Adaptive power cycle sequences for data recovery
US9043669B1 (en) 2012-05-18 2015-05-26 Bitmicro Networks, Inc. Distributed ECC engine for storage media
US9423457B2 (en) 2013-03-14 2016-08-23 Bitmicro Networks, Inc. Self-test solution for delay locked loops
US9798688B1 (en) 2013-03-15 2017-10-24 Bitmicro Networks, Inc. Bus arbitration with routing and failover mechanism
US10489318B1 (en) 2013-03-15 2019-11-26 Bitmicro Networks, Inc. Scatter-gather approach for parallel data transfer in a mass storage system
US9400617B2 (en) 2013-03-15 2016-07-26 Bitmicro Networks, Inc. Hardware-assisted DMA transfer with dependency table configured to permit-in parallel-data drain from cache without processor intervention when filled or drained
US9934045B1 (en) 2013-03-15 2018-04-03 Bitmicro Networks, Inc. Embedded system boot from a storage device
US9430386B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Bitmicro Networks, Inc. Multi-leveled cache management in a hybrid storage system
US9501436B1 (en) 2013-03-15 2016-11-22 Bitmicro Networks, Inc. Multi-level message passing descriptor
US9858084B2 (en) 2013-03-15 2018-01-02 Bitmicro Networks, Inc. Copying of power-on reset sequencer descriptor from nonvolatile memory to random access memory
US9842024B1 (en) 2013-03-15 2017-12-12 Bitmicro Networks, Inc. Flash electronic disk with RAID controller
US9734067B1 (en) 2013-03-15 2017-08-15 Bitmicro Networks, Inc. Write buffering
US9916213B1 (en) 2013-03-15 2018-03-13 Bitmicro Networks, Inc. Bus arbitration with routing and failover mechanism
US9875205B1 (en) 2013-03-15 2018-01-23 Bitmicro Networks, Inc. Network of memory systems
US9971524B1 (en) 2013-03-15 2018-05-15 Bitmicro Networks, Inc. Scatter-gather approach for parallel data transfer in a mass storage system
US9672178B1 (en) 2013-03-15 2017-06-06 Bitmicro Networks, Inc. Bit-mapped DMA transfer with dependency table configured to monitor status so that a processor is not rendered as a bottleneck in a system
US9720603B1 (en) 2013-03-15 2017-08-01 Bitmicro Networks, Inc. IOC to IOC distributed caching architecture
US10078604B1 (en) 2014-04-17 2018-09-18 Bitmicro Networks, Inc. Interrupt coalescing
US10055150B1 (en) 2014-04-17 2018-08-21 Bitmicro Networks, Inc. Writing volatile scattered memory metadata to flash device
US9811461B1 (en) 2014-04-17 2017-11-07 Bitmicro Networks, Inc. Data storage system
US10025736B1 (en) 2014-04-17 2018-07-17 Bitmicro Networks, Inc. Exchange message protocol message transmission between two devices
US10042792B1 (en) 2014-04-17 2018-08-07 Bitmicro Networks, Inc. Method for transferring and receiving frames across PCI express bus for SSD device
US9952991B1 (en) 2014-04-17 2018-04-24 Bitmicro Networks, Inc. Systematic method on queuing of descriptors for multiple flash intelligent DMA engine operation
CN106294203B (zh) * 2016-08-01 2019-06-28 深圳市瑞耐斯技术有限公司 一种3d闪存的控制方法及控制系统
US10552050B1 (en) 2017-04-07 2020-02-04 Bitmicro Llc Multi-dimensional computer storage system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5065364A (en) * 1989-09-15 1991-11-12 Intel Corporation Apparatus for providing block erasing in a flash EPROM
JP2582487B2 (ja) * 1991-07-12 1997-02-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法

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